显影方法以及金属层的图形化处理方法技术

本发明专利技术提供了一种显影方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。

Development method and graphic processing method of metal layer

The invention provides a developing method, which comprises the following steps: providing a substrate with a first photoresistive layer after exposure, the first photoresistive layer having an exposed region and an unexposed region, uniformly coating a developer on the first photoresistive layer to form a first developer layer, and the first development: The first developer layer reacts partially with the first photoresist layer to complete the first development and forms a second photoresist layer on the substrate, a photoresist/developer opacity layer on the second photoresist layer, and a second developer layer on the photoresist/developer mixture layer; the second developer: scrapes the second developer layer, and The photoresistive/developing opacity layer on the exposed area and the unexposed area is mixed, and the mixed photoresistive/developing opacity layer continues to react with the second photoresistive layer for a second development; the remaining developing fluid on the substrate is removed after the second development is completed.

【技术实现步骤摘要】
显影方法以及金属层的图形化处理方法
本专利技术涉及液晶显示领域，具体涉及一种显影方法以及金属层的图形化处理方法。
技术介绍
现有技术中，由于在显影时已曝光区域的光阻层和未曝光区域的光阻层在显影液的溶解度不相同，导致显影时存在一定的显影液浪费，不能有效避免因图形设计导致的显影不均。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种显影方法以及金属层的图形化处理方法，具有提高显影液的利用率以及优化显影均匀性的有益效果。本专利技术实施例提供一种显影方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。在本专利技术所述的显影方法中，采用刮条来刮除所述第二显影液层。在本专利技术所述的显影方法中，在第二次显影中采用刮条刮除该第二显影液层之后，震动该基板，进一步增强已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层的混合度。在本专利技术所述的显影方法中，所述基板上设置有金属层，所述第一光阻层设置于所述金属层上。在本专利技术所述的显影方法中，所述第一光阻层的厚度为1.5um。在本专利技术所述的显影方法中，所述基板在显影过程中处于传送状态。一种金属层的图形化处理方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板上设置有金属沉积层；在所述金属沉积层上设置第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光处理，以形成已曝光区域以及未曝光区域，所述已曝光区域形成目标图形；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液；对完成显影后，进行刻蚀，以除去未被第二光阻层覆盖的金属层。在本专利技术所述的金属层的图形化处理方法中，采用刮条来刮除所述第二显影液层。在本专利技术所述的金属层的图形化处理方法中，在第二次显影中采用刮条刮除该第二显影液层之后，震动该基板，进一步增强已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层的混合度。在本专利技术所述的金属层的图形化处理方法中，所述第一光阻层的厚度为1.5um。由上可知，本专利技术通过提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液；完成对基板的显影操作，具有提高显影液的利用率以及优化显影均匀性的有益效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一些实施例中的显影方法的流程示意图。图2为本专利技术一些实施例中的第一光阻层的结构示意图。图3-图5为本专利技术一些实施例中的显影方法的详细流程示意图。图6为本专利技术一些实施例中的金属层的图形化处理方法的流程示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1，图1是本专利技术一些实施例中的显影方法的流程图，该显影方法包括以下步骤：S101、提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域。S102、在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层。S103、第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显影方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。

【技术特征摘要】
1.一种显影方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层，所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域；在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层；第一次显影：所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影，并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层；第二次显影：刮除所述第二显影液层，并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合，混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影；第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，采用刮条来刮除所述第二显影液层。3.根据权利要求2所述的显影方法，其特征在于，在第二次显影中采用刮条刮除该第二显影液层之后，震动该基板，进一步增强已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层的混合度。4.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述基板上设置有金属层，所述第一光阻层设置于所述金属层上。5.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述第一光阻层的厚度为1.5um。6.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述基板在显影过程中处于传送状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：易天华，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42