半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:19076546 阅读:3 留言:0更新日期:2018-09-29 18:11
一种半导体装置,其特征在于,包括:第一基板(10),具有:第一导电层(11)、以及被设置在所述第一导电层(11)上的第一电子元件(12);以及中间层(20),被设置在所述第一基板(10)上,并且具有多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部,其中,所述连接头在所述第一基板(10)一侧从所述树脂基板部外露,并且与所述第一导电层(11)或所述第一电子元件(12)相连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往,具备将由芯片(Chip)等构成的电子元件进行封装的封装树脂的半导体模块已被普遍知晓。作为像这样的以往的半导体模块的一例,可以列举特开2011-114176号公报为例。在该特开2011-114176号公报中,公开了一种功率半导体装置,其包括:功率半导体元件;被配置为夹有功率半导体元件的一对第一金属部件;夹有一对第一金属部件并且层积在一对散热板上的一对绝缘层;以及将第一功率半导体元件、一对第一金属部件、以及一对绝缘层覆盖并填充的填充树脂。像这样的半导体装置中,有金属等构成的连接头的数量会很多。另外,由于这些连接头中存在有非常细微的连接头,使安装变得不稳定。因此,想要将连接头在稳定的状态下进行安装就有必要使用多个夹具。另外,虽然可以考虑使用安装(Mounted)装置来自动安装连接头,但是在连接头数量多的情况下,其工序就会耗费很多的时间。因此,本专利技术鉴于上述问题,以提供一种能够简易地将多个连接头进行安装的半导体装置以及半导体装置的制造方法为目的。
技术实现思路
本专利技术所涉及的半导体装置,其特征在于,包括:第一基板,具有:第一导电层、以及被设置在所述第一导电层上的第一电子元件;以及中间层,被设置在所述第一基板上,并且具有:多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部,其中,所述连接头在所述第一基板一侧从所述树脂基板部外露,并且与所述第一导电层或所述第一电子元件相连接。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述连接头在与所述第一基板一侧相反的一侧从所述树脂基板部外露,并且在所述连接头上设置有第二电子元件。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述中间层具有:第一中间层、以及被设置在所述第一中间层上的第二中间层,其中,所述第一中间层具有:第一连接头、以及固定所述第一连接头的第一树脂基板部,所述第二中间层具有:第二连接头、以及固定所述第二连接头的第二树脂基板部。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述第一连接头从所述第一树脂基板部向设置有所述第二中间层一侧突出,所述第二树脂基板部上设置有用于将从所述第一树脂基板部突出的所述第一连接头插入的第二插入部。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述第二连接头从所述第二树脂基板部向被设置有所述第一中间层一侧突出,所述第一树脂基板部上设置有用于将从所述第二树脂基板部突出的所述第二连接头插入的第一插入部。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述第一树脂基板部与所述第二树脂基板部由不同的树脂材料形成。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述连接头在第一基板一侧的面或与第一基板相反一侧的面上从所述树脂基板部突出。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述中间层的所述树脂基板部上设置有控制部。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,进一步包括覆盖所述中间层的模塑树脂部,所述模塑树脂部与所述树脂基板部由不同的树脂材料形成。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述模塑树脂部由热硬化性树脂构成,所述树脂基板部由热可塑性树脂构成。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述树脂基板部具有在所述第一电子元件的边缘处向所述第一基板一侧突出的突出部。在本专利技术所涉及的半导体装置中,也可以是:其中,所述多个连接头中的至少一个与所述第一电子元件相连接,并且,与所述第一电子元件相反一侧的面的面积比所述第一电子元件一侧的面的面积更大。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:第一基板准备工序,准备具有第一导电层、以及被设置在所述第一导电层上的第一电子元件的第一基板;以及中间层载置工序,将具有多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部的中间层载置在所述第一基板上,其中,所述连接头与所述第一导电层或所述第一电子元件相连接。专利技术效果本专利技术的半导体装置所具有的中间层具有多个连接头、以及固定多个连接头的树脂基板部,并且连接头在第一基板一侧从树脂基板部外露。因此,只要将已通过树脂基板部定位的连接头载置在第一基板上,就能够将连接头与第一导电层连接,从而能够容易地制造半导体装置。简单附图说明图1是展示本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置构成概略的截面图。