一种改善OLED像素缺陷的结构及方法技术

本发明专利技术涉及显示器技术领域，尤其涉及一种改善OLED像素缺陷的结构及方法，通过在OLED像素定义层上制作侧壁与底部之间的夹角大于90°的间隔物，以在OLED材料蒸镀时，在间隔物与像素定义层之间生成不连续的膜层；进而在入侵的水气与间隔物上刮伤的材料发生反应时，该反应会停止于镀膜不连续的区域，进而防止缺陷扩大，减小RA失效的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种改善OLED像素缺陷的结构及方法
本专利技术涉及显示器
，尤其涉及一种改善OLED像素缺陷的结构及方法。
技术介绍
OLED即有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。目前，一般OLED像素定义层(pixeldefinelayer，简称PDL)上会制作间隔物(Spacer，简称SP)，其主要目的为防止OLED材料蒸镀时，精细金属掩模(FineMetalMask，简称FMM)与像素直接接触，导致像素刮伤产生缺陷(Defect)。然而虽然由于间隔物的存在，FMM不会直接刮伤像素，但间隔物上的材料还是会被刮伤，而间隔物上若有刮伤会使得材料表面不平整，遇上较具活性的蒸镀材料(例如：Mg，Yb)，会导致水气入侵，直接伤害到像素，生成缺陷，进而导致RA(ReliabilityAnalysisTest，可靠度分析测试)失效，这是本领域技术人员所不期望见到的。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开了一种改善OLED像素缺陷的结构，其中，包括：衬底；若干像素定义层，设置于所述衬底之上；间隔物，设置于所述像素定义层上，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°；以及OLED材料层，设置于所述衬底、所述像素定义层以及所述间隔物的上表面，且所述OLED材料层在所述间隔物和所述像素定义层之间呈现非连续断面。上述的改善OLED像素缺陷的结构，其中，所述间隔物的横截面形状为倒等腰梯形。上述的改善OLED像素缺陷的结构，其中，所述OLED材料层包括若干发光单元和共通层；所述发光单元设置于相邻所述像素定义层之间；所述共通层设置于所述发光单元、所述像素定义层和所述间隔物的表面。上述的改善OLED像素缺陷的结构，其中，所述若干发光单元发射至少包括分别用以发射三种不同颜色的光的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。上述的改善OLED像素缺陷的结构，其中，所述共通层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层设置于所述衬底之上；所述空穴传输层设置于所述空穴注入层和所述若干发光单元之间；所述电子传输层设置于所述若干发光单元和所述电子注入层之间；以及所述阴极设置于所述电子注入层之上。还提出了一种改善OLED像素缺陷的方法，其中，包括：提供一衬底；于所述衬底之上形成若干像素定义层；于所述像素定义层之上形成间隔物，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°；以及继续于所述衬底之上蒸镀OLED材料层，且所述OLED材料层在所述间隔物和所述像素定义层之间的区域有间断。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，制备所述间隔物的截面呈上大下小的倒等腰梯形。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，所述方法中，所述于所述像素定义层之上形成间隔物，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°的步骤包括：于所述衬底和所述像素定义层之上涂布负型光阻材料；利用掩膜板对所述负型光阻材料进行曝光、显影以形成所述间隔物。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，利用精密金属掩膜板于所述衬底之上蒸镀OLED材料层。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，所述于所述衬底之上蒸镀OLED材料层的步骤包括：于所述衬底、所述像素定义层和所述间隔物的上表面蒸镀形成第一共通层；于所述第一共通层之上制备若干发光单元，且各所述发光单元通过所述像素定义层予以隔离；以及于所述若干发光单元的上表面形成第二共通层，其中所述第二共通层将所述第一共通层裸露的上表面予以覆盖，所述第一共通层、所述若干发光单元以及所述第二共通层形成所述OLED材料层。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，制备所述多个发光单元发射至少包括分别用以发射三种不同颜色的光的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。上述的改善OLED像素缺陷的方法，其中，制备所述第一共通层包括空穴注入层和位于所述空穴注入层之上的空穴传输层；制备所述第二共通层包括电子传输层、位于所述电子传输层之上的电子注入层以及位于电子注入层之上的阴极。上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术公开了一种改善OLED像素缺陷的结构及方法，通过在OLED像素定义层上制作侧壁与底部之间的夹角大于90°的间隔物，以在OLED材料蒸镀时，在间隔物与像素定义层之间生成不连续的膜层；进而在入侵的水气与间隔物上刮伤的材料发生反应时，该反应会停止于镀膜不连续的区域，进而防止缺陷扩大，减小RA失效的风险。