本发明专利技术公开了一种有机发光显示面板及其制备方法、有机发光显示装置。有机发光显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于第一基板上的驱动电路膜层，驱动电路膜层包括栅极金属层、源漏极金属层、有源层、辅助金属层，辅助金属层与所述源漏极金属层通过过孔连接；位于第二基板上的有机发光器件膜层，有机发光器件膜层包括阳极金属层、像素定义层、有机发光材料层、阴极金属层；有源层为N型半导体膜层；以及位于驱动电路膜层和有机发光器件膜层之间的金属连接层，金属连接层用于连接辅助金属层与阴极金属层。本发明专利技术提供的有机发光显示面板中流过驱动晶体管的驱动电流不会受到有机发光二极管本身阈值的影响。
【技术实现步骤摘要】
一种有机发光显示面板及其制备方法、有机发光显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种有机发光显示面板、制备该有机发光显示面板的方法及包括该有机发光显示面板的有机发光显示装置。
技术介绍
相比于液晶显示面板，有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。有机发光二极管器件是有机发光显示面板的核心元件之一，其主要结构如图1所示，有机发光二极管器件包括提供正向电压的阳极金属层10、提供负向电压的阴极金属层20，以及夹杂在阳极金属层和阴极金属层之间的有机功能层30，即构成所谓的三明治结构。在阳极正向电压和阴极负向电压形成的驱动电压下，有机功能层会发出相应的光，所以，有机发光显示面板也称为电致发光面板。与传统液晶显示(通过施加不同的电压控制液晶分子的旋转，进而决定显示亮度)不同的是，有机发光二极管的发光亮度由流过其的电流决定。因此，影响流过有机发光二极管的电流的因素就成为有机发光显示面板设计过程中主要考虑之处。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种有机发光显示面板、制备该有机发光显示面板的方法及包括该有机发光显示面板的有机发光显示装置。第一方面，本专利技术实施例提供一种有机发光显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板上的驱动电路膜层，所述驱动电路膜层包括栅极金属层、源漏极金属层、有源层、辅助金属层，所述辅助金属层与所述源漏极金属层通过过孔连接；位于所述第二基板上的有机发光器件膜层，所述有机发光器件膜层包括阳极金属层、像素定义层、有机发光材料层、阴极金属层；所述有源层为N型半导体膜层；以及位于所述驱动电路膜层和有机发光器件膜层之间的金属连接层，所述金属连接层用于连接所述辅助金属层与所述阴极金属层。第二方面，本专利技术实施例提供一种制备有机发光显示面板的方法，包括：在第一基板上制备驱动电路膜层；在第二基板上制备有机发光器件膜层；将驱动电路膜层与有机发光器件膜层进行电连接；将第一基板与第二基板进行封装。第三方面，本专利技术实施例提供一种有机发光显示装置，包括上述第一方面所提供的有机发光显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的有机发光显示面板，有机发光二极管位于驱动晶体管的漏极一侧，且有机发光二极管EL的阴极与驱动晶体管的漏极连接，因此，驱动晶体管的源极电位不会受到有机发光二极管阈值电压的影响，继而使得流过驱动晶体管的驱动电流不会受到有机发光二极管本身阈值的影响，保证了发光电流的稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是典型的有机发光器件三明治结构示意图；图2是一种典型的N型半导体驱动有机发光显示面板的3T1C像素驱动电路示意图；图3示出了显示面板行数与阴极(PVEE)电压降的关系示意图；图4示出了不同阴极电压下单个像素数据电压(Vdata)—电流(Ip)曲线；图5是本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板结构示意图；图6是图5所示有机发光显示面板的等效像素电路图；图7是本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法；图10是本专利技术实施例提供的一种显示装置结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在现有的有机发光显示面板中，流过有机发光二极管的电流由像素驱动电路中的驱动晶体管决定：I＝C*(Vgs-Vth)。其中，Vgs代表驱动晶体管的栅源电压之差，Vth代表驱动晶体管的阈值电压，C是与驱动晶体管的宽长比、迁移率等相关的系数。其中，迁移率与晶体管的沟道材料密切相关，因此，不同的驱动管设计以及制备工艺的精度直接决定了流过有机发光二极管的电流。当驱动晶体管的宽长比一定时，选择不同的半导体材料作为沟道就成为设计者首要考量的问题。目前的沟道材料一般包括非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(如IGZO)等几种，其中，低温多晶硅、金属氧化物作为沟道材料时具有迁移率高等优点，能够满足有机发光显示面板在驱动方面的需求。