像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，像素结构，包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，所述像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。通过本发明专利技术的技术方案，能够防止显示装置产生画面显示不均。

Pixel structure and its making method, display substrate and display device

The invention provides a pixel structure and a manufacturing method thereof, a display substrate and a display device, belonging to the display technical field. The pixel structure includes an N-line grid and an N-line pixel region defined by the N-line grid. The pixel region is provided with a first thin film transistor, a gate of the first thin film transistor in the k+1 row pixel region is connected with the K-line grid, a source is connected with the common electrode line, and a drain is connected with the pixel electrode in the pixel region. Connection, where N is an integer greater than 2, K is a positive integer and less than N. The technical proposal of the invention can prevent the display device from generating uneven display.

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)领域中，由于像素架构的设计和电路驱动方式等因素，会使得液晶显示器在显示某些画面时存在像素充电差异，从而产生画面显示不均。比如49UHD(UltraHighDefinitionTelevision，超高清电视)产品中，在黄色画面下，会产生一行偏红，一行偏绿的现象。因为在偏绿行，绿色像素同极性进行充电，红色像素是从公共电压进行充电，所以绿色像素充电更好；偏红行，红色像素同极性充电，绿色像素从公共电压进行充电，红色像素充电更好。正因为这种像素充电差异，导致了画面显示不良。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置，能够防止显示装置产生画面显示不均。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种像素结构，包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，所述像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。进一步地，所述像素区域还设置有第二薄膜晶体管，每行像素区域的第二薄膜晶体管的栅极与对应行栅线连接，源极与对应列的数据线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接。进一步地，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极同层同材料设置。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，包括如上所述的像素结构。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置的工作方法，应用于如上所述的显示装置，所述工作方法包括：向N行栅线逐行输入栅极扫描信号，在向第k行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管打开，将第k+1行像素区域的像素电极的电压置为公共电压。进一步地，所述工作方法还包括：在向第k+1行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第二薄膜晶体管打开，第k+1行像素区域的像素电极从公共电压开始进行充电。本专利技术实施例还提供了一种像素结构的制作方法，所述像素结构包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，所述制作方法包括：在每一像素区域制作第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。进一步地，所述制作方法还包括：在每一像素区域制作第二薄膜晶体管，每行像素区域的第二薄膜晶体管的栅极与对应行栅线连接，源极与对应列的数据线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接。进一步地，所述制作方法包括：通过一次构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极；通过一次构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层；通过一次构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极；通过一次构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在每一像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，这样当第k行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管打开，将第k+1行像素区域的像素电极的电压置为公共电压，第k+1行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的像素电极可以从公共电压开始进行充电，通过该种像素结构设计，可以使得所有像素区域的像素电极均是从公共电压开始进行充电，可以完全改善因像素之间充电差异造成的画面显示不良，提高显示装置的显示品质。附图说明图1和图2为现有像素结构的示意图；图3为本专利技术实施例像素结构的示意图；图4为本专利技术实施例栅线上的栅极扫描信号的波形示意图。附图标记R红色像素G绿色像素B蓝色像素C像素电极TFT1第一薄膜晶体管TFT2第二薄膜晶体管具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。TFT-LCD显示行业中，由于像素架构的设计和电路驱动方式等因素，会使得液晶显示器在显示某些画面时存在像素充电差异，从而产生画面显示不均。像素从负电压→负电压充电，或者从正电压→正电压充电时，充电较好；像素从负电压→正电压充电，从正电压→负电压充电时或者从公共电压(Vcom电压)→正电压充电，从公共电压→负电压充电时，充电较差，从而产生画面显示不均。以49UHD产品为例，49UHD产品的像素结构如图1所示，其中，R为红色像素，G为绿色像素，B为蓝色像素，电路驱动方式如图2所示，从图2中可以分析得出，在黄色画面下，会产生一行偏红，一行偏绿的现象，其中A区域产生偏红现象，B区域产生偏绿现象。因为在偏绿行，G像素同极性进行充电，R像素是从Vcom电压进行充电，所以G像素充电更好；偏红行，R像素同极性充电，G像素从Vcom电压进行充电，R像素充电更好，正因为这种像素充电差异，导致了画面显示不良。为了解决上述问题，本专利技术的实施例提供一种像素结构及其制作方法、显示基板、显示装置，能够防止显示装置产生画面显示不均。本专利技术实施例提供一种像素结构，包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，所述像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。本实施例中，在每一像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，这样当第k行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管打开，将第k+1行像素区域的像素电极的电压置为公共电压，第k+1行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的像素电极可以从公共电压开始进行充电，通过该种像素结构设计，可以使得所有像素区域的像素电极均是从公共电压开始进行充电，可以完全改善因像素之间充电差异造成的画面显示不良，提高显示装置的显示品质。进一步地，所述像素区域还设置有第二薄膜晶体管，每行像素区域的第二薄膜晶体管的栅极与对应行栅线连接，源极与对应列的数据线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接。这样当第k+1行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第二薄膜晶体管打开，第k+1行像素区域的像素电极开始进行充电。进一步地，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的漏极与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，其特征在于，所述像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括N行栅线和由所述N行栅线限定出的N行像素区域，其特征在于，所述像素区域设置有第一薄膜晶体管，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管的栅极与第k行栅线连接，源极与公共电极线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接，其中，N为大于2的整数，k为正整数且小于N。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素区域还设置有第二薄膜晶体管，每行像素区域的第二薄膜晶体管的栅极与对应行栅线连接，源极与对应列的数据线连接，漏极与所在像素区域的像素电极连接。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极同层同材料设置；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极同层同材料设置。4.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的像素结构。5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4所述的显示基板。6.一种显示装置的工作方法，其特征在于，应用于如权利要求5所述的显示装置，所述工作方法包括：向N行栅线逐行输入栅极扫描信号，在向第k行栅线输入栅极扫描信号时，第k+1行像素区域的第一薄膜晶体管打开，将第k+1行像素区域的像素电极的电压置为公共电压。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：邓鸣，梁利生，孙志华，刘文亮，赵雅楠，朱思彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11