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是本专利技术实施例中改善OLED像素缺陷的结构的示意图；图2是本专利技术实施例中改善OLED像素缺陷的方法流程图；图3～7是本专利技术实施例中改善OLED像素缺陷的方法流程结构示意图；图8是本专利技术实施例中OLED材料层的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。实施例一：如图1所示，本实施例涉及一种改善OLED像素缺陷的结构，具体的，该结构包括：衬底1、设置于衬底1之上的若干像素定义层2、设置于像素定义层2上的间隔物3以及设置于衬底1、像素定义层2以及间隔物3的上表面的OLED材料层4；其中间隔物3的侧壁与间隔物3的底部之间的夹角大于90°，OLED材料层4在间隔物3和像素定义层2之间的区域5有间断，呈现非连续断面，即OLED材料层4在间隔物3和像素定义层2之间的区域5膜层不连续，进而在入侵的水气与间隔物3上刮伤的材料发生反应时，该反应会停止于镀膜不连续的区域，进而防止缺陷扩大，减小RA失效的风险。在本专利技术一个可选的实施例中，上述间隔物3的横截面形状为倒等腰梯形。在本专利技术一个可选的实施例中，上述间隔物3为负型光阻，且间隔物3的尺寸只要不遮挡该结构的发光区即可。在本专利技术一个可选的实施例中，上述OLED材料层4包括若干发光单元和共通层(Commonlayer)；该发光单元设置于相邻像素定义层2之间；共通层设置于发光单元、像素定义层2和间隔物3的表面；即仅共通层会镀膜在间隔物上，而发光单元仅位于相邻像素定义层2之间，从而不会位于间隔物上。在本专利技术一个可选的实施例中，若干发光单元发射包括分别用以发射红光的第一发光单元、用以发射绿光的第二发光单元和用以发射蓝光的第三发光单元。在本专利技术一个可选的实施例中，上述共通层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和阴极；其中，空穴注入层设置于衬底1之上；空穴传输层设置于空穴注入层和若干发光单元之间；电子传输层设置于若干发光单元和电子注入层之间，阴极设置于电子注入层之上。实施例二：如图2所示，本实施例涉及一种改善OLED像素缺陷的方法，具体的，该方法包括如下步骤：步骤S1，提供一衬底100，可选的，该衬底100为TFT阵列基板，如图3所示的结构。步骤S2，于衬底100之上形成若干像素定义层101，如图4所示的结构。步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，包括：衬底；若干像素定义层，设置于所述衬底之上；间隔物，设置于所述像素定义层上，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°；以及OLED材料层，设置于所述衬底、所述像素定义层以及所述间隔物的上表面，且所述OLED材料层在所述间隔物和所述像素定义层之间呈现非连续断面。

【技术特征摘要】
1.一种改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，包括：衬底；若干像素定义层，设置于所述衬底之上；间隔物，设置于所述像素定义层上，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°；以及OLED材料层，设置于所述衬底、所述像素定义层以及所述间隔物的上表面，且所述OLED材料层在所述间隔物和所述像素定义层之间呈现非连续断面。2.如权利要求1所述的改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，所述间隔物的横截面形状为倒等腰梯形。3.如权利要求1所述的改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，所述OLED材料层包括若干发光单元和共通层；所述发光单元设置于相邻所述像素定义层之间；所述共通层设置于所述发光单元、所述像素定义层和所述间隔物的表面。4.如权利要求3所述的改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，所述若干发光单元发射至少包括分别用以发射三种不同颜色的光的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。5.如权利要求3所述的改善OLED像素缺陷的结构，其特征在于，所述共通层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层设置于所述衬底之上；所述空穴传输层设置于所述空穴注入层和所述若干发光单元之间；所述电子传输层设置于所述若干发光单元和所述电子注入层之间；以及所述阴极设置于所述电子注入层之上。6.一种改善OLED像素缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；于所述衬底之上形成若干像素定义层；于所述像素定义层之上形成间隔物，且所述间隔物的侧壁与所述间隔物的底部之间的夹角大于90°；以及继续于所述衬底之上蒸镀OLED材料层，且所述OLED材料层在所述间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲玮，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31