信号切换电路及前端电路制造技术

一种信号切换电路，用于切换射频信号至不同的通道，信号切换电路包括：第一电容，第一电感，第一支路及第二支路。其中，第一电容的第一端作为输入端。第一电感的第一端电连接第一电容的第一端，第一电感的第二端电连接接地端。第一支路电连接第一电容的第二端，用于导通输入端和第一输出端。第二支路电连接第一电容的第二端，用于导通输入端和第二输出端。本发明专利技术还公开了一种前端电路。本发明专利技术提供的信号切换电路及前端电路，通过电阻、电感及电容构成的电路来代替专用的分离器以实现对输入信号的分离并输出，节省了开发成本。

【技术实现步骤摘要】
信号切换电路及前端电路
本专利技术涉及信号处理电路，尤其涉及一种信号切换电路及前端电路。
技术介绍
在机顶盒(SetTopBox)的前端电路中，需构建切换电路切换信号，以使得前端电路中的信号可以在不同时段切换至不同的电路中传输。目前，需使用一种专门用于切换信号的切换器件，然而，该控制器的单价偏高，使得机顶盒的开发成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种信号切换电路及前端电路，以降低开发成本。本专利技术实施方式提供的一种信号切换电路，用于切换射频信号至不同的通道，信号切换电路包括：第一电容，第一电感，第一支路及第二支路。其中，第一电容的第一端作为输入端。第一电感的第一端电连接第一电容的第一端，第一电感的第二端电连接接地端。第一支路电连接第一电容的第二端，用于导通输入端和第一输出端。第二支路电连接第一电容的第二端，用于导通输入端和第二输出端。优选地，第一支路包括：第一电阻，第二电阻，N沟道JFET(JunctionFieldEffectTransistor，结型场效应管)，第二电感及直流电源。N沟道JFET的栅极电连接第一电阻的第一端，漏极电连接第一电容的第二端和第二电阻的第一端，源极作为第一输出端。第二电感的第一端电连接第二电阻的第二端。直流电源的正极电连接第一电阻的第二端和第二电感的第二端，直流电源的负极电连接接地端。优选地，当直流电源断电不供电时，漏极与源极导通，输入端与第一输出端导通，射频信号从第一支路输出；当直流电源上电供电时，漏极与源极不导通，射频信号从第二支路输出。优选地，第二支路包括：二极管，第二电容，第三电阻，第三电感及第四电感。二极管的阳极电连接第一电容的第二端。第二电容的第一端电连接二极管的阴极，第二电容的第二端作为第二输出端。第三电阻的第一端电连接二极管的阴极。第三电感电连接于第三电阻的第二端和地之间。第四电感电连接于第二电容的第二端和地之间。本专利技术还提供了一种前端电路，前端电路包括：双工器，低噪声放大器，第一片上系统(System-on-a-Chip，SOC)，第二片上系统(System-on-a-Chip，SOC)及上述的信号切换电路。低噪声放大器与双工器电连接，第一片上系统用于处理高清数字信号，第二片上系统与第一片上系统电连接，用于对射频信号进行调制、解调及混频处理上述的信号切换电路及前端电路，通过电阻、电感及电容构成的电路来代替专用的分离器以实现对输入信号的分离并输出，节省了开发成本。附图说明图1为本专利技术前端电路一实施方式的架构图。图2为本专利技术信号切换电路一实施方式的电路图。图3为本专利技术信号切换电路一实施方式的散射参数测量图。图4为本专利技术信号切换电路一实施方式的散射参数测量图。图5为本专利技术信号切换电路一实施方式的隔离度测量图。主要元件符号说明切换开关S第一片上系统S1第二片上系统S2信号接入端IN输入端IN1双工器Dip低噪声放大器LNA信号切换电路SW输出端OUT第一输出端OUT1第二输出端OUT2直流电源V第一支路B1第二支路B2第一电容C1第二电容C2第一电感L1第二电感L2第三电感L3第四电感L4第一电阻R1第二电阻R2第三电阻R3二极管D如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，图1为本专利技术前端电路第一实施方式的架构图。在本实施方式中，前端电路用于信号处理，包括双工器Dip，低噪声放大器LNA，第一片上系统(System-on-a-Chip，SOC)S1，第二片上系统S2及信号切换电路SW。其中，双工器Dip将发射信号和接收信号相隔离，保证接收信道和发射信道都能同时正常工作，因此当接收信号从信号接入端IN输入至前端电路时，并不会对双工器Dip的发射信号造成干扰。低噪声放大器LNA，用于放大接收到的微弱射频信号，并尽可能减小放大器自身的噪声对射频信号的干扰，以提高输出信号的信噪比。第一片上系统S1集成了全频段捕捉技术和视频服务技术，能够进行高清数字信号的处理，主要可以运用于高清数字有线机顶盒的数据处理。第一片上系统S2为符合DOCSIS(DataOverCableServiceInterfaceSpecifications，有线电缆数据服务接口规范)2.0标准的芯片，主要用于进行射频信号的调制、解调及混频等处理，频宽可以达到1赫兹(GHz)。在本实施方式中，可以使用型号为BCM7584的芯片作为第一片上系统S1，可以使用型号为BCM3308的芯片作为第一片上系统S2。信号切换电路SW主要用于切换射频信号至不同的信号处理路径。射频信号从信号接入端IN输入至前端电路中，通过信号切换电路SW的切换，射频信号可以通过依次电连接的双工器Dip，低噪声放大器LNA及信号切换电路SW所形成的第一路径到达输出端OUT，射频信号也可以通过依次电连接的双工器Dip，低噪声放大器LNA，信号切换电路SW及第一片上系统S1所形成的第二路径到达输出端OUT。且射频信号在第二路径传输的过程中，第一片上系统S1和第一片上系统S2将进行射频信号的数据沟通和数据处理，然后经由第一片上系统S1传输信号至输出端OUT，以输出处理后的信号。或者在第一片上系统S1和第一片上系统S2进行射频信号数据沟通和数据处理后，经由第一片上系统S2及双工器Dip上传信号至信号接入端IN，以将处理后的信号传输出去。请参阅图2，图2为本专利技术信号切换电路SW一实施方式的电路图。在本实施方式中，信号切换电路SW包括第一电感L1，第一电容C1，第一支路B1和第二支路B2。第一电容C1的第一端作为输入端IN1，通过第一电容C1电连接至第一支路B1和第二支路B2。输入端IN1电连接至低噪声放大器LNA，且输入端IN1通过第一电感L1接地，在本文所描述的接地可以指电连接至特定电路或产品的接地端，也可以指电连接至公共地，在此不做限定。第一支路B1包括切换开关S，第一电阻R1，第二电阻R2，第二电感L2及直流电源V。其中，在本实施方式中，切换开关S为N沟道JFET(JunctionFieldEffectTransistor，结型场效应管)。在其他实施方式中，切换开关S亦可使用其他切换元件实现切换的功能，如使用其他类型的场效应管作为切换开关。在本实施方式中，切换开关S(即N沟道JFET)的栅极电连接第一电阻R1的第一端，N沟道JFET的漏极电连接第一电容C1的第二端和第二电阻R2的第一端，N沟道JFET的源极作为信号切换电路SW的第一输出端OUT1。第二电阻R2的第二端电连接第二电感L2的第一端，第一电阻R1的第二端和第二电感L2的第二端皆电连接直流电源V的正极。直流电源V的负极接地。第二支路B2包括二极管D，第二电容C2，第三电阻R3，第三电感L3和第四电感L4。二极管D的阳极电连接第一电容C1的第二端，二极管D的阴极电连接第二电容C2的第一端和第三电阻R3的第一端。第三电阻R3的第二端通过第三电感L3接地。第二电容C2的第二端作为信号切换电路SW的第二输出端OUT2，且第二电容C2的第二端通过第四电感L4接地。在本实施方式中，射频信号进入信号切换电路SW，经过滤波等处理后才输出处理后的信号。信号切换电路SW的切换动作，由直流电源V直接实施控制，从而切换开关得以控制第一支路和第二支路的相应导通，以从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号切换电路，用于切换射频信号至不同的通道，其特征在于，所述信号切换电路包括：第一电容，第一端作为输入端；第一电感，第一端电连接所述第一电容的第一端，第二端电连接接地端；第一支路，电连接所述第一电容的第二端；及第二支路，电连接所述第一电容的第二端；其中，所述第一支路包括切换开关，所述切换开关用于控制所述第一支路和所述第二支路的导通，以从不同的支路输出所述射频信号。

【技术特征摘要】
1.一种信号切换电路，用于切换射频信号至不同的通道，其特征在于，所述信号切换电路包括：第一电容，第一端作为输入端；第一电感，第一端电连接所述第一电容的第一端，第二端电连接接地端；第一支路，电连接所述第一电容的第二端；及第二支路，电连接所述第一电容的第二端；其中，所述第一支路包括切换开关，所述切换开关用于控制所述第一支路和所述第二支路的导通，以从不同的支路输出所述射频信号。2.如权利要求1所述的信号切换电路，其特征在于，所述第一支路还包括：第一电阻；第二电阻；第二电感，第一端电连接所述第二电阻的一端；及直流电源，正极电连接所述第一电阻的第二端和所述第二电感的第二端，负极电连接接地端。3.如权利要求2所述的信号切换电路，其特征在于，所述切换开关为N沟道JFET(JunctionFieldEffectTransistor，结型场效应管)，所述切换开关的栅极电连接所述第一电阻的第一端，漏极电连接所述第一电容的第二端和所述第二电阻的另一端，源极作为所述第一输出端。4.如权利要求3所述的信号切换电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昭和，
申请(专利权)人：国基电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31