图2(a)是本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置的第一基板的上方平面图,图2(b)是图2(a)所示形态的斜视图。图3(a)是在图2所示的第一基板上载置第一中间层后的上方平面图,图3(b)是图3(a)所示形态的斜视图。图4(a)是在图3所示的第一中间层上载置第二导电层以及第二电子元件后的上方平面图,图4(b)是图4(a)所示形态的斜视图。图5(a)是在图4所示的第一中间层、第二导电层以及第二电子元件上载置第二中间层后的上方平面图,图5(b)是图5(a)所示形态的斜视图。图6(a)是在图5所示的第二中间层上载置第二基板后的上方平面图,图6(b)是图6(a)所示形态的斜视图。图7(a)是将图6所示的第一基板、第一中间层、第二中间层以及第二电基板树脂封装后的上方平面图,图7(b)是图7(a)所示形态的斜视图。图8(a)是本专利技术的实施方式中使用的第一中间层的表面一侧的上方平面图,图8(b)是图8(a)所示的第一中间层的斜视图。图9(a)是本专利技术的实施方式中使用的第二中间层的表面一侧的上方平面图,图9(b)是图9(a)所示的第二中间层的斜视图。图10(a)是本专利技术的实施方式中使用的第一中间层的背面一侧的下方平面图,图10(b)是本专利技术的实施方式中使用的第二中间层的背面一侧的下方平面图。图11是本专利技术的实施方式的变形例中使用的第一中间层的上方平面图。具体实施方式《构成》本实施方式中的半导体装置如图1所示,具有:第一基板10、以及被设置在第一基板10上的中间层20。如图2所示,第一基板10具有:第一基板本体10a、被设置在第一基板本体10a上的第一导电层11、被设置在第一导电层11上的第一电子元件12、以及被设置在第一导电层11上,并且沿宽度方向(图2(a)中的上下方向)延展的连接端子13。在图2所示的形态中,两个第一电子元件12相对于通过半导体装置的中心并沿宽度方向的直线呈线对称配置。第一电子元件12在其上下面上设置有端子12a,并且在该端子12a上载置有焊锡12b。如图1所示,可以在第一基板本体10a的下方面上设置有散热板19。如图1所示,本实施方式中的半导体装置可以是以中间层20为基准在第一基板10一侧与相反一侧(图1中的上侧)设置第二基板60。也可以是在第二基板本体60a的上方面上设置散热板69。中间层20具有:多个连接头31、41(参照图8以及图9)、以及固定多个连接头31、41的树脂基板部39、49。后述的第一连接头31在第一基板10一侧从后述的第一树脂基板部39外露,并且与第一导电层11或第一电子元件12相连接。另外,第一连接头31在第二基板60一侧也从第一树脂基板部39外露,并且与第二导电层61或第二电子元件62相连接。如图1所示,中间层20也可以具有:第一中间层30、以及被设置在第一中间层30上的第二中间层40。如图8所示,第一中间层30也可以具有:第一连接头31、以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一基板,具有:第一导电层、以及被设置在所述第一导电层上的第一电子元件;以及中间层,被设置在所述第一基板上,并且具有:多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部,其中,所述连接头在所述第一基板一侧从所述树脂基板部外露,并且与所述第一导电层或所述第一电子元件相连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一基板,具有:第一导电层、以及被设置在所述第一导电层上的第一电子元件;以及中间层,被设置在所述第一基板上,并且具有:多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部,其中,所述连接头在所述第一基板一侧从所述树脂基板部外露,并且与所述第一导电层或所述第一电子元件相连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:其中,所述连接头在与所述第一基板一侧相反的一侧从所述树脂基板部外露,并且在所述连接头上设置有第二电子元件。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:其中,所述中间层具有:第一中间层、以及被设置在所述第一中间层上的第二中间层,所述第一中间层具有:第一连接头、以及固定所述第一连接头的第一树脂基板部,所述第二中间层具有:第二连接头、以及固定所述第二连接头的第二树脂基板部。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:其中,所述第一连接头从所述第一树脂基板部向设置有所述第二中间层一侧突出,所述第二树脂基板部上设置有用于将从所述第一树脂基板部突出的所述第一连接头插入的第二插入部。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于:其中,所述第二连接头从所述第二树脂基板部向被设置有所述第一中间层一侧突出,所述第一树脂基板部上设置有用于将从所述第二树脂基板部突出的所述第二连接头插入的第一插入部。6.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:其中,所述第一树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员:池田康亮
申请(专利权)人:新电元工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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