一种动态扬声器驱动电路制造技术

技术编号:19069142 阅读:81 留言:0更新日期:2018-09-29 15:18
本发明专利技术涉及扬声器驱动电路技术领域,尤其涉及一种低成本动态扬声器驱动电路,包括SOC芯片、动态扬声器以及由四个MOS管、两个上拉电阻以及两个下拉电阻组成的H桥放大电阻。本发明专利技术的发明专利技术目的在于提供一种动态扬声器驱动电路,采用本发明专利技术提供的技术方案解决了现有动态扬声器采用DAC+CLASS D方案造成产品设计成本高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种动态扬声器驱动电路
本专利技术涉及扬声器驱动电路
,尤其涉及一种低成本动态扬声器驱动电路。
技术介绍
目前,汽车电子产品上使用蜂鸣器输出单一频率报警声音已经不能够满足市场需求,采用和弦音或语音来进行报警已经成为潮流,随着潮流,整车厂也将要求汽车电子供应商使用动态扬声器(动态扬声器)替代蜂鸣器方案。目前,动态扬声器驱动普遍采用DAC+CLASSD方案,该方案存在成本较高的缺点。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于提供一种动态扬声器驱动电路,采用本专利技术提供的技术方案解决了现有动态扬声器采用DAC+CLASSD方案造成产品设计成本高的技术问题。为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种动态扬声器驱动电路,包括SOC芯片、两个P沟道MOS管、两个上拉电阻、两个N沟道MOS管、两个下拉电阻以及动态扬声器;SOC芯片,用于对输入的PCM信号进行固定频率采样得到PWM信号,所述PWM信号分别于所述SOC芯片的P口和N口输出;第一P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第一上拉电阻;第一P沟道MOS管的D极接入第一N沟道MOS管的D极;第一N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第一下拉电阻;第二P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第二上拉电阻;第二P沟道MOS管的D极接入第二N沟道MOS管的D极;第二N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第二下拉电阻;SOC芯片的P口和N口分别接入第一P沟道MOS管的G极与第一N沟道MOS管的G极之间以及第二P沟道MOS管的G极与第二N沟道MOS管的G极之间;动态扬声器的两极分别接入第一P沟道MOS管的D极与第一N沟道MOS管的D极之间以及第二P沟道MOS管的D极与第二N沟道MOS管的D极之间。优选的,所述SOC芯片用于对输入的PCM信号进行固定频率采样得到PWM信号;所述固定频率大于或等于44KHz。优选的,所述SOC芯片的P口和N口不同时为低电平或高电平。优选的,还包括有两个电感和两个电容组成的低频滤波电路;所述动态扬声器的两极分别通过两个电容接地,并分别通过两个电感接入第一P沟道MOS管的D极与第一N沟道MOS管的D极之间以及第二P沟道MOS管的D极与第二N沟道MOS管的D极之间。本专利技术提供的技术方案通过SOC内部把各种报警声音素材转换输出PWM,再通过由四个MOS管组成的H桥放大电路输出至动态扬声器,通过动态扬声器发出各种不同声音素材的报警声音,大幅度降低动态扬声器驱动设计成本,可靠性高,适于大批量推广应用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对本专利技术实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一部分实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例电路连接示意图;图2为本专利技术实施例SOC芯片P口和N口输出信号波形图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。目前,动态扬声器驱动普遍采用DAC+CLASSD方案,该方案存在成本较高的缺点。请参见图1,为了解决上述技术问题,本实施例提供一种动态扬声器驱动电路,包括SOC芯片、两个P沟道MOS管、两个上拉电阻、两个N沟道MOS管、两个下拉电阻以及动态扬声器。其中两个P沟道MOS管分别为第一P沟道MOS管Q1和第二P沟道MOS管Q2,两个上拉电阻分别为第一上拉电阻R1和第二上拉电阻R2,两个N沟道MOS管分别为第一N沟道MOS管Q3和第二N沟道MOS管Q4,两个下拉电阻分别为第一下拉电阻R3和第二下拉电阻R4。其中,SOC芯片,用于对输入的PCM信号进行固定频率采样得到PWM信号,PWM信号分别于SOC芯片的P口和N口输出,PCM信号为各种报警声音素材。具体的,第一P沟道MOS管Q1的S极接入5V电源,并与G极之间接入第一上拉电阻R1;第一P沟道MOS管Q1的D极接入第一N沟道MOS管Q3的D极;第一N沟道MOS管Q3的S极接地,并与G极之间接入第一下拉电阻R3。第二P沟道MOS管Q2的S极接入5V电源,并与G极之间接入第二上拉电阻R2;第二P沟道MOS管Q2的D极接入第二N沟道MOS管Q4的D极;第二N沟道MOS管Q4的S极接地,并与G极之间接入第二下拉电阻R4。