组合物及使用其的有机薄膜晶体管制造技术

一种组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为60质量ppm以下。〔式中，环A及环B各自独立地表示任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环。环C表示任选具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃环或任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环。Z1表示式(Z－1)所示的基团、式(Z－2)所示的基团、式(Z－3)所示的基团、式(Z－4)所示的基团或式(Z－5)所示的基团。所存在的两个以上的Z1彼此相同或不同。〕〔式中，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～30的烷基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷基等。在R1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。〕

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物及使用其的有机薄膜晶体管
本专利技术涉及组合物及使用其的有机薄膜晶体管。
技术介绍
与以往的使用了无机半导体材料的晶体管相比，使用了有机半导体材料的有机薄膜晶体管除了能够以低温进行制造之外，还可期待器件的轻量化、制造成本的降低，因此正在积极进行研究开发。作为有机半导体材料所使用的组合物，报告有：含有包含Pd的化合物和下述式所示的高分子化合物、且组合物中的Pd的含有率为508～3124ppm的组合物(非专利文献1)。另外，有报告称：在这些组合物中，组合物中的Pd的含有率不会影响场效应迁移率。现有技术文献非专利文献非专利文献1：Org.Electron.、2009、10、215－221
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，根据有机半导体材料种类的不同，使用了该有机半导体材料的有机薄膜晶体管的场效应迁移率未必充分。因此，本专利技术的目的在于，提供对于场效应迁移率高的有机薄膜晶体管的制造而言有用的组合物及该有机薄膜晶体管。用于解决课题的方法本专利技术如下所示。[1]一种组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为60质量ppm以下。[化1]〔式中，环A及环B各自独立地表示任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环。环C表示任选具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃环或任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环。这些基团所任选具有的取代基选自下述组1。Z1表示式(Z－1)所示的基团、式(Z－2)所示的基团、式(Z－3)所示的基团、式(Z－4)所示的基团或式(Z－5)所示的基团。所存在的两个以上的Z1彼此相同或不同。组1：碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数1～30的烷氧基、碳原子数3～30的环烷氧基、碳原子数1～30的烷硫基、碳原子数3～30的环烷硫基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～30的1价杂环基、卤素原子、－Si(R’)3所示的基团(3个R’各自独立地表示氢原子、碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基或任选具有烷基的碳原子数2～30的1价杂环基)、－N(R’)2(2个R’表示与上述相同的含义)所示的基团、碳原子数2～30的链烯基、碳原子数3～30的环烯基、碳原子数2～30的链炔基、碳原子数3～30的环炔基、羟基、硝基、氰基、羧基、碳原子数2～30的烷基羰基、碳原子数4～30的环烷基羰基、碳原子数2～30的烷氧基羰基、碳原子数4～30的环烷氧基羰基。〕[化2]〔式中，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～30的烷基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷氧基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷氧基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷硫基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷硫基、任选具有取代基的碳原子数6～30的芳基或任选具有取代基的碳原子数2～30的1价杂环基。R1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。〕[2]根据[1]所述的组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为30质量ppm以下。[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，上述式(1)所示的结构单元为式(1－1)所示的结构单元、式(1－2)所示的结构单元或式(1－3)所示的结构单元。[化3]〔式中，环C及Z1表示与上述相同的含义。X1表示氧原子、硫原子或硒原子。所存在的两个以上的X1彼此相同或不同。Y1表示氮原子或－CR2＝(R2表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷氧基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷氧基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷硫基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷硫基、任选具有取代基的碳原子数6～30的芳基、任选具有取代基的碳原子数2～30的1价杂环基或卤素原子)所示的基团。所存在的两个以上的Y1彼此相同或不同。〕[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，上述式(1)中的环A及环B各自独立地为由任选具有取代基的5元环和/或6元环的杂环形成的碳原子数3～10的杂环。