像素电路及其驱动方法技术

一种像素电路及其驱动方法。像素电路包括第一至第二像素电极、第一至第三液晶电容、第一储存电容以及第一至第三开关。第一液晶电容与第一储存电容皆位于第一像素电极与第一共同电压之间。第二液晶电容位于第一像素电极与第二像素电极之间。第三液晶电容位于第二像素电极与第一共同电压之间。第一开关具有接收数据电压、接收扫描信号以及耦接第一像素电极的端点。第二开关具有接收第二共同电压、接收重置信号以及耦接第一像素电极的端点。第三开关具有接收重置电压、接收重置信号以及耦接第二像素电极的端点。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法
本专利技术是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种像素电路及其驱动方法。
技术介绍
随着液晶显示面板的兴起，使用者对于显示器画面更新的频率以及解析度的品质要求愈来愈高。当液晶的反应速度不够快速时，将会造成显示荧幕所呈现出的画面会模糊或不清楚等问题。在此情况下，将导致使用者在观看的品质上受到影响。在现有的技术中，由于横向螺旋结构(UniformLyingHelixStructure，ULH)液晶具备反应时间快、高穿透度、低吸收率等特性，因此时常被运用于显示面板中，以作为液晶显示面板中的材料。值得一提的是，当驱动横向螺旋结构液晶时，设计者通常需施加不同的外加电场以使液晶分子的光轴被偏向。然而，随着正负电场的交替切换下，部份的液晶分子可能会无法反应电场方向的快速变化，而造成液晶分子排列混乱，亦即驱动横向螺旋结构液晶的光轴会偏向不同的方向，进而使得整体的穿透度下降。因此，如何改善显示面板中的穿透度下降等问题，将是本领域相关技术人员重要的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素电路及其驱动方法，可以在横向螺旋结构液晶被驱动之前，预先将横向螺旋结构液晶执行重置动作，并且通过对其施压一水平电场的方式，以加速横向螺旋结构液晶分子重新排列，进而改善穿透度下降的问题。本专利技术的像素电路包括第一至第二像素电极、第一至第三液晶电容、第一储存电容以及第一至第三开关。第一液晶电容位于第一像素电极与第一共同电压之间。第一储存电容位于第一像素电极与第一共同电压之间。第二液晶电容位于第一像素电极与第二像素电极之间。第三液晶电容位于第二像素电极与第一共同电压之间。第一开关具有接收数据电压的第一端、接收扫描信号的控制端以及耦接第一像素电极的第二端。第二开关具有接收第二共同电压的第一端、接收重置信号的控制端以及耦接第一像素电极的第二端。第三开关具有接收重置电压的第一端、接收重置信号的控制端以及耦接第二像素电极的第二端。本专利技术的像素电路的驱动方法，像素电路具有第一像素电极、第二像素电极及传送第一共同电压的共同电极，并且在共同电极与第一像素电极及第二像素电极配置液晶层，包括：在一重置期间，提供第二共同电压至第一像素电极，并且提供重置电压至第二像素电极；在一充电期间，提供数据电极至第一像素电极，并且浮接第二像素电极；在一发射期间，浮接第一像素电极及第二像素电极。基于上述，本专利技术实施例所述像素电路操作于重置期间时，可以通过第一像素电极与第二像素电极之间所形成的水平电场，来使横向螺旋结构液晶中的分子回归到初始或预设状态，并且将横向螺旋结构液晶分子重新排列，得以改善穿透度下降的问题。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1是依照本专利技术一实施例的像素电路的电路图。图2是依照本专利技术一实施例的像素电路的波形示意图。图3A至3C是依照本专利技术一实施例的像素电路于重置期间、充电期间及发射期间的液晶状态示意图。图4是依照本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。图5是依照本专利技术一实施例的像素电路的驱动方法的流程图。其中，附图标记：100：像素电路410：有源阵列基板420：液晶层430：彩色滤波基板C1：第一液晶电容C2：第二液晶电容C3：第三液晶电容Cst：第一储存电容M1：第一开关M2：第二开关M3：第三开关PX1：第一像素PX2：第二像素Vcom1：第一共同电压Vcom2：第二共同电压Pcom：共同电极LCX：液晶层EF1、EF2：电场Vdata：数据电压Scan：扫描信号Reset：重置信号Vreset：重置电压VCH：高共同电压VCL：低共同电压TFR：画面期间Tr：重置期间Tch：充电期间Te：发射期间SB1、SB2：基板G1、G2：栅极E1、E2：电极GI1、GI2：栅极绝缘层CH1、CH2：沟道层CX：电容ES1、ES2：蚀刻停止层S1、S2：源极D1、D2：漏极T1、T2：晶体管BP、BP1、BP2、BP3：保护层PL：绝缘层BM1：黑矩阵OC1：涂布层PV1：钝化层S510～S530：像素电路的驱动步骤具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：图1是依照本专利技术一实施例的像素电路100的电路图。请参照图1，在本实施例中，像素电路100包括第一像素电极PX1、第二像素电极PX2、第一至第三液晶电容C1～C3、第一储存电容Cst以及第一至第三开关M1～M3，其中第一至第三开关M1～M3是以晶体管为例，但本专利技术实施例不以此为限。在本实施例中，第一液晶电容C1与第一储存电容Cst皆位于第一像素电极PX1与第一共同电压Vcom1之间。