电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置及其制造方法关联申请的相互参照本申请基于2016年4月4日提出的日本专利申请第2016－75388号，在此引用其全部内容。
本公开涉及树脂封固型的电子装置及其制造方法。
技术介绍
已知有具备电子零件、将电子零件封固的封固树脂体、跨封固树脂体的内外延伸设置的引线框、和在封固树脂体的内部中将电子零件与引线框电连接的接合线的树脂封固型的电子装置。引线框具有配置在封固树脂体的内部中的内引线、和与内引线相连、突出到封固树脂体的外部的外引线。在专利文献1中，公开了一种树脂封固型的电子装置(半导体封装)，为了抑制封固树脂体从引线框剥离而造成接合线断线，该树脂封固型的电子装置(半导体封装)具备在多层中被实施了镀层的引线框。在专利文献1中，对引线框整面实施铜(Cu)触击镀层，接着将外引线用夹具遮蔽，对内引线实施粗面化铜(Cu)镀层。接着，使用在内引线的前端部开口、将其他部分遮蔽的夹具，对前端部实施银(Ag)镀层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－299538号公报
技术实现思路
根据专利文献1所公开的以往技术，通过表面呈凹凸的粗面化铜(Cu)镀层的锚固效应，能够抑制封固树脂体从引线框剥离。即，能够抑制封固树脂体的剥离进展到接合线的连接区域而接合线断线的情况。此外，粗面化镀层上的接合线的连接区域中被实施了Ag镀层，由此连接区域成为大致平坦，能够将接合线连接。但是，在以往技术中，至少需要以3个阶段实施镀层。因此，引线框、进而电子装置的结构较复杂。此外，为了局部地实施镀层而需要形成掩模、在镀层后将掩模除去。因此，制造工艺较复杂。本公开的目的是提供一种能够抑制由封固树脂体的剥离造成的接合线的断线、并且使结构及制造工艺简洁化的电子装置及其制造方法。根据本公开的第一技术方案，电子装置具备：电子零件；封固树脂体，将电子零件封固；引线框，具有配置在封固树脂体的内部中的内引线、和与内引线相连并突出到封固树脂体的外部的外引线，该引线框跨封固树脂体的内外而延伸设置；以及接合线，在封固树脂体的内部中，将电子零件与内引线电连接。内引线具有使用金属材料形成的基材、和至少在基材的表面中的、内引线中的连接接合线的接合面侧的表面上形成的被膜(保护膜)。被膜(保护膜)具有金属薄膜和氧化膜，所述金属薄膜被形成在基材的表面上，在一部分上连接着接合线，所述氧化膜由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成，在金属薄膜上、除了接合线的连接区域以外的部分的至少一部分上形成。氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜，在接合面中，如果设与外引线侧的端部相反的端部为前端部，则凹凸氧化膜在作为比连接区域靠前端部侧的区域的前端区域的至少一部分上形成。本公开的专利技术者专门研究的结果发现，基于封固树脂体和引线框的线膨胀系数差而产生的热应力，会集中于内引线中的接合面的前端部。相对于此，在有关本公开的一技术方案的电子装置中，在比连接区域更靠前端侧的前端区域的至少一部分上，在金属薄膜上形成有凹凸氧化膜。凹凸氧化膜的表面连续而呈现凹凸，通过锚固效应及接触面积增加的效应，能够抑制封固树脂体的剥离。因而，能够抑制封固树脂体的剥离进展到连接区域。即，能够抑制接合线断线。此外，通过做成在金属薄膜上形成有氧化膜的结构，能够起到上述效果。因而，能够抑制封固树脂体的剥离，并且使引线框、进而电子装置的结构简洁化。此外，表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成。因此，与以往相比能够使制造工艺简洁化。根据本公开的第二技术方案，一种电子装置的制造方法，所述电子装置具备：电子零件；封固树脂体，将电子零件封固；引线框，具有配置在封固树脂体的内部中的内引线、和与内引线相连并突出到封固树脂体的外部的外引线，该引线框跨封固树脂体的内外而延伸设置；以及接合线，在封固树脂体的内部中，将电子零件与内引线电连接；内引线具有使用金属材料形成的基材、和至少在基材的表面中的、内引线中的连接接合线的接合面侧的表面上形成的被膜(保护膜)；被膜(保护膜)具有金属薄膜和氧化膜，所述金属薄膜被形成在基材的表面上，在一部分上连接着接合线，所述氧化膜由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成，形成在金属薄膜上、除了接合线的连接区域以外的部分的至少一部分上；氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜；电子装置的制造方法具备：准备形成有金属薄膜的基材；在接合面中，如果设与外引线侧的端部相反的端部为前端部，则对金属薄膜的表面中的作为比连接区域更靠前端部侧的区域的前端区域的至少一部分照射脉冲振荡的激光，形成凹凸氧化膜；在形成凹凸氧化膜之后，经由接合线将电子零件与内引线连接；成形封固树脂体，以将接合线、电子零件及内引线覆盖。由此，通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光，能够形成表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜。因而，能够抑制封固树脂体的剥离进展到连接区域。即，能够抑制接合线断线。此外，能够使引线框、进而电子装置的结构简洁化。进而，能够使制造工序简洁化。附图说明关于本公开的上述目的及其他目的、特征及优点，一边参照附图一边通过下述详细的记述会变得明确。图1是表示应用了第1实施方式的半导体装置的电力变换装置的概略结构的图。图2是表示有关第1实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。图3是在图2所示的半导体装置中、省略了封固树脂体的图。图4是沿着图2的IV－IV线的剖视图。图5是表示信号端子的平面图。