在上述结构中,两个上拉电阻分别为两个P沟道MOS管的上拉电阻,保证第一P沟道MOS管Q1和第二P沟道MOS管Q2在无输入信号时为截止状态;两个下拉电阻分别为两个N沟道MOS管的下拉电阻,保证第一N沟道MOS管Q3和第二N沟道MOS管Q4在无输入信号时为截止状态。SOC芯片的P口和N口分别接入第一P沟道MOS管Q1的G极与第一N沟道MOS管Q3的G极之间以及第二P沟道MOS管Q2的G极与第二N沟道MOS管Q4的G极之间。其中,SOC芯片的P口和N口不同时为低电平或高电平。动态扬声器的两极分别接入第一P沟道MOS管Q1的D极与第一N沟道MOS管Q3的D极之间以及第二P沟道MOS管Q2的D极与第二N沟道MOS管Q4的D极之间。本实施例提供的驱动电路,P口和N口分别为SOC芯片内部将PCMSample进行固定频率采样(44KHz或更高频率)转换为PWMSample的输出信号,请参见图2,当输入信号P口为低电平时,输入信号N口同时为高电平,即第一P沟道MOS管Q1和第二N沟道MOS管Q4导通,第二P沟道MOS管Q2和第一N沟道MOS管Q3截止,Speaker+输出为高电平,Speaker-输出为低电平;若输入信号P口为高电平时,输入信号N口同时为低电平,即第一P沟道MOS管Q1和第二N沟道MOS管Q4截止,第二P沟道MOS管Q2和第一N沟道MOS管Q3导通,Speaker+输出为低电平,Speaker-输出为高电平。通过四个MOS管组成的H桥放大电路对PWM信号实现驱动放大。本实施例还包括有两个电感和两个电容组成的低频滤波电路,两个电感分别为第一电感L1和第二电感L2,两个电容分别为第一电容C1和第二电容C2。动态扬声器的两极分别通过第一电容C1和第二电容C2接地,并分别通过第一电感L1和第二电感L2接入第一P沟道MOS管Q1的D极与第一N沟道MOS管Q3的D极之间以及第二P沟道MOS管Q2的D极与第二N沟道MOS管Q4的D极之间。驱动放大后的PWM信号经过两个电感和两个电容组成的低通滤波电路滤波后,驱动动态扬声器发出各种声音素材的报警声音。本实施例提供的技术方案通过SOC内部把各种报警声音素材转换输出PWM,再通过由四个MOS管组成的H桥放大电路输出至动态扬声器,再经过低通滤波输出至动态扬声器,通过动态扬声器发出各种不同声音素材的报警声音,大幅度降低动态扬声器驱动设计成本,可靠性高,适于大批量推广应用。以上所述的实施方式,并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在该技术方案的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态扬声器驱动电路,其特征在于:包括SOC芯片、两个P沟道MOS管、两个上拉电阻、两个N沟道MOS管、两个下拉电阻以及动态扬声器;SOC芯片,用于对输入的PCM信号进行固定频率采样得到PWM信号,所述PWM信号分别于所述SOC芯片的P口和N口输出;第一P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第一上拉电阻;第一P沟道MOS管的D极接入第一N沟道MOS管的D极;第一N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第一下拉电阻;第二P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第二上拉电阻;第二P沟道MOS管的D极接入第二N沟道MOS管的D极;第二N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第二下拉电阻;SOC芯片的P口和N口分别接入第一P沟道MOS管的G极与第一N沟道MOS管的G极之间以及第二P沟道MOS管的G极与第二N沟道MOS管的G极之间;动态扬声器的两极分别接入第一P沟道MOS管的D极与第一N沟道MOS管的D极之间以及第二P沟道MOS管的D极与第二N沟道MOS管的D极之间。

【技术特征摘要】
1.一种动态扬声器驱动电路,其特征在于:包括SOC芯片、两个P沟道MOS管、两个上拉电阻、两个N沟道MOS管、两个下拉电阻以及动态扬声器;SOC芯片,用于对输入的PCM信号进行固定频率采样得到PWM信号,所述PWM信号分别于所述SOC芯片的P口和N口输出;第一P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第一上拉电阻;第一P沟道MOS管的D极接入第一N沟道MOS管的D极;第一N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第一下拉电阻;第二P沟道MOS管的S极接入电源,并与G极之间接入第二上拉电阻;第二P沟道MOS管的D极接入第二N沟道MOS管的D极;第二N沟道MOS管的S极接地,并与G极之间接入第二下拉电阻;SOC芯片的P口和N口分别接入第一P沟道MOS管的G极与第一N沟道MOS管的G极之间以及第二P沟道MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋军平杨全义钟声胡熙光
申请(专利权)人:惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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