一种晶闸管智能温控调节器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶闸管智能温控调节器，包括一壳体，所述壳体上设有突出于所述壳体表面的接线端子，外部电源通过所述接线端子后依次与熔断器、双向可控硅和负载连接，所述接线端子还与壳体内部的控制板连接，所述控制板上设有控制器、电源模块、同步电路、采样电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路，所述采样电路与A/D转化电路连接，所述电源模块、同步电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路均分别与所述控制器连接；其效果是：通过采样检测后，控制器按一定的通断比发出一系列的控制脉冲，控制主电路中的双向可控硅，并进行过零触发，具有体积小、结构简单，主电路电流无谐波，对电网无污染，无射频干扰，控制准确的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管智能温控调节器
本技术属于电子
，具体涉及到一种晶闸管智能温控调节器。
技术介绍
在国内外电加热系统中，以可控硅为开关元件，进行功率控制，多采用二位式通断控制或移相控制，前者温度控制精度较低，而后者虽然控制精度较高，但负载得到的电压波形是正弦波形的一部分，其傅立叶分解中的高次谐波将引起电网波形的畸变，并产生射频干扰，并且还会对电网造成损害。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种晶闸管智能温控调节器，具有结构简单、射频干扰小的功能。本技术采取的技术方案为：一种晶闸管智能温控调节器，包括一壳体，所述壳体上设有突出于所述壳体表面的接线端子，外部电源通过所述接线端子后依次与熔断器、双向可控硅和负载连接，所述接线端子还与壳体内部的控制板连接，所述控制板上设有控制器、电源模块、同步电路、采样电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路，所述采样电路与A/D转化电路连接，所述电源模块、同步电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路均分别与所述控制器连接。优选的，所述同步电路包括变压器TF1、三极管T1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和光电耦合器OC1，所述变压器TF1的原边与外部电源连接，所述变压器TF1的副边一端接地，另一端通过所述电阻R1与所述三极管T1的基极连接，所述三极管T1的发射极接地，所述三极管T1的集电极通过所述电阻R2与所述光电耦合器OC1的第一引脚，所述光电耦合器OC1的第二引脚与-5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第四引脚与+5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第三引脚与通过所述电阻R3接地，所述光电耦合器OC1的第三引脚还与所述控制器连接。优选的，所述采样电路包括热电偶及其构成的测温电路。优选的，所述隔离放大电路包括反相器NG1、光电耦合器OC2、电阻R4、电阻R5、二极管D1和二极管D2，控制器输出有控制信号，所述控制信号通过所述反相器NG1后与所述光电耦合器OC2的第一引脚连接，所述光电耦合器OC2的第二引脚通过所述电阻R4接地，所述光电耦合器OC2的第四引脚与+5V电源端连接，所述光电耦合器OC2的第三引脚与通过所述电阻R5与等电位点连接，所述光电耦合器OC2的第三引脚还与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与所述双向可控硅的G端连接，所述二极管D1的阴极还与所述二极管D2的阴极连接，所述二极管D2的阳极与所述双向可控硅的T2端连接，所述二极管D2的阳极还与等电位点连接。优选的，所述A/D转化电路包括ADC0809芯片。采用上述技术方案，具有以下优点：本技术提出的一种晶闸管智能温控调节器，通过采样检测后，控制器按一定的通断比发出一系列的控制脉冲，控制主电路中的双向可控硅，并进行过零触发，具有体积小、结构简单，主电路电流无谐波，对电网无污染，无射频干扰，控制准确的优点。附图说明图1为本技术实施例的电路连接示意图；图2为本技术实施例中同步电路的电路原理图；图3为本技术实施例中隔离放大电路的电路原理图。具体实施方式为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述，这里的描述不意味着对应于实施例中陈述的具体实例的所有主题都在权利要求中引用了。参考图1所示，一种晶闸管智能温控调节器，包括一壳体，所述壳体上设有突出于所述壳体表面的接线端子，外部电源通过所述接线端子后依次与熔断器、双向可控硅和负载连接，所述接线端子还与壳体内部的控制板连接，所述控制板上设有控制器、电源模块、同步电路、采样电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路，所述采样电路与A/D转化电路连接，所述电源模块、同步电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路均分别与所述控制器连接。进一步地，参考图2，所述同步电路包括变压器TF1、三极管T1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和光电耦合器OC1，所述变压器TF1的原边与外部电源连接，所述变压器TF1的副边一端接地，另一端通过所述电阻R1与所述三极管T1的基极连接，所述三极管T1的发射极接地，所述三极管T1的集电极通过所述电阻R2与所述光电耦合器OC1的第一引脚，所述光电耦合器OC1的第二引脚与-5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第四引脚与+5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第三引脚与通过所述电阻R3接地，所述光电耦合器OC1的第三引脚还与所述控制器连接。进一步地，所述采样电路包括热电偶及其构成的测温电路。进一步地，参考图3，所述隔离放大电路包括反相器NG1、光电耦合器OC2、电阻R4、电阻R5、二极管D1和二极管D2，控制器输出有控制信号，所述控制信号通过所述反相器NG1后与所述光电耦合器OC2的第一引脚连接，所述光电耦合器OC2的第二引脚通过所述电阻R4接地，所述光电耦合器OC2的第四引脚与+5V电源端连接，所述光电耦合器OC2的第三引脚与通过所述电阻R5与等电位点连接，所述光电耦合器OC2的第三引脚还与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与所述双向可控硅的G端连接，所述二极管D1的阴极还与所述二极管D2的阴极连接，所述二极管D2的阳极与所述双向可控硅的T2端连接，所述二极管D2的阳极还与等电位点连接。进一步地所述A/D转化电路包括ADC0809芯片。在具体实施时，控制器可采用单片机，显示电路包括8155芯片。本方案通过采样检测后，控制器按一定的通断比发出一系列的控制脉冲，控制主电路中的双向可控硅，并进行过零触发，具有体积小、结构简单，主电路电流无谐波，对电网无污染，无射频干扰，控制准确的优点，可广泛应用于各行业的阻性电加热负载的功率控制。这里，要说明的是，本技术涉及的功能、算法、方法等仅仅是现有技术的常规适应性应用。因此，本技术对于现有技术的改进，实质在于硬件之间的连接关系，而非针对功能、算法、方法本身，也即本技术虽然涉及一点功能、算法、方法，但并不包含对功能、算法、方法本身提出的改进。本技术对于功能、算法、方法的描述，是为了更好的说明本技术，以便更好的理解本技术。最后需要说明的是，上述描述为本技术的优选实施例，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不违背本技术宗旨及权利要求的前提下，可以做出多种类似的表示，这样的变换均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶闸管智能温控调节器，其特征在于，包括一壳体，所述壳体上设有突出于所述壳体表面的接线端子，外部电源通过所述接线端子后依次与熔断器、双向可控硅和负载连接，所述接线端子还与壳体内部的控制板连接，所述控制板上设有控制器、电源模块、同步电路、采样电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路，所述采样电路与A/D转化电路连接，所述电源模块、同步电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路均分别与所述控制器连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管智能温控调节器，其特征在于，包括一壳体，所述壳体上设有突出于所述壳体表面的接线端子，外部电源通过所述接线端子后依次与熔断器、双向可控硅和负载连接，所述接线端子还与壳体内部的控制板连接，所述控制板上设有控制器、电源模块、同步电路、采样电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路，所述采样电路与A/D转化电路连接，所述电源模块、同步电路、A/D转化电路、隔离放大电路和显示电路均分别与所述控制器连接。2.根据权利要求1所述的一种晶闸管智能温控调节器，其特征在于，所述同步电路包括变压器TF1、三极管T1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和光电耦合器OC1，所述变压器TF1的原边与外部电源连接，所述变压器TF1的副边一端接地，另一端通过所述电阻R1与所述三极管T1的基极连接，所述三极管T1的发射极接地，所述三极管T1的集电极通过所述电阻R2与所述光电耦合器OC1的第一引脚，所述光电耦合器OC1的第二引脚与-5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第四引脚与+5V电源端连接，所述光电耦合器OC1的第三引脚与通过所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲志海，杨乃君，
申请(专利权)人：齐齐哈尔市君威节能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23