【技术实现步骤摘要】
双电容底滤波器的设计方法与双电容底滤波器
本专利技术涉及滤波器,尤其涉及具有设计过的电容与传输线的滤波器。
技术介绍
于电路设计中,一个或多个电容常被用来耦接于电源/接地走线(power/groundtrace)的一传输线与一接地端之间,借此滤除噪声,然而,由于电容特性与传输线特性之间的相互关系未被特定,这样的电路设计仰赖过往经验,并通常只适合工作于一低频频带(例如:数百MHz)或提供一狭窄的滤波频宽。
技术实现思路
鉴于现有技术的问题,本专利技术的一目的在于提供一种双电容底(two-capacitor-based)滤波器的设计方法与一双电容底滤波器,借此改善现有技术。本专利技术的双电容底滤波器的设计方法的一实施例包含下列步骤:决定一参考频率与一比例,该参考频率位于一滤波频宽的一部分内,该比例是该滤波频宽的该部分与该滤波频宽的比例;依据该参考频率与该比例选择一第一电容与一第二电容,其中该第一电容的一共振频率等于该参考频率减去该参考频率乘以该比例的N倍,该第二电容的一共振频率等于该参考频率加上该参考频率乘以该比例的M倍,该N与该M的每一个为一不大于1的正数;以及依据该第一电容的该共振频率与一信号传输速度来决定一第一传输线的长度,并依据该第二电容的该共振频率与该信号传输速度来决定一第二传输线的长度,其中该第一电容耦接于该第一传输线的中央与一电位端之间,该第二电容耦接于该第二传输线的中央与该电位端之间,该第一传输线耦接于一信号输入端与该第二传输线之间,该第二传输线耦接于该第一传输线与一信号输出端之间或者该第二传输线耦接于该第一传输线与另一传输线之间。本专利技术的双电 ...
【技术保护点】
1.一种双电容底滤波器的设计方法,包含下列步骤:决定一参考频率与一比例,该参考频率位于一滤波频宽的一部分内,该比例是该滤波频宽的该部分与该滤波频宽的比例;依据该参考频率与该比例选择一第一电容与一第二电容,其中该第一电容的一共振频率等于该参考频率减去该参考频率乘以该比例的N倍,该第二电容的一共振频率等于该参考频率加上该参考频率乘以该比例的M倍,该N与该M的每一个为一不大于1的正数;以及依据该第一电容的该共振频率与一信号传输速度来决定一第一传输线的长度,并依据该第二电容的该共振频率与该信号传输速度来决定一第二传输线的长度,其中该第一电容耦接于该第一传输线的中央与一电位端之间,该第二电容耦接于该第二传输线的中央与该电位端之间,该第一传输线耦接于一信号输入端与该第二传输线之间,该第二传输线耦接于该第一传输线与一信号输出端之间或者该第二传输线耦接于该第一传输线与一第三传输线之间。
【技术特征摘要】
2017.03.22 US 15/466,1591.一种双电容底滤波器的设计方法,包含下列步骤:决定一参考频率与一比例,该参考频率位于一滤波频宽的一部分内,该比例是该滤波频宽的该部分与该滤波频宽的比例;依据该参考频率与该比例选择一第一电容与一第二电容,其中该第一电容的一共振频率等于该参考频率减去该参考频率乘以该比例的N倍,该第二电容的一共振频率等于该参考频率加上该参考频率乘以该比例的M倍,该N与该M的每一个为一不大于1的正数;以及依据该第一电容的该共振频率与一信号传输速度来决定一第一传输线的长度,并依据该第二电容的该共振频率与该信号传输速度来决定一第二传输线的长度,其中该第一电容耦接于该第一传输线的中央与一电位端之间,该第二电容耦接于该第二传输线的中央与该电位端之间,该第一传输线耦接于一信号输入端与该第二传输线之间,该第二传输线耦接于该第一传输线与一信号输出端之间或者该第二传输线耦接于该第一传输线与一第三传输线之间。2.如权利要求1所述的方法,进一步包含:检测该滤波频宽的该部分内一输入信号的一馈入损失是否满足一预设条件;以及若该馈入损失不满足该预设条件,减少该比例以重新选择该第一电容与该第二电容并重新决定该第一传输线的长度与该第二传输线的长度,其中该输入信号的一传输速度为该信号传输速度。3.如权利要求1所述的方法,其中决定该第一传输线的长度与该第二传输线的长度的步骤包含:将该信号传输速度的四分之一除以该第一电容的该共振频率以决定该第一传输线的长度;以及将该信号传输速度的四分之一除以该第二电容的该共振频率以决定该第二传输线的长度。4.如权利要求3所述的方法,其中该第一传输线的长度小于该信号传输速度的四分之一除以该第一电容的该共振频率,以及该第二传输线的长度小于该信号传输速度的四分之一除以该第二电容的该共振频率。5.如权利要求1所述的方法,其中该参考频率大于1GHz及/或该滤波频宽的该部分内的一最小频率大于1GHz。6.如权利要求1所述的方法,进一步包含下列步骤:决定一第二参考频率与一第二比例,该第二参考频率位于一第二滤波频宽的一部分内,该第二比例是该第二滤波频宽的该部分与该第二滤波频宽的比例;依据该第二参考频率与该第二比例选择一第三电容,其中该第二电容的该共振频率等于该第二参...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈柏均,吴瑞北,吴亭莹,王文山,周格至,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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