[5]根据[4]所述的组合物，其中，上述式(1)中的环A及环B相同，为任选具有取代基的噻吩环或任选具有取代基的噻吩并噻吩环。[6]根据[1]～[5]中任一项所述的组合物，其中，上述环C为任选具有取代基的苯环、任选具有取代基的萘环、任选具有取代基的苯并二噻吩环、任选具有取代基的苯并噻吩环、或者噻吩并噻吩环。[7]根据[6]所述的组合物，其中，上述环C为任选具有取代基的苯环或任选具有取代基的萘环。[8]根据[3]、[6]或[7]所述的组合物，其中，上述X1为硫原子。[9]根据[3]、[6]、[7]或[8]所述的组合物，其中，上述Y1为－CH＝所示的基团。[10]根据[1]～[9]中任一项所述的组合物，其中，上述Z1为上述式(Z－1)所示的基团。[11]根据[1]～[10]中任一项所述的组合物，其中，包含上述式(1)所示结构单元的高分子化合物还包含式(2)所示的结构单元(其中，与上述式(1)所示的结构单元不同)。[化4]〔式中，Ar表示任选具有取代基的碳原子数6～60的亚芳基或任选具有取代基的碳原子数2～30的2价杂环基。这些基团所任选具有的取代基选自下述组2。其中，式(2)所示的结构单元与式(1)所示的结构单元不同。组2：碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数1～30的烷氧基、碳原子数3～30的环烷氧基、碳原子数1～30的烷硫基、碳原子数3～30的环烷硫基、碳原子数6～30的1价芳基、碳原子数2～30的1价杂环基及卤素原子。〕[12]一种墨液组合物，其包含[1]～[11]中任一项所述的组合物和有机溶剂，(组合物的质量)/(组合物及有机溶剂的质量)×100的值为0.1质量％以上且20质量％以下。[13]一种有机薄膜晶体管，其具有栅电极、源电极、漏电极、有机半导体层及栅极绝缘层，上述有机半导体层包含[1]～[11]中任一项所述的组合物。附图说明图1为第1实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图2为第2实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图3为第3实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图4为第4实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图5为第5实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图6为第6实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图7为第7实施方式的有机薄膜晶体管的示意剖视图。图8为表示使用实施例7～9、比较例6～8的有机薄膜晶体管测定的迁移率相对于高分子化合物所含有的Pd量的依存性的图表。图9为表示使用实施例7～9、比较例6～8的有机薄膜晶体管测定的迁移率相对于高分子化合物所含有的P量的依存性的图表。图10为表示使用实施例10～14、比较例9～12的有机薄膜晶体管测定的迁移率相对于高分子化合物所含有的Pd本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为60质量ppm以下，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.29 JP 2016-0152491.一种组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为60质量ppm以下，式(1)中，环A及环B各自独立地表示任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环；环C表示任选具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃环或任选具有取代基的碳原子数2～30的杂环，这些基团所任选具有的取代基选自下述组1；Z1表示式(Z－1)所示的基团、式(Z－2)所示的基团、式(Z－3)所示的基团、式(Z－4)所示的基团或式(Z－5)所示的基团，所存在的两个以上的Z1彼此相同或不同；组1：碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数1～30的烷氧基、碳原子数3～30的环烷氧基、碳原子数1～30的烷硫基、碳原子数3～30的环烷硫基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～30的1价杂环基、卤素原子、－Si(R’)3所示的基团、－N(R’)2所示的基团、碳原子数2～30的链烯基、碳原子数3～30的环烯基、碳原子数2～30的链炔基、碳原子数3～30的环炔基、羟基、硝基、氰基、羧基、碳原子数2～30的烷基羰基、碳原子数4～30的环烷基羰基、碳原子数2～30的烷氧基羰基、碳原子数4～30的环烷氧基羰基，其中，所述－Si(R’)3所示的基团中，3个R’各自独立地表示氢原子、碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基或任选具有烷基的碳原子数2～30的1价杂环基，所述－N(R’)2所示的基团中，2个R’表示与上述相同的含义；式中，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～30的烷基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷氧基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷氧基、任选具有取代基的碳原子数1～30的烷硫基、任选具有取代基的碳原子数3～30的环烷硫基、任选具有取代基的碳原子数6～30的芳基或任选具有取代基的碳原子数2～30的1价杂环基，R1存在两个以上的情况下，它们相同或不同。2.根据权利要求1所述的组合物，其具有：包含式(1)所示结构单元的高分子化合物；以及选自包含Pd的化合物、包含P的化合物、以及包含Pd及P的化合物中的1种以上的化合物，高分子化合物的含有率为95质量％以上，Pd的含有率为50质量ppm以下，且P的含有率为30质量ppm以下。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述式(1)所示的结构单元为式(1－1)所示的结构单元、式(1－2)所示的结构单元或式(1－3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：金坂将，吉田秀和，樫木友也，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP