COB高密度LED倒装光源制造技术

技术编号:19101971 阅读:7 留言:0更新日期:2018-10-03 03:53
本实用新型专利技术涉及COB光源的技术领域,公开了COB高密度LED倒装光源,包括氮化铝陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑,凹坑包括第一凹坑以及位于第一凹坑上方的第二凹坑,第二凹坑的直径较第一凹坑的直径稍大,第一凹坑内倒装有LED芯片,第二凹坑内设置有透明荧光胶,氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构,电路结构与LED芯片电性连接,电路结构以及LED芯片一体封装成型;氮化铝陶瓷基板具有良好导热性以及耐热性能,便于LED芯片的散热,第一凹坑内设置有LED芯片,第一凹坑上方设置有第二凹坑,第二凹坑内涂覆有荧光胶,这样,荧光胶不会溢出第二凹坑,同时荧光胶起到保护LED芯片的作用,LED芯片固定稳固,提高了LED芯片的耐候性,提高了LED光源的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
COB高密度LED倒装光源
本技术涉及COB光源的
,尤其是COB高密度LED倒装光源。
技术介绍
COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术,此技术剔除了支架概念,无电镀、无回流焊、无贴片工序,因此工序减少近三分之一,成本也节约了三分之一。COB光源可以简单理解为高功率集成面光源,可以根据产品外形结构设计光源的出光面积和外形尺寸。COB光源具有高显色、发光均匀、无光斑、健康环保、安装简单,使用方便等一系列优点,正因如此,COB光源在LED光源领域占据了举足轻重的地位,被广泛应用于各行各业。现有技术中,LED芯片的使用寿命对LED光源的使用寿命起着至关重要的作用,而往往现实情况是LED芯片较为脆弱,已损坏,不良率高,LED芯片的发光工作必然会产生大量热量,所以LED芯片的散热问题也非常重要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供COB高密度LED倒装光源,旨在解决现有技术中COB光源寿命短的问题。本技术是这样实现的,COB高密度LED倒装光源,包括氮化铝陶瓷基板,所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑,所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑,所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大,所述第一凹坑内倒装有LED芯片,所述第二凹坑内设置有透明荧光胶,氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构,所述电路结构与所述LED芯片电性连接,所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。进一步地,所述LED芯片的背面为发光面,所述LED芯片的正面抵接所述氮化铝陶瓷基板。进一步地,所述第一凹坑与所述LED芯片之间镀设有一层银层。进一步地,所述氮化铝陶瓷基板上设有用于连接外接电源的正极和负极;所述正极与所述负极分别通过所述电路结构与所述LED芯片电性连接。进一步地,所述LED芯片可以替换为由多个串联连接的LED芯片构成的LED芯片组。进一步地,所述LED芯片可以替换为由多个并联连接的LED芯片构成的LED芯片组。进一步地,所述透明荧光胶由荧光粉与透明胶混合形成。进一步地,所述透明荧光胶由离心设备采用离心沉淀工艺制成。与现有技术相比,本技术提供的COB高密度LED倒装光源,通过设置氮化铝陶瓷基板,氮化铝陶瓷基板具有良好导热性以及耐热性能,便于LED芯片的散热,提高了LED芯片的工作时间,第一凹坑内设置有LED芯片,第一凹坑上方设置有第二凹坑,第二凹坑内涂覆有荧光胶,这样,荧光胶不会溢出第二凹坑,同时荧光胶起到保护LED芯片的作用,LED芯片固定稳固,提高了LED芯片的耐候性,提高了LED光源的使用寿命,为用户提供了较大便利。附图说明图1是本技术实施例提供的COB高密度LED倒装光源的主视图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细的描述。参照图1所示,为本技术提供较佳实施例。COB高密度LED倒装光源,包括氮化铝陶瓷基板1,氮化铝陶瓷基板1上设置有凹坑,凹坑包括第一凹坑以及位于第一凹坑上方的第二凹坑,第二凹坑的的直径较第一凹坑的直径稍大,第一凹坑内倒装有LED芯片2,第二凹坑内设置有透明荧光胶3,氮化铝陶瓷基板1上设置有电路结构,电路结构与LED芯片2电性连接,电路结构以及LED芯片2一体封装成型。氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成AI65.81%,N34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。AIN晶体为一种高温耐热材料,热膨胀系数为(4.0-6.0)×10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。上述提供的COB高密度LED倒装光源,通过设置氮化铝陶瓷基板1,氮化铝陶瓷基板1具有良好导热性以及耐热性能,便于LED芯片2的散热,提高了LED芯片2的工作时间,第一凹坑内设置有LED芯片2,第一凹坑上方设置有第二凹坑,第二凹坑内涂覆有荧光胶,这样,荧光胶不会溢出第二凹坑,同时荧光胶起到保护LED芯片2的作用,LED芯片2固定稳固,提高了LED芯片2的耐候性,提高了LED光源的使用寿命,为用户提供了较大便利。具体地,LED芯片2的背面为发光面,LED芯片2的正面抵接氮化铝陶瓷基板1;也就是说LED芯片2采用倒装的方式固定在氮化铝陶瓷基板1上,这样,固晶厚度薄,散热好,可通大电流使用;尺寸也可以做到更小,节约成本,散热性能的提升也可以提升LED灯的使用寿命,LED芯片2倒装固定不需要金线键合进行绑定,节约了生产成本。再者,第一凹坑与LED芯片2之间镀设有一层银层;银层具有良好的反光性能,LED芯片2发出的光照射到银层时,银层的反光性能可以将光反射出来,提高出光量,提升LED灯的光效。氮化铝陶瓷基板1上设有用于连接外接电源的正极和负极;正极与负极分别通过电路结构与LED芯片2电性连接;这样,当外接电源电性连接氮化铝陶瓷基板1上的正极和负极,形成了闭合回路,实现了外接电源对LED芯片2组的供电,LED芯片2组进行照明工作,发出光线。本实施例中,LED芯片2可以替换为由多个串联连接的LED芯片2构成的LED芯片2组;这样多个LED芯片2同时进行发光工作,提高了光通量,提升了LED光源的发光效果。或者,作为其他实施例,LED芯片2可以替换为由多个并联连接的LED芯片2构成的LED芯片2组;这样当某个LED芯片2发生故障时,其他LED芯片2也可以正常工作,提高了LED光源的使用寿命。本实施例中,透明荧光胶3由荧光粉与透明胶混合形成;荧光粉对LED发出的光进行作用,发出特定颜色的光,满足使用需求。具体地,透明荧光胶3由离心设备采用离心沉淀工艺制成;使用离心设备沉淀荧光胶中的荧光粉,使得COB光源发光均匀,光斑效果良好,同时使得荧光胶的散热效果良好。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.COB高密度LED倒装光源,其特征在于,包括氮化铝陶瓷基板,所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑,所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑,所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大,所述第一凹坑内倒装有LED芯片,所述第二凹坑内设置有透明荧光胶,氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构,所述电路结构与所述LED芯片电性连接,所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。

【技术特征摘要】
1.COB高密度LED倒装光源,其特征在于,包括氮化铝陶瓷基板,所述氮化铝陶瓷基板上设置有凹坑,所述凹坑包括第一凹坑以及位于所述第一凹坑上方的第二凹坑,所述第二凹坑的的直径较所述第一凹坑的直径稍大,所述第一凹坑内倒装有LED芯片,所述第二凹坑内设置有透明荧光胶,氮化铝陶瓷基板上设置有电路结构,所述电路结构与所述LED芯片电性连接,所述电路结构以及所述LED芯片一体封装成型。2.如权利要求1所述的COB高密度LED倒装光源,其特征在于,所述LED芯片的背面为发光面,所述LED芯片的正面抵接所述氮化铝陶瓷基板。3.如权利要求1所述的COB高密度LED倒装光源,其特征在于,所述第一凹坑与所述LED芯片之间镀设有一层银层。4.如权利要求1所述的COB高...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗顺安
申请(专利权)人:新月光电深圳股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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