封装结构制造技术

本公开提供一种封装结构，所述封装结构包括：管芯；第一模塑化合物，包封所述管芯；天线结构；以及反射器图案，设置在所述管芯之上。穿透所述第一模塑化合物的穿孔设置在所述管芯周围。所述反射器图案设置在所述管芯及所述穿孔上。所述天线结构设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接。所述天线结构被设置在所述反射器图案上的第二模塑化合物包覆。

【技术实现步骤摘要】
封装结构相关申请的交叉参考本申请主张在2017年3月20日提出申请的序列号为第62/474,021号的美国临时申请的优先权权利。上述专利申请的全文并入本文供参考且构成本说明书的一部分。
本专利技术实施例涉及封装结构以及封装结构的制造方法。
技术介绍
用于各种电子应用(例如，手机及其他移动电子设备)中的许多半导体装置及集成电路是在单个半导体晶片上制造而成。可在晶片级上对晶片的管芯进行加工及封装，且已研发出各种技术用于晶片级封装。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括：管芯；第一模塑化合物，环绕所述管芯；以及穿孔，设置在所述管芯旁边且围绕所述管芯，并穿透所述第一模塑化合物。反射器图案设置在所述管芯及所述穿孔上。所述反射器图案电连接到所述穿孔。天线结构设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接。第二模塑化合物设置在所述反射器图案上且环绕所述天线结构。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是示出根据本公开一些实施例制作封装结构的方法的工艺步骤的示例性流程图。图2A至图2J是示出根据本公开的一些实施例，封装结构在制作封装结构的方法的的各个阶段处的示意性剖视图。图3是示出根据本公开一些实施例的封装结构的示意性剖视图。图4A及图4C是示出根据本公开一些实施例的封装结构的一些部分的示例性布局的示例性俯视图。图4B是示出根据本公开一些实施例的封装结构的一些部分的示例性布局的示例性三维图。具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“之上(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性用语可同样相应地进行解释。上述内容还可包括其他特征及工艺。举例来说，可包括测试结构以帮助进行三维(3D)封装或三维集成电路(3DIC)装置的验证测试。测试结构可包括例如形成于重布线层中或衬底上的测试垫，所述测试垫使得能够测试3D封装或3DIC、使用探针(probe)及/或探针卡(probecard)等。可对中间结构及最终结构执行验证测试。另外，本文中所公开的结构及方法可结合包含对已知良好管芯的中间验证的测试方法论一起使用，以提高产量(yield)及降低成本。图1是示出根据本公开一些实施例制作封装结构的方法的工艺步骤的示例性流程图。图1所示工艺流程的各种工艺步骤可包括如以下所论述的多个工艺步骤。图2A至图2J是示出根据本公开的一些实施例，封装结构在制作封装结构的方法的的各个阶段处的示意性剖视图。应注意，本文中所述的工艺步骤涵盖用于制作封装结构的制造工艺的一部分。所述实施例旨在提供进一步阐释，而不是用于限制本公开的范围。根据一些实施例，参照图1中的步骤S100且如图2A所示，提供载体102。在一些实施例中，载体102可以是玻璃载体或任何适合于封装结构的制造方法的载体。在一些实施例中，载体102设置有剥离层103及形成于剥离层103上的缓冲层104。在一些实施例中，剥离层103充当适合于使载体102与设置在载体102上的上方层结合/剥离的临时结合层。在一些实施例中，聚合物层103可包括释放层(例如，光热转换(light-to-heatconversion，LTHC)层)以及粘合层(例如，紫外线固化型粘合剂或热固化型粘合剂层)。参照图2A，在一些实施例中，缓冲层104包括由介电材料制成的介电层，所述介电材料包含聚酰亚胺、苯并环丁烯(“BCB”)、聚苯并恶唑(“PBO”)或任意其他适当的聚合物系介电材料。在某些实施例中，在缓冲层104上且在剥离层103及载体102上方形成第一金属图案110。在示例性实施例中，第一金属图案110是通过以下方式形成：通过电镀或沉积在载体102上方形成第一金属化层(图中未示出)，然后通过光刻及蚀刻工艺对所述金属化层进行图案化。在一些实施例中，第一金属化层的材料包含铝、钛、铜、镍、钨及/或其合金。在一些实施例中，第一金属图案110至少包括多个天线图案AP。在某些实施例中，天线图案AP被排列成阵列，例如N×N阵列或N×M阵列(N、M>0)。图4A是示例性俯视图，其示出在根据本公开一些实施例的封装结构的第一金属图案中的天线图案AP是示例性布局。如图3所示，在一些实施例中，缓冲层104上的天线图案AP被示出为排列成4×6阵列的方形金属性区块。参照图2B且在图1中所示的步骤S102中，在一些实施例中，在载体102上方的第一金属图案110的天线图案AP上形成层间穿孔(throughinterlayervias，TIV)120。在某些实施例中，除了形成在天线图案AP上的层间穿孔120以外，还可在缓冲层104上形成一个或多个层间穿孔120。在一些实施例中，层间穿孔120形成在天线图案AP上并实体连接到天线图案AP。在一些实施例中，天线结构125包括天线图案AP。在一些实施例中，天线图案AP与连接到天线图案AP的层间穿孔120构成天线结构125。在一些实施例中，形成层间穿孔120包括：形成具有开口的掩模图案(图中未示出)，然后通过电镀或沉积形成填满所述开口的金属性材料(图中未示出)，并移除掩模图案以形成层间穿孔120。层间穿孔120的材料可包括铜、铜合金、镍、钨或其他适当的金属材料。然而，应理解，本公开内容的范围并不仅限于以上所公开的材料及说明。在一些实施例中，层间穿孔120以特定的相应排列形式形成在天线图案AP上。图4B是示例性三维图，其示出根据本公开一些实施例的封装结构的天线图案AP的示例性布局以及连接到天线图案AP的层间穿孔120的相应布局。如图4B所示，在一些实施例中，天线图案AP是排列成4×6阵列(行×列)的金属性区块，且所述金属区块中的每一个以一一对应的关系连接到层间穿孔120中的一个。在某些实施例中，成对的天线图案AP与层间穿孔120构成排列成4×3阵列的偶极天线(dipoleantennas)DA。在某些实施例中，偶极天线DA的阵列可构成阵列天线。在一个实施例中，两个金属区块(天线图案AP)充当偶极天线DA的导电元件，且层间穿孔120充当分别连接到偶极天线DA的两个导电元件的馈送线(feedlines)。然而应理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：管芯；第一模塑化合物，环绕所述管芯；穿孔，设置在所述管芯旁边且围绕所述管芯，并穿透所述第一模塑化合物；反射器图案，设置在所述管芯及所述穿孔上，其中所述反射器图案电连接到所述穿孔；天线结构，设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接；以及第二模塑化合物，设置在所述反射器图案上且环绕所述天线结构。

【技术特征摘要】
2017.03.20 US 62/474,021;2017.06.30 US 15/638,3861.一种封装结构，其特征在于，包括：管芯；第一模塑化合物，环绕所述管芯；穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：江永平，史朝文，萧闵谦，吴念芳，张守仁，江佾澈，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71