第二液晶电容C2位于第一像素电极PX1与第二像素电极PX2之间。第三液晶电容C3位于第二像素电极PX2与第一共同电压Vcom1之间。第一开关M1的漏极(对应于第一端)接收数据电压Vdata，第一开关M1的栅极(对应于控制端)接收扫描信号Scan，第一开关M1的源极(对应于第二端)耦接至第一像素电极PX1。第二开关M2的漏极(对应于第一端)接收第二共同电压Vcom2，第二开关M2的栅极(对应于控制端)接收重置信号Reset，第二开关M2的源极(对应于第二端)耦接至第一像素电极PX1。第三开关M3的漏极(对应于第一端)接收重置电压Vreset，第三开关M3的栅极(对应于控制端)接收重置信号Reset，第三开关M3的源极(对应于第二端)耦接至第二像素电极PX2。依据上述，本实施例中的像素电路100可以利用扫描信号Scan控制第一开关M1的导通状态，以控制数据电压Vdata是否被写入至像素电路100中。并且，可利用重置信号Reset来控制第二至第三开关M2～M3的导通状态，以控制第二共用电压Vcom2与重置电压Vreset是否分别被提供至第一像素电极PX1与第二像素电极PX2中。详细来说，本实施例中的第一像素电极PX1可以是一片电极(未绘示)，第二像素电极PX2可以是一图案化电极(未绘示)，并且此图案化电极可以例如是梳状结构的图型，但并不限于此。为片电极的第一像素电极PX1与为图案化电极的第二像素电极PX2可以相互重叠但没有电性接触，而第一像素电极PX1及二像素电极PX2的电场是通过第二像素电极PX2的镂空部份(或间隙部份)来形成，使得在第一像素电极PX1与第二像素电极PX2之间的压差可在液晶中产生出一水平电场，进而加速液晶分子重新排列。在本专利技术实施例中，上述扫描信号Scan可以例如由显示面板(未绘示)中的多条栅极线(GateLine)的其中之一来传送。另外，数据电压Vdata可以例如由显示面板(未绘示)中的多条数据线(DataLine)的其中之一来传送。并且，显示面板(未绘示)中的多个像素(Pixel)是以矩阵排列，并且配置于数据线与栅极线的交错处，以通过相对应的栅极线与数据线来控制像素电路(如像素电路100)进行电路操作。在本实施例中，显示面板(未绘示)中的多个像素可参照像素电路100来理解。举例来说，像素电路100可以利用扫描信号Scan来控制第一开关M1的导通状态，当第一开关M1被导通时，像素电路100可以提供数据电压Vdata至第一像素电极PX1中，以使储存电容Cst储存数据电压Vdata。图2是依照本专利技术一实施例的像素电路的波形示意图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：一第一像素电极；一第二像素电极；一第一液晶电容，位于该第一像素电极与一第一共同电压之间；一第一储存电容，位于该第一像素电极与该第一共同电压之间；一第二液晶电容，位于该第一像素电极与该第二像素电极之间；一第三液晶电容，位于该第二像素电极与该第一共同电压之间；一第一开关，具有接收一数据电压的一第一端、接收一扫描信号的一控制端以及耦接该第一像素电极的一第二端；一第二开关，具有接收一第二共同电压的一第一端、接收一重置信号的一控制端以及耦接该第一像素电极的一第二端；以及一第三开关，具有接收一重置电压的一第一端、接收该重置信号的一控制端以及耦接该第二像素电极的一第二端。

【技术特征摘要】
2018.03.08 TW 1071079591.一种像素电路，其特征在于，包括：一第一像素电极；一第二像素电极；一第一液晶电容，位于该第一像素电极与一第一共同电压之间；一第一储存电容，位于该第一像素电极与该第一共同电压之间；一第二液晶电容，位于该第一像素电极与该第二像素电极之间；一第三液晶电容，位于该第二像素电极与该第一共同电压之间；一第一开关，具有接收一数据电压的一第一端、接收一扫描信号的一控制端以及耦接该第一像素电极的一第二端；一第二开关，具有接收一第二共同电压的一第一端、接收一重置信号的一控制端以及耦接该第一像素电极的一第二端；以及一第三开关，具有接收一重置电压的一第一端、接收该重置信号的一控制端以及耦接该第二像素电极的一第二端。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，其中该扫描信号使能于一充电期间，该重置信号使能于一重置期间，并且该扫描信号及该重置信号同时禁能于一发射期间。3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，其中在一画面期间中，该充电期间、该重置期间及该发射期间彼此不重叠，并且该充电期间位于该重置期间与该发射期间之间。4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，其中该第一液晶电容、该第二液晶电容及该第三液晶电容为形成于横向螺旋结构(UniformLyingHelixStructure，ULH)液晶之中。5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，其中该第一像素电极为一片电极，并且该第二像素电极为一图案化电极。6.如权利要求5所述的像素电路，其特征在于，其中该第二像素电极位于传送该第一共同电压的一共同电极与该第一像素电极之间。7.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪敬榔，洪嘉泽，郭家玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71