图6是沿着图5的VI－VI线的剖视图，表示被封固树脂体覆盖的状态。图7是表示半导体装置的制造方法的剖视图，对应于图6。图8是表示激光的照射工序的平面图。图9是表示激光照射后的状态的剖视图，对应于图6。图10是表示接合线的连接工序的剖视图，对应于图6。图11是表示应力解析结果的图。图12是表示有关第2实施方式的半导体装置的信号端子的平面图。图13是表示有关第3实施方式的半导体装置的信号端子的平面图。图14是表示有关第4实施方式的半导体装置的信号端子的平面图。图15是作为第1变形例的信号端子的平面图。图16是作为第2变形例的信号端子的平面图。具体实施方式参照附图说明多个实施方式。在多个实施方式中，对于在功能上及/或构造上对应的部分赋予相同的标号。以下，将半导体芯片的厚度方向表示为Z方向，将与Z方向正交、主端子及信号端子的延伸设置方向表示为Y方向。此外，将与Z方向及Y方向的两方向正交的方向表示为X方向。只要没有特别说明，就设沿着由上述的X方向及Y方向规定的XY面的形状为平面形状。(第1实施方式)首先，基于图1，对应用了半导体装置的电力变换装置的一例进行说明。图1所示的电力变换装置1构成为，将从直流电源2(电池)供给的直流电压变换为三相交流，向三相交流方式的马达3输出。这样的电力变换装置1例如被搭载在电动汽车或混合动力车中。另外，电力变换装置1也能够将由马达3发电的电力变换为直流而向直流电源2充电。图1所示的标号4表示平滑电容器。电力变换装置1具有三相逆变器。三相逆变器具有设置在连接于直流电源2的正极(高电位侧)的高电位电源线5与连接于负极(低电位侧)的低电位电源线6之间的三相的上下臂。并且，各相的上下臂分别由半导体装置10构成。即，由一个半导体装置10构成一相的上下臂。半导体装置10具备IGBT元件、和逆并联地连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，具备：电子零件(12)；封固树脂体(11)，将上述电子零件封固；引线框(25)，具有配置在上述封固树脂体的内部的内引线(250)、和与上述内引线相连并突出到上述封固树脂体的外部的外引线(251)，该引线框(25)跨上述封固树脂体的内外而延伸设置；以及接合线(26)，在上述封固树脂体的内部，将上述电子零件与上述内引线电连接；上述内引线具有基材(252)以及被膜(253)，上述基材(252)使用金属材料而形成，上述被膜(253)至少在上述基材的表面中、上述内引线中的连接上述接合线的接合面(250a)侧的表面上形成；上述被膜具有金属薄膜(254)和氧化膜(255)，上述金属薄膜(254)被形成在上述基材的表面上，在一部分上连接着上述接合线，上述氧化膜(255)由与上述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成，形成在上述金属薄膜上除上述接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上；上述氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)；在上述接合面中，当设与上述外引线侧的端部相反的端部为前端部(250c)时，上述凹凸氧化膜形成在作为比上述连接区域靠上述前端部侧的区域的前端区域(250e)的至少一部分上。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.04 JP 2016-0753881.一种电子装置，具备：电子零件(12)；封固树脂体(11)，将上述电子零件封固；引线框(25)，具有配置在上述封固树脂体的内部的内引线(250)、和与上述内引线相连并突出到上述封固树脂体的外部的外引线(251)，该引线框(25)跨上述封固树脂体的内外而延伸设置；以及接合线(26)，在上述封固树脂体的内部，将上述电子零件与上述内引线电连接；上述内引线具有基材(252)以及被膜(253)，上述基材(252)使用金属材料而形成，上述被膜(253)至少在上述基材的表面中、上述内引线中的连接上述接合线的接合面(250a)侧的表面上形成；上述被膜具有金属薄膜(254)和氧化膜(255)，上述金属薄膜(254)被形成在上述基材的表面上，在一部分上连接着上述接合线，上述氧化膜(255)由与上述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成，形成在上述金属薄膜上除上述接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上；上述氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)；在上述接合面中，当设与上述外引线侧的端部相反的端部为前端部(250c)时，上述凹凸氧化膜形成在作为比上述连接区域靠上述前端部侧的区域的前端区域(250e)的至少一部分上。2.如权利要求1所述的电子装置，上述凹凸氧化膜在上述接合面中形成在上述前端区域中的包括上述前端部的部分上。3.如权利要求1或2所述的电子装置，当设上述外引线侧的端部为后端部(250d)时，上述凹凸氧化膜在上述接合面中，形成在作为比上述连接区域更靠上述后端部侧的区域的后端区域(250f)的至少一部分上。4.如权利要求3所述的电子装置，在与上述引线框的延伸设置方向正交的宽度方向上，上述凹凸氧化膜在上述连接区域上排列而形成；在上述前端区域上形成的凹凸氧化膜、在上述连接区域上排列而形成的凹凸氧化膜、以及在上述后端区域上形成的凹凸氧化膜一体地相连。5.如权利要求4所述的电子装置，上述凹凸氧化膜将上述连接区域包围。6.如权利要求1～5中任一项所述的电子装置，上述金属薄膜在形成有上述凹凸氧化膜的部分的表面上具有多个凹部(254a)。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田秀司，福冈大辅，林英二，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP