用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备技术

提供了一种用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备。该显示设备位于基板上，并包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器，薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极。该方法包括：在基板上形成电极层；在电极层上形成钝化层；图案化钝化层，以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案，以及形成包括彼此平行并被插入在多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案；以及通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成第一电极和第二电极。

Method for manufacturing capacitor and display device including the capacitor

A method for manufacturing a capacitor and a display device including the capacitor are provided. The display device is located on a substrate and comprises a thin film transistor, a display device connected to the thin film transistor, and a capacitor. The thin film transistor comprises an active layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode. The method comprises the following steps: forming an electrode layer on a substrate; forming a passivation layer on the electrode layer; forming a pattern passivation layer to form a first pattern including a plurality of first branching patterns parallel to each other, and forming a second pattern including a plurality of second branching patterns parallel to each other and inserted between the plurality of first branching patterns; The first electrode and the second electrode are formed by using the first pattern and the second pattern as a mask etching electrode layer.

【技术实现步骤摘要】
用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备相关专利申请的交叉引用本申请要求2013年1月31日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0011497的优先权和权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。
本专利技术的各方面涉及用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备。
技术介绍
具有液体和固体之间的属性的液晶被通常使用于液晶显示设备中。这样的液晶显示设备基于使液晶分子的排列根据施加到其上的外部电场而变化的电特性和诸如液晶元件的双折射、旋光性和光散射的光特性工作。作为自发光显示设备的有机发光显示设备不需要单独的光源，因此，可以在低电压下驱动，并且很容易被制造的较薄。此外，因为有机发光显示设备的高分辨率特性，如更大的视角、更好的对比度和更快的响应速率，它们作为下一代显示器件已引起人们的注意。诸如液晶显示设备或有机发光显示设备的显示设备包括例如用于电源和信号处理的各种类型布线和电容器。此外，由于各种需求，在显示设备中使用小尺寸的电容器的需求不断增加。
技术实现思路
本专利技术的方面提供了制造电容器的方法和包括该电容器的显示设备。根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造显示设备的电容器的方法，显示设备位于基板上，并包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，该方法包括：在基板上形成电极层；在电极层上形成钝化层；图案化钝化层，以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案，并形成包括彼此平行并被插入在多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案；通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成电容器的第一电极和第二电极。该方法可以进一步包括在蚀刻所述电极层之前，在包括第一图案和第二图案的钝化层的部分区域上形成光致抗蚀剂。钝化层的形成有光致抗蚀剂的部分区域可以对应于薄膜晶体管的有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个。形成第一电极和第二电极可以包括：通过使用光致抗蚀剂作为掩膜蚀刻电极层来形成有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个；以及通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成第一电极和第二电极。蚀刻电极层可以包括：通过使用第一图案作为掩膜蚀刻电极层来形成包括彼此平行的多个第一分支电极的第一电极；以及通过使用第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成包括彼此平行的多个第二分支电极的第二电极。形成第一电极和形成第二电极可以在同一工艺中被执行。根据一个实施例，多个第一分支电极与多个第二分支电极呈交指型。第一电极和第二电极可以彼此间隔开。该方法可以进一步包括在第一电极和第二电极之间的间隙中形成绝缘层。钝化层的第一图案可以位于第一电极上，钝化层的第二图案可以位于第二电极上。蚀刻电极层可以通过干蚀刻法被执行。图案化钝化层可以包括：在钝化层上形成聚合物层；图案化聚合物层；通过使用经图案化的聚合物层作为掩膜蚀刻钝化层来形成第一图案和第二图案。图案化聚合物层可以包括：通过使用加压构件加压并硬化聚合物层，加压构件包括朝聚合物层突出的凸图案和由于凸图案而凹陷的凹图案；以及通过移除在对应于加压构件的凸图案的位置剩余的剩余聚合物层在聚合物层中形成精细图案。形成精细图案可以包括通过使用等离子移除剩余聚合物层。通过蚀刻钝化层形成第一图案和第二图案可以通过干蚀刻法被执行。电极层由与形成有源层、栅电极、以及源电极和漏电极的材料中的任意一种相同的材料形成。根据一个实施例，提供了一种制造显示设备的电容器的方法，该显示设备位于基板上，并包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，该方法包括：在基板上形成电极层；在电极层上形成钝化层；图案化钝化层，以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案，并形成包括彼此平行并与多个第一分支图案呈交指型的多个第二分支图案的第二图案；在包括第一图案和第二图案的钝化层的部分区域上形成光致抗蚀剂；通过使用光致抗蚀剂与第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层，以与有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个相同的材料并在相同的层中形成第一电极和第二电极。根据一个实施例，提供了一种包括由本专利技术的方法制造的电容器的显示设备。第一电极可以包括彼此平行的多个第一分支电极；第二电极可以被形成在与第一电极相同的层中，并可以包括彼此平行的多个第二分支电极；多个第一分支电极和多个第二分支电极可以呈交指型。电容器可以以与有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个相同的材料并在相同的层中被形成。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施例，本专利技术的上述和其它特征和方面将变得更明显，附图中：图1是示出了根据本专利技术的一个实施例的显示设备的示意性剖视图；图2是示出了图1的电容器的俯视图；图3是示意性地示出了根据本专利技术实施例的用于制造显示设备的电容器的方法的流程图；图4是示出了根据图3的操作S10和S20的加工状态的剖视图；图5A和图5C至图5F是示出了根据图3的操作S30的加工状态的剖视图；图5B是示出了在操作S30中使用的加压构件的下表面的透视图；图5G是图5F的透视图；图6和图7是示出了根据图3的操作S40的加工状态的剖视图；图8是示出了根据图3的操作S50的加工状态的剖视图；图9是示出了根据图3的操作S60的加工状态的剖视图；和图10是示出了根据图3的操作S70的加工状态的剖视图。具体实施方式本专利技术并不局限于本说明书中描述的实施例，因此，应当理解，本专利技术包括由本专利技术的精神和范围覆盖的各种变化、替代或等同方案。并且，在描述实施例时，可能省略了可能减少本专利技术的实施例的要点的清楚性的关于公知的功能或结构的详细说明。并且，尽管诸如“第一”或“第二”的术语被用来描述本专利技术的各个实施例中的各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分并不受这些术语限制。这里使用的专门名词仅仅是为了解释特定的实施例，而不是为了限制本专利技术。如这里所使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文有明确的相反指示。可以进一步理解，如本申请文件中使用的术语“包括”指定存在所提到的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或增加一个或更多其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括所涉及的列出项目中的一个或多个的任意和全部组合。当在一系列元件前之后时，诸如“中的至少一个”的表述修饰了整个系列的元件，而不是修饰该系列中的个别元件。在图中，为了清楚起见，可能放大了层和区域的厚度。还将理解，在整个申请文件中，当诸如层、区域或基板的一个元件被称为在另一个元件“上”时，它可以直接位于另一个元件上，或者它们之间也可以插入一个或更多中间元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括所涉及的列出项目中的一个或多个的任意和全部组合。图1是示出根据本专利技术的一个实施例的显示设备的示意性剖视图。图2是示出了图1的电容器的俯视图。图1的显示设备被显示为有机发光显示设备，然而，实施例不限于此，并且可以适用于其他类型的显示设备，如液晶显示设备。参考图1，显示设备可包括形成在基板110上的显示元件D、形成在晶体管区TA并驱动显示元件D的薄膜晶体管TFT、以及形成在存储区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造显示设备的电容器的方法，所述显示设备位于基板上，并且所述显示设备包括薄膜晶体管、所述电容器以及电连接到所述薄膜晶体管的显示器件，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，该方法包括：在所述基板上形成电极层；在所述电极层上形成钝化层；图案化所述钝化层，以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案，以及形成包括彼此平行并被插入在所述多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案；以及通过使用所述第一图案和所述第二图案作为掩膜蚀刻所述电极层，以与所述有源层、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的任意一个在相同的层中形成所述电容器的第一电极和第二电极；其中所述第一图案和所述第二图案包括无机材料。

【技术特征摘要】
2013.01.31 KR 10-2013-00114971.一种制造显示设备的电容器的方法，所述显示设备位于基板上，并且所述显示设备包括薄膜晶体管、所述电容器以及电连接到所述薄膜晶体管的显示器件，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，该方法包括：在所述基板上形成电极层；在所述电极层上形成钝化层；图案化所述钝化层，以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案，以及形成包括彼此平行并被插入在所述多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案；以及通过使用所述第一图案和所述第二图案作为掩膜蚀刻所述电极层，以与所述有源层、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的任意一个在相同的层中形成所述电容器的第一电极和第二电极；其中所述第一图案和所述第二图案包括无机材料。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在蚀刻所述电极层之前，在包括所述第一图案和所述第二图案的所述钝化层的部分区域上形成光致抗蚀剂。3.如权利要求2所述的方法，其中所述钝化层的形成有所述光致抗蚀剂的所述部分区域对应于所述薄膜晶体管的所述有源层、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的任意一个。4.如权利要求2所述的方法，其中形成第一电极和第二电极包括：通过使用所述光致抗蚀剂作为掩膜蚀刻所述电极层，来形成所述有源层、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的任意一个；和通过使用所述第一图案和所述第二图案作为掩膜蚀刻所述电极层，来形成所述第一电极和所述第二电极。5.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述电极层包括：通过使用所述第一图案作为掩膜蚀刻所述电极层，来形成包括彼此平行的多个第一分支电极的所述第一电极；和通过使用所述第二图案作为掩膜蚀刻所述电极层，来形成包括彼此平行的多个第二分支电极的所述第二电极。6.如权利要求5所述的方法，其中形成所述第一电极和形成所述第二电极在同一工艺中被执行。7.如权利要求5所述的方法，其中所述多个第一分支电极与所述多个第二分支电极呈交指型。8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开。9.如权利要求8所述的方法，进一步包括在所述第一电极和所述第二电极之间的间隙中形成绝缘层。10.如权利要求1所述的方法，其中所述钝化层的所述第一图案位于所述第一电极上，并且所述钝化层的所述第二图案位于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛民，金武谦，徐泰安，赵国来，李大荣，南重建，张大焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR