发光元件、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种新颖的发光元件。本发明专利技术提供一种具有长寿命的发光元件。本发明专利技术提供一种具有高发光效率的发光元件。本发明专利技术提供一种新颖的有机化合物。本发明专利技术提供一种具有空穴传输性的新颖的有机化合物。本发明专利技术提供一种新颖的空穴传输材料。本发明专利技术提供一种包含具有取代或未取代的苯并萘并呋喃骨架及取代或未取代的胺骨架的有机化合物的空穴传输材料。本发明专利技术提供一种使用该空穴传输材料的发光元件。本发明专利技术提供一种苯并萘并呋喃的第6位或第8位键合有具有碳原子数为6至60的两个芳烃基的胺骨架的有机化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
本专利技术的一个方式涉及一种发光元件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本专利技术的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法以及它们的制造方法。
技术介绍
包括有机化合物并利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光元件(有机EL元件)的实用化非常活跃。在这种发光元件的基本结构中，在一对电极之间设置包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压来注入载流子，并且可以利用该载流子的复合能量从发光材料获得发光。因为这种发光元件是自发光型发光元件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该发光元件适合于平板显示器元件。另外，使用这种发光元件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，极高的响应速度也是该发光元件的特征之一。在这种发光元件中，可以二维地依次形成发光层，从而可以获得平面发光。因为这是以白炽灯和LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源难以得到的特征，所以作为可应用于照明装置等的平面光源，上述发光元件具有巨大潜力。如上所述使用发光元件的显示器或照明装置适用于各种各样的电子设备，为了具有高效率或更长的寿命对发光元件的研究开发日益活跃。具有受体性的有机化合物是用于促进载流子(尤其是空穴)注入EL层的空穴注入层材料。具有受体性的有机化合物可以利用蒸镀容易地沉积，适合大量生产而被广泛应用。但是，当具有受体性的有机化合物的LUMO能级与空穴传输层中包含的有机化合物的HOMO能级相距较远时，向EL层注入空穴比较困难。但是，当使包含于空穴传输层中的有机化合物的HOMO能级变浅接近具有受体性的有机化合物的LUMO能级时，发光层的HOMO能级与空穴传输层中包含的有机化合物的HOMO能级之间的差变大，即使可以将空穴注入到EL层中，也很难从空穴传输层向发光层中的主体材料注入空穴。在专利文献1公开的结构中，在接触于空穴注入层的第一空穴传输层与发光层之间设置有其HOMO能级介于第一空穴注入层的HOMO能级与主体材料的HOMO能级之间的空穴传输材料。尽管发光元件的特性明显得到了提高，但是还不足以满足对效率和耐久性等各种特性的高度要求。[参考文献][专利文献][专利文献1]PCT国际公开No.WO2011/065136
技术实现思路
鉴于以上所述，本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的发光元件。本专利技术的一个方式的另一个目的是提供一种具有长寿命的发光元件。本专利技术的一个方式的另一个目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。本专利技术的一个方式的另一个目的之一是提供一种新颖的有机化合物。本专利技术的一个方式的另一个目的之一是提供一种具有空穴传输性的新颖的有机化合物。本专利技术的一个方式的另一个目的之一是提供一种新颖的空穴传输材料。本专利技术的一个方式的另一个目的是提供一种可靠性高的发光装置、电子设备及显示装置。本专利技术的一个方式的另一个目的是提供一种低功耗的发光装置、电子设备及显示装置。本专利技术的一个方式只需要实现上述目的中的至少一个。本专利技术的一个方式是一种包含具有取代或未取代的苯并萘并呋喃(benzonaphthofuran)骨架和取代或未取代的胺骨架的有机化合物的空穴传输材料。本专利技术的另一个方式是一种包含具有取代或未取代的苯并萘并呋喃骨架和一个取代或未取代的胺骨架的有机化合物的空穴传输材料。本专利技术的另一个方式是一种具有上述任一结构的空穴传输材料，其中胺骨架键合到苯并萘并呋喃骨架的第6位或第8位。本专利技术的另一个方式是一种包含具有上述任何结构的空穴传输材料，其中苯并萘并呋喃骨架与胺骨架的氮原子直接键合的有机化合物。本专利技术的另一个方式是一种包括阳极、阴极及EL层的发光元件。EL层包括发光层并位于阳极与阴极之间。EL层含有根据上述任一项的空穴传输材料。本专利技术的另一个方式是一种包括阳极、阴极及EL层的发光元件。EL层位于阳极与阴极之间并包括发光层和空穴传输层。空穴传输层位于发光层与阳极之间并包含根据上述任一项所述的空穴传输材料。本专利技术的另一个方式是一种具有上述任何结构的发光元件，其中发光层包含发光材料及空穴传输材料。本专利技术的另一个方式是一种具有上述任何结构的发光元件，其中发光层还包含电子传输材料。本专利技术的另一个方式是由通式(G1)表示的有机化合物。[化学式1]注意，在通式(G1)中，R1至R8独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。A和B中的一个表示由通式(g1)表示的基团，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。[化学式2]注意，在通式(g1)中，Ar1、Ar2独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基和由通式(g2)表示的基团中的任一个，当Ar1、Ar2都为碳原子数为6至60的芳烃基并具有取代基时，取代基包含苯并萘并呋喃基(benzonaphthofuranylgroup)及二萘并呋喃基。[化学式3]注意，在通式(g2)中，R11至R18独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。Z1和Z2中的一个与通式(g1)中的氮原子键合，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中由通式(g1)表示的基团是由通式(g3)表示的基团。[化学式4]注意，在通式(g3)中，Ar3、Ar4独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基和取代或未取代的二萘并呋喃基中的任一个。Ar5、Ar6独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至54的2价的芳烃基，n及m独立地表示0至2。Ar3和Ar5的碳原子数的总和与Ar4和Ar6的碳原子数的总和都在60以下。本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中Ar3及Ar4独立地表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基和取代或未取代的芘基中的任一个。本专利技术的另一个方式是一种具有上述结构的有机化合物，其中Ar5及Ar6独立地表示取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基和取代或未取代的亚芘基中的任一个。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输材料，包含具有取代或未取代的苯并萘并呋喃骨架和取代或未取代的胺骨架的有机化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.29 JP 2016-0162621.一种空穴传输材料，包含具有取代或未取代的苯并萘并呋喃骨架和取代或未取代的胺骨架的有机化合物。2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其中所述有机化合物不含有两个以上的取代或未取代的胺骨架。3.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其中所述苯并萘并呋喃骨架与所述胺骨架的氮原子直接键合。4.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其中所述有机化合物由通式(G1)表示，R1至R8独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，A和B中的一个为由通式(g1)表示的基团，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，Ar1、Ar2独立地表示取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基和由通式(g2)表示的基团中的任一个，当Ar1和Ar2都为碳原子数为6至60的芳烃基并具有取代基时，所述取代基包含苯并萘并呋喃基及二萘并呋喃基，R11至R18独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，并且Z1和Z2中的一个与通式(g1)中的氮原子键合，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。5.一种发光元件，包括：阳极；阴极；以及EL层，其中，所述EL层包括发光层，所述EL层位于所述阳极与所述阴极之间，并且，所述EL层包含权利要求1所述的空穴传输材料。6.根据权利要求5所述的发光元件，其中所述发光层包含发光材料及所述空穴传输材料。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中所述发光层还包含电子传输材料。8.一种由通式(G1)表示的有机化合物，其中，R1至R8独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，A和B中的一个为由通式(g1)表示的基团，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，Ar1和Ar2独立地表示如下中的任一个：未取代的碳原子数为6至60的芳烃基；被碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并萘并呋喃基和苯并呋喃噻吩基中的任一个取代的碳原子数为6至60的芳烃基；以及由通式(g2)表示的基团，R11至R18独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个，并且，Z1和Z2中的一个与通式(g1)中的氮原子键合，另一个表示氢、碳原子数为3至6的环烃基、碳原子数为1至6的烷氧基、氰基、卤素、碳原子数为1至6的卤代烷基、碳原子数为1至6的烃基和取代或未取代的碳原子数为6至60的芳烃基中的任一个。9.根据权利要求8所述的有机化合物，其中当Ar1和Ar2都为碳原子数为6至60的芳烃基并具有取代基时，所述取代基包含苯并萘并呋喃基及二萘并呋喃基。10.一种发光元件，包括：阳极；阴极；以及EL层，其中，所述EL层位于所述阳极与所述阴极之间，并且，所述EL层包含权利要求8所述的有机化合物。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中所述EL层还包括包含发光材料的发光层。12.根据权利要求10所述的发光元件，其中所述EL层还包括包含具有电子传输性的材料的发光层。13.一种发光元件，包括：阳极；阴极；以及包括空穴注入层的EL层，其中，所述EL层位于所述阳极与所述阴极之间，所述EL层包括发光层和空穴传输层，所述空穴传输层位于所述发光层与所述阳极之间，所述空穴注入层与所述阳极和所述空穴传输层接触，所述空穴注入层包括具有受体性的有机化合物，并且，所述空穴传输层含有权利要求8所述的有机化合物。14.根据权利要求13所述的发光元件，其中所述具有受体性的有机化合物为2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯。15.根据权利要求13所述的发光元件，其中所述空穴传输层包括第一层、第二层及第三层，所述第一层位于所述空穴注入层与所述第二层之间，所述第三层位于所述第二层与所述发光层之间，所述第一层与所述空穴注入层接触，所述第三层与所述发光层接触，所述第一层含有第一空穴传输材料，所述第二层含有所述有机化合物，所述第三层含有第三空穴传输材料，所述发光层含有主体材料和发光材料，所述有机化合物的HOMO能级低于所述第一空穴传输材料的HOMO能级，所述主体材料的HOMO能级低于所述有机化合物的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，铃木恒德，泷田悠介，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP