【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括SIW与波导或天线之间的非接触过渡或连接的过渡装置
本专利技术涉及一种过渡装置,其具有权利要求1的第一部分的特征,并且包括电路装置所关联的SIW或电路装置的SIW与波导或天线或天线接口之间的过渡,所述电路装置例如有源或无源电路装置。本专利技术还涉及一种用于提供过渡装置的方法,其具有权利要求23的第一部分的特征。
技术介绍
对于许多不同的应用,例如在微波或毫米波技术等中,需要电路与例如波导或天线之间的过渡或连接。具体地说,由于对高速无线链路的需求增加,例如对超快移动因特网、高分辨率汽车雷达链路、千兆位/秒数据和视频链路、用于医疗和安全应用的精确成像设备等的需求增加,能够使用毫米或亚毫米波频率区域是有吸引力的,因为在这些频率区域中,可获得更大的频率带宽。因此,高频的使用正在稳定地获得更多关注。例如,基于例如毫米(mm)波技术的天线阵列系统中的电子控制天线具有巨大潜力,能够产生多个瞬时波束,每个瞬时波束对应于相对大的天线孔径面积,其提供高接收灵敏度或大天线增益。但是,这些系统很复杂,并且采用许多天线单元的复杂天线阵列系统涉及高成本。在毫米波频率下,在单个工艺中将天线与集成电路结合变得可能,因为天线的大小减小到几分之一毫米,允许它们与集成电路(IC)一起放置在载体上。这减少制造成本和时间,并且天线小于无电介质天线。数个问题与例如包括高频电路的封装和波导端口或天线之间的过渡关联。波导过渡通常将其主导波导模式转换为微带或共面传输线模式。已提出直接的脊到传输线连接,但具有缺点,特别是从制造的观点来看,因为电路可能容易中断。对于传输线与芯片(电路)之间的连接,已使用键 ...
【技术保护点】
1.一种过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),用于提供或包括电路装置(11;11A;…;11F)或者与电路装置(11;11A;…;11F)关联的基片集成波导SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)与波导和/或天线结构或接口(10;10A、10A;10B;10C、10C;10D、10D;10E;10F)之间的至少一个过渡,所述电路装置(11;11A;…;11F)包括一个或多个电路,其中,所述过渡装置包括第一导电板或块(1;11;1A;1B;1C;1D;1E;1F)和第二导电板或块(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F),所述第一导电板或块(1;11;1A;1B;1C;1D;1E;1F)和所述第二导电板或块(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F)包括板或分块组件,所述板或分块组件包括至少一个波导和/或天线端口(25),其特征在于:所述或每个SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)被布置在所述第一导电板或块(1;11; ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.12 SE 1650181-91.一种过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),用于提供或包括电路装置(11;11A;…;11F)或者与电路装置(11;11A;…;11F)关联的基片集成波导SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)与波导和/或天线结构或接口(10;10A、10A;10B;10C、10C;10D、10D;10E;10F)之间的至少一个过渡,所述电路装置(11;11A;…;11F)包括一个或多个电路,其中,所述过渡装置包括第一导电板或块(1;11;1A;1B;1C;1D;1E;1F)和第二导电板或块(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F),所述第一导电板或块(1;11;1A;1B;1C;1D;1E;1F)和所述第二导电板或块(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F)包括板或分块组件,所述板或分块组件包括至少一个波导和/或天线端口(25),其特征在于:所述或每个SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)被布置在所述第一导电板或块(1;11;1A;1B;1C;1D;1E;1F)上,多个脊和/或阻抗匹配或变换结构(4;41;4A、4A;14B、14B;4C、4C;14D、14D;4E;14F)连接到所述第二导电板或块(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F),以使得对于所述基片集成波导SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)与所述波导和/或天线结构或接口(10;10A、10A;10B;10C、10C;10D、10D;10E;10F)之间的所述或每个过渡,所述或每个脊和/或阻抗匹配或变换结构(4;4A;14B;4C;14D;4E;14F)与开路λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)相关联或者延伸开路λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F),以用于反转阻抗以及提供短路以用于在所述第一和第二导电板或块(1、2;1A、2A;…;1F;2F)的组装状态下电磁耦合所述SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)与所述脊或阻抗匹配或变换结构(4;41;4A、4A;14B、14B;4C、4C;14D、14D;4E;14F)之间的电磁场,所述阻抗匹配或变换结构(4;41;4A、4A;14B、14B;4C、4C;14D、14D;4E;14F)和所述开路λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)被布置成使得当所述第一和第二导电板或块(1、2;11、21;1A、2A;…;1F;2F)被组装时,在距所述SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)的第一接地平面(9;91;9A;…;9F)的一部分的微小距离处,设置与所述短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)的连接到所述第二板(2;21;2A;2B;2C;2D;2E;2F)的侧面或表面相对的所述开路λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)的侧面或表面,其中所述微小距离例如对应于气隙,而在所述SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D;20E;20F)与所述脊和/或阻抗匹配或变换结构(4;41;4A、4A;14B、14B;4C、4C;14D、14D;4E;14F)之间以及在所述SIW(20;20A、20A;…;20F)与所述开路λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)之间没有任何电流接触,以使得在所述SIW(20;20A、20A;…;20F)与所述波导和/或天线结构(10;10A、10A;10B;10C、10C;10D、10D;10E;10F)之间形成非接触的基本上是平面的过渡。2.根据权利要求1所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述或每个SIW(20;20A、20A;…;20F)和/或包括所述SIW(20;20A、20A;…;20F)或与所述SIW(20;20A、20A;…;20F)关联的所述电路装置(11;11A;…;11F)适于可释放地连接到或接地到所述第一导电板或块(1;11;1A;...1F)。3.根据权利要求1或2所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述电路装置(11;11A;…;11F)包括RF电路、有源电路装置、或者无源电路装置,所述有源电路装置例如是一个或多个有源MMIC。4.根据上述任一权利要求所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述过渡装置适于高RF频率信号。5.根据上述任一权利要求所述的过渡装置(100;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述第一和第二导电板或块(1、2;11、21;1A、2A;...、1F、2F)适于是可安装/可拆卸的,所述可安装/可拆卸例如是可释放地互连的,例如借助诸如螺钉等的互连装置,或者所述第一和第二导电板或块(1、2;11、21;1A、2A;...、1F、2F)适于是非接触地组装/拆卸的,可选地提供对准装置以用于当安装或组装时辅助对准所述第一和第二导电板或块。6.根据上述任一权利要求所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述或每个SIW(20;20A、20A;…;20F)包括介电基片(6;6A、6A;…;6F),在所述介电基片(6;6A、6A;…;6F)的相对两侧分别设置有第一接地平面(9;91;9A、9A;…;9E;9F)和第二接地平面(9’;91’;9A’、9A’;…;9E’;9F’),所述第一和第二接地平面借助穿过所述介电基片(6;6A、6A;…;6F)的过孔(7)而电连接。7.根据权利要求6所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:在所述SIW的所述介电基片(6;6A、6A;…;6F)的一侧上设置的所述第二导电接地平面(9’;91’;9A’、9A’;…;9F)连接到所述第一导电板(1;11;1A、1A;…;1E;1F)或者连接到所述电路装置(11;11A;11B;…11F),所述第一SIW接地平面(9;91;9A、9A;…;9F)被布置为用作所述SIW(20;20A、20A;…;20F)和所述λg/4短截线(5;51;5A、5A;5B、5B;5C、5C;5D、5D;5E;5F)的公共接地平面,以及所述第二接地平面(9’;91’;9A’、9A’;…;9E’;9F’)被布置为用作所述SIW(20;20A、20A;…;20F)和所述波导和/或天线结构(10;10A、10A;…;10F)的公共接地平面。8.根据上述任一权利要求所述的过渡装置,其特征在于:所述SIW被设置在连接到包括所述电路装置的芯片的载板或低介电常数应用板上,所述连接例如是线键合。9.根据权利要求1-7中任一项所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D;100E;100F),其特征在于:所述SIW(20;20A、20A;…;20F)被设置在包括所述电路装置的芯片或裸芯片上,例如包括放大器、混频器、倍频器的任意组合中的任一者中的一者或多者。10.根据上述任一权利要求所述的过渡装置(100;1001;100A;100B;100C;100D),其特征在于:所述至少一个过渡包括SIW(20;20A、20A;20B、20B;20C、20C;20D、20D)与波导(10;10A、10A;10B、10B;10C、10C;10D、10D)之间的过渡。11...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·乌兹扎曼,A·阿尔贾罗沙,R·马斯坎特,
申请(专利权)人:瑞典爱立信有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞典,SE
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