图2是一种典型的N型半导体驱动有机发光显示面板的3T1C像素驱动电路示意图。如图2所示，目前的N型半导体驱动像素电路中，驱动晶体管的源极与发光器件的阳极连接。这样本领域技术人员可以理解的是，驱动晶体管的源极电位会受到有机发光二极管本身阈值电压的影响，最终导致驱动晶体管的栅源电压发生变化，影响驱动电流的稳定性。同时，在实际中有机发光二极管器件的阴极对整个器件起着决定性作用。一方面，阴极必须使用低功函数金属材料以确保电子注入；另一方面，为保证开口率，阴极必须保证足够的透过率。因此，阴极材料通常是制备得很薄的合金材料，且整个显示面板共用一整层阴极。但是，阴极较薄的话会使阴极存在较大的电阻，进而显示面板产生一定的压降。图3示出了有机发光显示面板行数与阴极(PVEE)电压降的关系示意图，如图3所示，随着显示面板从顶部到底部行数逐渐增加时，阴极电压降逐渐增大，从图中实验测试结果可知，显示面板中第960行像素单元的阴极电压相对于第1行像素单元的阴极电位相差了0.45V。图4示出了不同阴极电压下单个像素数据电压(Vdata)—电流(Ip)曲线。当固定Vdata为5V时，选取两个阴极电压：3.4V和3.85V，从图4中可以看出，阴极电压为3.4V时，流过有机发光器件的电流为55nA；阴极电压为3.85V时，流过有机发光器件的电流为48nA。因此，结合图3和图4可知，阴极电压降极大地影响了流过有机发光器件的电流。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种有机发光显示面板，如图5所示。有机发光显示面板200包括：相对设置的第一基板210和第二基板220；位于所述第一基板210上的驱动电路膜层，驱动电路膜层包括栅极金属层211、源漏极金属层212、N型半导体有源层213、辅助金属层204，辅助金属层204与源漏极金属层212通过过孔208连接；位于第二基板220上的有机发光器件膜层，有机发光器件膜层包括阳极金属层202、像素定义层208、有机发光材料层222、阴极金属层201，以及位于驱动电路膜层和有机发光器件膜层之间的金属连接层206，金属连接层206用于电连接驱动电路与有机发光器件。需要说明的是，图5所示的驱动电路只示意性地绘出了驱动晶体管，并不代表驱动电路中的薄膜晶体管只有驱动晶体管。图6是图5所示实施例的等效像素电路图。如图6所示，本专利技术实施例中有机发光二极管EL位于驱动晶体管M0的漏极(D)一侧，且有机发光二极管EL的阴极与驱动晶体管的漏极连接。因此，本专利技术实施例提供的有机发光显示面板中，驱动晶体管M0本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板上的驱动电路膜层，所述驱动电路膜层包括栅极金属层、源漏极金属层、有源层、辅助金属层，所述辅助金属层与所述源漏极金属层通过过孔连接；位于所述第二基板上的有机发光器件膜层，所述有机发光器件膜层包括阳极金属层、像素定义层、有机发光材料层、阴极金属层；所述有源层为N型半导体膜层；以及位于所述驱动电路膜层和有机发光器件膜层之间的金属连接层，所述金属连接层用于连接所述辅助金属层与所述阴极金属层。
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板上的驱动电路膜层，所述驱动电路膜层包括栅极金属层、源漏极金属层、有源层、辅助金属层，所述辅助金属层与所述源漏极金属层通过过孔连接；位于所述第二基板上的有机发光器件膜层，所述有机发光器件膜层包括阳极金属层、像素定义层、有机发光材料层、阴极金属层；所述有源层为N型半导体膜层；以及位于所述驱动电路膜层和有机发光器件膜层之间的金属连接层，所述金属连接层用于连接所述辅助金属层与所述阴极金属层。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述阳极金属层靠近出光侧设置，所述阴极金属层远离出光侧设置。3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述阴极金属层厚度为80～120nm。4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第二基板还设置电源电压金属走线层，所述电源电压金属走线层与所述阳极金属层连接。5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述金属连接层的材料为金属铟或者金属锡。6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板包括非显示区，所述非显示区也设置有所述金属连接层和所述辅助金属层，用于连接所述第一基板与所述第二基板。7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述金属连接层的厚度为30～50nm。8.一种制备如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：何泽尚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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