像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种像素界定层，该像素界定层包括：具有多个界定像素区域的开口的基底界定层，以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层，其中，所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。在本公开中，通过在像素界定层中基底界定层的至少一个开口的侧面上设置第一界定层，且该基底界定层和第一界定层的材料不相同，从而使该像素界定层可以更广泛地适应于不同材料形成的空穴注入层，使空穴注入层成膜更均匀，从而使有机电致发光器件的发光效率更高、器件的寿命更长。

【技术实现步骤摘要】
像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置
本专利技术的实施例涉及一种像素界定层及其制备方法、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED，OrganicLightEmittingDiode)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。有机薄膜电致发光器件中有机电致发光层形成方法包括真空蒸镀方法和溶液法。真空蒸镀方法适用于有机小分子，该有机电致发光层的形成不需要溶剂，形成的有机电致发光层薄膜的厚度均一，但是设备投资大、材料利用率低、该方法不适用于大尺寸产品的生产。溶液法包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等，该方法适用于聚合物材料和可溶性小分子，其特点是设备成本低，在大规模、大尺寸生产上优势突出。特别是喷墨打印技术，能将溶液精准的喷墨到像素区中，形成有机功能层，但是其最大的难点是有机功能层材料的溶液在像素区内难以形成厚度均一的有机功能层。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种像素界定层，该像素界定层包括：具有多个界定像素区域的开口的基底界定层，以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层，其中，所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。例如，本专利技术至少一实施例提供的像素界定层，还包括：设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第二界定层，所述基底界定层、所述第一界定层和所述第二界定层的材料互不相同。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，所述基底界定层的材料包括亲水性材料或者第一疏水性材料；所述第一界定层的材料包括第二疏水性材料；所述第二界定层的材料包括第三疏水性材料。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，所述第一疏水性材料、所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料均包括氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯或者氟化有机硅中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，当所述第一疏水性材料和所述第二疏水性材料或者所述第三疏水性材料仅氟化程度不同时，所述第一疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值小于所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，所述亲水性材料包括无机亲水性材料或者有机亲水性材料，所述无机亲水性材料包括SiO2、SiNx或者SiONx中的至少之一；所述有机亲水性材料包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或者有机硅树脂中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，去离子水在所述基底界定层上的接触角小于去离子水在所述第一界定层或者所述第二界定层上的接触角，且相差30°～90°。例如，在本专利技术至少一实施例提供的像素界定层中，所述基底界定层的厚度为3～50μm，所述第一界定层和所述第二界定层的厚度为1～3μm。本专利技术至少一实施例还提供一种有机电致发光器件，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的如上所述的像素界定层；设置在所述基底界定层的开口中的有机功能层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的有机电致发光器件中，所述有机功能层包括层叠设置的空穴注入层和有机发光层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的有机电致发光器件中，所述空穴注入层的材料包括醇类、醚类和酯类中的至少之一和聚苯胺类导电高分子或者聚噻吩类导电高分子。例如，在本专利技术至少一实施例提供的有机电致发光器件中，所述空穴注入层的材料在所述基底界定层上的接触角为0°～50°，所述空穴注入层的材料在所述第一界定层和/或所述第二界定层上的接触角为30°～90°，所述空穴注入层的材料在所述第一界定层和所述第二界定层上的接触角的差值在0°～10°之间。本专利技术至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一有机电致发光器件。本专利技术至少一实施例还提供一种像素界定层的制备方法，包括：形成具有多个界定像素区域的开口的基底界定层；在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上形成第一界定层，其中，所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。例如，本专利技术至少一实施例提供的制备方法还包括：在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上形成第二界定层，所述基底界定层、所述第一界定层和所述第二界定层的材料互不相同。本专利技术至少一实施例还提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成如上所述的任一种像素界定层；在所述基底界定层的开口中形成有机功能层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述有机功能层包括层叠设置的空穴注入层和有机发光层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述空穴注入层的材料在所述基底界定层上的接触角为0°～50°，所述空穴注入层的材料在所述第一界定层和/或所述第二界定层上的接触角为30°～90°，所述空穴注入层的材料在所述第一界定层和所述第二界定层上的接触角的差值在0°～10°之间。在本公开中，通过在像素界定层中基底界定层的至少一个开口的侧面上设置第一界定层，且该基底界定层和第一界定层的材料不相同，从而使该像素界定层可以更广泛地适应于不同材料形成的空穴注入层，使空穴注入层成膜更均匀，从而使有机电致发光器件的发光效率更高、器件的寿命更长。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为一种像素界定层的截面结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的一种像素界定层的截面结构示意图；图3为本专利技术再一实施例提供的一种像素界定层的截面结构示意图；图4为本专利技术又一实施例提供的一种像素界定层的截面结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的一种有机电致发光器件的截面结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的一种有机功能层的截面结构示意图；图7为本专利技术一实施例提供的一种显示装置的框图；图8为本专利技术一实施例提供的一种像素界定层的制备方法的流程图；图9为本专利技术一实施例提供的一种像素界定层的制备方法的过程图；图10为本专利技术一实施例提供的再一种像素界定层的制备方法的过程图。附图标记：10-像素界定层；101-开口；102-基底界定层；1021-基底界定层的子结构；103-第一界定层；104-第二界定层；105-第三界定层；20-有机电致发光器件；201-衬底基板；202-驱动晶体管；203-第一电极；204-第二电极；205-有机功能层；207-钝化层；208-封装层；2021-栅极；2022-源极；2023-漏极；2024-有源层；2051-空穴注入层；2052-空穴传输层；2053-有机发光层；2054-电子传输层；2055-电子注入层；30-显示装置。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素界定层，包括：具有多个界定像素区域的开口的基底界定层，以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层，其中，所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。

【技术特征摘要】
1.一种像素界定层，包括：具有多个界定像素区域的开口的基底界定层，以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层，其中，所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。2.根据权利要求1所述的像素界定层，还包括：设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第二界定层，所述基底界定层、所述第一界定层和所述第二界定层的材料互不相同。3.根据权利要求2所述的像素界定层，其中，所述基底界定层的材料包括亲水性材料或者第一疏水性材料；所述第一界定层的材料包括第二疏水性材料；所述第二界定层的材料包括第三疏水性材料。4.根据权利要求3所述的像素界定层，其中，所述第一疏水性材料、所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料均包括氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯或者氟化有机硅中的至少之一。5.根据权利要求4所述的像素界定层，其中，当所述第一疏水性材料和所述第二疏水性材料或者所述第三疏水性材料仅氟化程度不同时，所述第一疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值小于所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值。6.根据权利要求3所述的像素界定层，其中，所述亲水性材料包括无机亲水性材料或者有机亲水性材料，所述无机亲水性材料包括SiO2、SiNx或者SiONx中的至少之一；所述有机亲水性材料包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或者有机硅树脂中的至少之一。7.根据权利要求2-6中任一项所述的像素界定层，其中，去离子水在所述基底界定层上的接触角小于去离子水在所述第一界定层或者所述第二界定层上的接触角，且相差30°～90°。8.根据权利要求7所述的像素界定层，其中，所述基底界定层的厚度为3～50μm，所述第一界定层和所述第二界定层的厚度为1～3μm。9.一种有机电致发光器件，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上如权利要求1-8中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11