彩色OLED基板的制作方法及彩色OLED基板技术

本发明专利技术提供的彩色OLED基板的制作方法及及彩色OLED基板，该方法包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案和PSPI对位标；步骤3、对所述PSPI图案对位标进行对位，蒸镀有机发光层。本发明专利技术提供的彩色OLED基板的制作方法及彩色OLED基板能够有效降低有机发光层与PSPI图案的制作误差，从而能够有效保证有机发光层镀膜位置相对于PSPI层的边缘位置的误差控制为镀膜系统的对位误差，有效降低了有机发光层与PSPI图案间的误差，从而能够给掩膜板出现变形时提供更高的容错空间，降低掩膜板变形带来的边缘材料堆积问题甚至导致混色问题的影响，也就能够有效降低了在蒸镀有机发光层时出现混色的概率，有效提高生产OLED的良品率。

【技术实现步骤摘要】
彩色OLED基板的制作方法及彩色OLED基板
本专利技术涉及了显示
，特别是涉及了彩色OLED基板的制作方法及彩色OLED基板。
技术介绍
像素并置法是目前彩色OLED基板最常用的制作方法，即将不同颜色如红、绿、蓝等的子像素并行循环排布，其中在形成过程中不同颜色的有机发光层需要分别蒸镀。这样当某一颜色的有机发光层材料镀膜时，其他颜色的材料都被掩膜板遮蔽，例如在蒸镀绿色发光层，红色及蓝色发光层材料被遮蔽。而现有的彩色OLED基板特别是PMOLED基板的制作过程中，常常出现掩膜板的开口为狭缝型的情况，即开口长度相对较大，一般在厘米级别，而且线宽较小，一般在100~200μm之间，这样的掩膜板极容易因材料张力产生变形，从而在蒸镀时出现对位偏移的情况下就很容易出现网口边缘材料堆积等问题，需要工程人员设法清理掩膜板狭缝边缘堆积的材料，增加了工序工时，降低了生产良品率和生产效率，从而就对现有的镀膜系统的制作误差提出了极高的要求，而现有的镀膜系统的图案制程误差和对位误差一般都已经固定，在设备确定的前提上难以改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是能够有效降低降低有机发光层与PSPI图案的制作误差，从而降低掩膜板出现变形时导致边缘材料堆积问题甚至混色问题的影响，提高了生产良品率和生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种彩色OLED基板的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案；步骤3、对位所述PSPI图案，蒸镀有机发光层。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤1包括：步骤1.1、提供一透明基板；步骤1.2、在所述透明基板上制作SiO2层；步骤1.2、在所述SiO2层上镀第一ITO层。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤2包括以下步骤：步骤2.1、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；步骤2.2、对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；步骤2.3、对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤3包括：通过发光层掩膜板对所述PSPI图案进行对位；分别蒸镀R、G、B有机发光层；还包括蒸镀共用空穴注入层、共用空穴传输层、共用电子传输层、共用电子注入层。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤3之后还包括制作阴极层。本专利技术还提供了再一种彩色OLED基板的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案；并在制作所述PSPI图案的制程中同时形成有机发光层对位标；步骤3、对位所述有机发光层对位标，蒸镀有机发光层。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤2包括以下步骤：步骤2.1、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；步骤2.2、对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；步骤2.3、对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案并在制作所述PSPI图案的制程中同时形成有机发光层对位标。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤3包括：通过发光层掩膜板对所述有机发光层对位标进行对位；分别蒸镀R、G、B有机发光层；还包括蒸镀共用空穴注入层、共用空穴传输层、共用电子传输层、共用电子注入层。作为本专利技术的一种优选方案，所述PSPI对位标的形状为圆形、×形或十字形。进一步地，还提供了一种彩色OLED基板，采用以上任一项所述的彩色OLED基板的制作方法获得。本专利技术具有如下技术效果：本专利技术提供的彩色OLED基板的制作方法及彩色OLED基板通过在蒸镀有机发光层时通过PSPI图案或与PSPI同一制程同时形成的有机发光层来实现对位，从而能够有效降低有机发光层与PSPI图案的制作误差，从而能够有效保证有机发光层镀膜位置相对于PSPI层的边缘位置的误差控制为镀膜系统的对位误差，有效降低了有机发光层与PSPI图案间的误差，从而能够给掩膜板出现变形时提供更高的容错空间，降低掩膜板变形带来的边缘材料堆积问题甚至导致混色问题的影响，也就能够有效降低了在蒸镀有机发光层时出现混色的概率，有效提高了生产OLED的良品率。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种彩色OLED基板的制作方法的流程框图；图2为本专利技术实施例二提供的一种彩色OLED基板的制作方法的流程框图。具体实施方式为使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。实施例一如图1所示，其表示了本专利技术提供的一种彩色OLED基板的制作方法。该彩色OLED基板的制作方法具体包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；具体地，所述步骤1可以包括：步骤1.1、提供一透明基板；步骤1.2、在所述透明基板上制作SiO2层；步骤1.2、在所述SiO2层上镀第一ITO层。步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案；具体地，在本实施例中，所述步骤2包括以下步骤：步骤2.1、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；步骤2.2、对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；步骤2.3、对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案。步骤3、对位所述PSPI图案，蒸镀有机发光层。具体地，所述步骤3可以包括：通过发光层掩膜板对所述PSPI图案进行对位；分别蒸镀R、G、B有机发光层；即分别蒸镀红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层；还包括蒸镀共用空穴注入层、共用空穴传输层、共用电子传输层、共用电子注入层。具体地，分别蒸镀R、G、B有机发光层时以PSPI图案为对位基准；而蒸镀共用空穴注入层、共用空穴传输层、共用电子传输层、共用电子注入层，由于均为共用的有机功能层，对位精度要求不高，可以不必以PSPI图案为对位基准。本实施例提供的一种彩色OLED基板的制作方法在通过在蒸镀有机发光层时通过PSPI图案来实现对位，即以PSPI图案作为对位基准，从而能够有效降低有机发光层与PSPI图案的制作误差。具体地，现有的镀膜系统的对位误差为a，图案制程误差为b，这样，由于金属图案和PSIPI图案为依次制作，制作完成后最大图案制程误差为2b，现有的蒸镀有机发光层的方法是通过金属图案对位标来实现对位的，考虑到对位误差a，制作完成后的有机发光层与PSPI图案的最大制作误差为a+2b；而OLED基板中不同颜色的有机发光层正是由PSPI图案来区分和界定的，这样的制作误差在掩膜板出现变形不良时就很容易导致有机发光层出现边缘材料堆积甚至导致混色的问题。本实施例提供的制作方法通过在蒸镀有机发光层时通过PSPI图案来实现对位，从而能够有效降低有机发光层与PSPI图案的制作误差，从而能够有效保证有机发光层镀膜位置相对于PSPI层的边缘位置的误差控制为a本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案；步骤3、对位所述PSPI图案，蒸镀有机发光层。

【技术特征摘要】
1.一种彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案、PSPI图案；步骤3、对位所述PSPI图案，蒸镀有机发光层。2.根据权利要求1所述的彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1包括：步骤1.1、提供一透明基板；步骤1.2、在所述透明基板上制作SiO2层；步骤1.2、在所述SiO2层上镀第一ITO层。3.根据权利要求1所述的彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括以下步骤：步骤2.1、在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；步骤2.2、对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；步骤2.3、对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案。4.根据权利要求1所述的彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：通过发光层掩膜板对所述PSPI图案进行对位，分别蒸镀R、G、B有机发光层；还包括蒸镀共用空穴注入层、共用空穴传输层、共用电子传输层、共用电子注入层。5.根据权利要求1所述的彩色OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3之后还包括制作阴极层。6.一种彩色OLED...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志猛，赵云，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44