一种热熔EMI屏蔽端口材料结构制造技术

技术编号:19114937 阅读:40 留言:0更新日期:2018-10-10 01:55
本实用新型专利技术涉及一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,包括铝箔层、低粘聚氨酯层和补强板聚酯薄膜层,所述低粘聚氨酯层覆盖在所述铝箔层的上方,所述补强板聚酯薄膜层覆盖在所述低粘聚氨酯层的上方;本实用新型专利技术具有良好的电磁屏蔽性能,同时也能够有效解决现有技术中铝箔层上的胶层容易出现气孔的问题。

A material structure for hot melt EMI shielding port

The utility model relates to a hot-melt EMI shielding port material structure, which comprises an aluminum foil layer, a low-viscosity polyurethane layer and a reinforced polyester film layer. The low-viscosity polyurethane layer is covered above the aluminum foil layer, and the reinforced polyester film layer is covered above the low-viscosity polyurethane layer; the utility model has good electricity. The magnetic shielding performance can also effectively solve the problem that the adhesive layer on the aluminum foil layer is prone to porosity in the prior art.

【技术实现步骤摘要】
一种热熔EMI屏蔽端口材料结构
本技术涉及一种热熔胶膜,具体涉及一种热熔EMI屏蔽端口材料结构。
技术介绍
大部分的热熔胶膜产品需要具有较好的EMI(电磁干扰)屏蔽性能,特别是在端口处;由于端口是各种连接线材的前端,故需要较硬的加强板结构,一般的屏蔽端口产品在铝箔上胶时,胶层容易产生气孔的不良现象,影响绝缘、耐老化性等性能,所以市场上对能消除气孔的屏蔽端口产品,有较强烈的需求。
技术实现思路
本技术提供一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,以解决上述问题。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,包括铝箔层、低粘聚氨酯层和补强板聚酯薄膜层,所述低粘聚氨酯层覆盖在所述铝箔层的上方,所述补强板聚酯薄膜层覆盖在所述低粘聚氨酯层的上方。优选地,所述铝箔层的厚度为5-32μm。优选地,所述低粘聚氨酯层的厚度为1-10μm。优选地,所述补强板聚酯薄膜层的厚度为70-280μm。优选地,所述低粘聚氨酯层在25℃下的粘度为1000mPa·s-2000mPa·s。优选地,所述低粘聚氨酯层涂布连接于所述铝箔层的上方,所述补强板聚酯薄膜层复合连接于所述低粘聚氨酯层的上方。本技术的有益效果是:铝箔层可以对电磁干扰具有较好的屏蔽性能,抗阻达到110±10MΩ的标准,可以消除外部电磁干扰,减少电磁干扰对电器件性能的影响;采用低粘聚氨酯层能对铝箔层与补强板聚氨酯薄膜具有优异的粘合性,对于消除铝箔上的胶层气孔也具有显著的效果,可以减少在生产过程中的气孔不良现象,提升良品率。附图说明图1为现有技术的具体实施示意图。图2为本技术的具体实施示意图。图中:1-聚酰亚胺层、2-金属层、3-第一热熔胶层、4-聚酯薄膜层、5-第二热熔胶层、11-铝箔层、12-低粘聚氨酯层、13-补强板聚酯薄膜层。具体实施方式以下结合附图与具体实施例对本技术作进一步详细描述,但不作为对本技术的限定。现有技术中的EMI屏蔽材料结构如图1所示,自上而下依次为聚酰亚胺层1、金属层2、第一热熔胶层3、聚酯薄膜层4和第二热熔胶层5,其中聚酰亚胺层1的厚度为15μm,金属层2为铝箔层,其厚度为20μm,第一热熔胶层3的厚度为7μm,聚酯薄膜层4的厚度为75μm,第二热熔胶层5的厚度为7μm;由于第一热熔胶层3和第二热熔胶层5对金属层2和聚酯薄膜层4的粘合性不佳,容易出现气孔,影响绝缘性能。实施例1如图2所示,本技术采用在铝箔层11上涂布覆盖低粘聚氨酯层12,然后与补强板聚酯薄膜层13进行复合连接;低粘聚氨酯层12对铝箔层11和补强板聚酯薄膜层13具有优异的粘合性,同时也可以消除铝箔层11上的胶层气孔,减少在生产过程中的气孔不良现象。作为优选的实施方式,铝箔层11的厚度为20μm。作为优选的实施方式,低粘聚氨酯层12在25℃下的粘度为1600mPa·s,其厚度为4μm。作为优选的实施方式,补强板聚酯薄膜层13的厚度为120μm。上述热熔EMI屏蔽端口材料结构的铝箔层11可以对电磁干扰具有较好的屏蔽性能,抗阻达到110±10MΩ的标准,可以消除外部电磁干扰,减少电磁对电器件性能的影响;采用低粘聚氨酯层12能对铝箔层11与补强板聚氨酯薄膜13具有优异的粘合性,对于消除铝箔层11上的胶层气孔也具有显著的效果,可以减少在生产过程中的气孔不良现象,提升良品率,具有可观的经济效益,可以广泛地应用于各种小家电、打印机、复印机、音响、投影仪等产品的信号传输及板板连接线材端口上。实施例2本实施例的特点在于:作为优选的实施方式,铝箔层11的厚度为15μm。作为优选的实施方式,低粘聚氨酯层12在25℃下的粘度为1200mPa·s,其厚度为6μm。作为优选的实施方式,补强板聚酯薄膜层13的厚度为230μm.其余结构和特征与实施例1相同。以上仅为本技术的优选实施例,并非限制本技术的专利范围,凡是在本技术的基本原理上做出的改进或等效结构变换,均包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,其特征在于,包括铝箔层、低粘聚氨酯层和补强板聚酯薄膜层,所述低粘聚氨酯层覆盖在所述铝箔层的上方,所述补强板聚酯薄膜层覆盖在所述低粘聚氨酯层的上方。

【技术特征摘要】
1.一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,其特征在于,包括铝箔层、低粘聚氨酯层和补强板聚酯薄膜层,所述低粘聚氨酯层覆盖在所述铝箔层的上方,所述补强板聚酯薄膜层覆盖在所述低粘聚氨酯层的上方。2.根据权利要求1所述一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,其特征在于,所述铝箔层的厚度为5-32μm。3.根据权利要求1所述一种热熔EMI屏蔽端口材料结构,其特征在于,所述低粘聚氨酯层的厚度为1-10μm。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:张强邓坤胜陈小飞
申请(专利权)人:广东莱尔新材料科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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