一种半导体整流桥及其制备方法技术

技术编号:19063476 阅读:9 留言:0更新日期:2018-09-29 13:34
本发明专利技术公开了一种半导体整流桥及其制备方法,包括外壳组件、引脚组件、铝基陶瓷板、中心柱、底板组件、连桥、散热组件、减震组件和芯片组件,所述外壳组件包括前壳和后壳,所述减震组件包括减震海绵、橡胶套、缓冲孔和减震弹簧,所述前壳的一侧内壁对应两端均粘接有橡胶套,所述橡胶套的外侧均开设有若干个缓冲孔,所述减震弹簧套接在橡胶套的内部,所述散热组件包括集热棉、散热板和铜金属板,所述橡胶套的底端粘接有集热棉,所述集热棉的底端粘接有减震海绵,所述集热棉的顶端粘接有散热板,所述后壳的内壁四周均焊接有铜金属板,该整流桥,有利于进行高效散热,同时有利于减震,对零部件进行保护。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体整流桥及其制备方法
本专利技术涉及半导体整流桥
,具体为一种半导体整流桥及其制备方法。
技术介绍
整流桥就是将整流管封在一个壳内了,分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。但是一般的半导体整流桥只是单纯的通过金属板进行散热,散热效率并不高效,同时在外壳组件上没有安装减震机构,内部的机构安全系数降低,针对这种缺陷,所以我们设计一种半导体整流桥及其制备方法,来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体整流桥及其制备方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种半导体整流桥,包括外壳组件、引脚组件、铝基陶瓷板、中心柱、底板组件、连桥、散热组件、减震组件和芯片组件,所述外壳组件包括前壳和后壳,所述后壳的一侧内壁安装有铝基陶瓷板,所述铝基陶瓷板的一侧中心处安装有中心柱,所述铝基陶瓷板上安装有底板组件,所述底板组件上安装有芯片组件,所述芯片组件上安装有引脚组件,所述前壳的一侧内壁安装有减震组件;所述底板组件包括第一电极连接板、第二电极连接板、第三电极连接板和第四电极连接板,所述铝基陶瓷板的一侧底角位置处通过螺丝固定有第四电极连接板,所述铝基陶瓷板一侧位于第四电极连接板一侧位置处通过螺丝固定有第三电极连接板,所述铝基陶瓷板一侧位于第四电极连接板另一侧位置处通过螺丝固定有第一电极连接板,所述铝基陶瓷板一侧位于第四电极连接板对角位置处通过螺丝固定有第二电极连接板;所述芯片组件包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片和第四二极管芯片,所述第四电极连接板的一侧对应两端分别焊接固定有第三二极管芯片和第四二极管芯片,所述第三电极连接板的一侧焊接固定有第二二极管芯片,所述第一电极连接板的一侧焊接有第一二极管芯片,所述第三二极管芯片和第四二极管芯片均通过连桥分别与第一电极连接板和第三电极连接板连接,所述第一二极管芯片通过连桥与第二电极连接板连接,所述第二二极管芯片通过连桥与第二电极连接板连接;所述引脚组件包括第一直流输出引脚、第二直流输出引脚、第一交流电源引脚和第二交流电源引脚,所述第一电极连接板的一侧焊接有第二直流输出引脚,所述第二电极连接板的一侧焊接有第一直流输出引脚,所述第三电极连接板的一侧焊接有第二交流电源引脚,所述第四电极连接板的一侧焊接有第一交流电源引脚,所述第一直流输出引脚、第二直流输出引脚、第一交流电源引脚和第二交流电源引脚的一端均穿过前壳的外侧与外部空气接触;所述减震组件包括减震海绵、橡胶套、缓冲孔和减震弹簧,所述前壳的一侧内壁对应两端均粘接有橡胶套,所述橡胶套的外侧均开设有若干个缓冲孔,所述减震弹簧套接在橡胶套的内部;所述散热组件包括集热棉、散热板和铜金属板,所述橡胶套的底端粘接有集热棉,所述集热棉的底端粘接有减震海绵,所述集热棉的顶端粘接有散热板,所述后壳的内壁四周均焊接有铜金属板。一种半导体整流桥制备方法,包括如下步骤:步骤一,组件拼装;步骤二,镀镍与镀金;步骤三,灌胶;步骤四,平行缝焊;其中在上述的步骤一中,将铝基陶瓷板卡接在后壳的内壁上,再通过螺丝机将底板组件通过螺丝对应安装在铝基陶瓷板上,将芯片组件放置在点胶机上,在芯片组件上涂上焊接粘结剂,再使点胶机工作,将芯片组件一一对应钎焊在底板组件上,再通过连桥将芯片组件的部件对应进行连接,通过焊接抢将引脚组件一一对应焊接在芯片组件上,将减震组件通过强力胶与前壳粘接,再将散热组件对应好安装位置,一一进行拼接;其中在上述的步骤二中,在引脚组件、底板组件和芯片组件所有外露的金属面上从内到外先镀一层镍再镀一层金;其中在上述的步骤三中,然后向后壳中灌注高绝缘电阻灌封胶,以用于整体包裹后壳内部所有零件;其中在上述的步骤四中,待高绝缘电阻灌封胶固化后,将前壳与后壳通过平行缝焊焊接密封连接以使得前壳和后壳连接,构成一个内含空腔的密封箱体结构。根据上述技术方案,所述中心柱通过环氧树脂与铝基陶瓷板进行灌封连接。根据上述技术方案,所述步骤一中的钎焊材料为铅锡银钎料,比例为Pb92.5wt%—Sn5wt%—Ag2.5wt%。根据上述技术方案,所述步骤四中的焊接温度为290℃-300℃,焊接时间为1min。根据上述技术方案,所述步骤一中的钎焊需添加助焊溶剂,助焊溶剂为异丙醇和助焊剂的混合液。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术通过集热棉和铜金属板进行吸热,铜金属板有利于快速导热,使热量散发,同时集热棉将热量传递给散热板,进行散热,有利于提升散热效率;当前壳受到挤压时,使减震海绵抵触到后壳内部的部件,对橡胶套和减震弹簧型号才能挤压,由于缓冲孔的设置和减震弹簧的特性,有利于抵消部分挤压力,起到缓冲和减震的作用,保护零部件;将铝基陶瓷板卡接在后壳的内壁上,再通过螺丝机将底板组件通过螺丝对应安装在铝基陶瓷板上,将芯片组件放置在点胶机上,在芯片组件上涂上焊接粘结剂,再使点胶机工作,将芯片组件一一对应钎焊在底板组件上,再通过连桥将芯片组件的部件对应进行连接,通过焊接抢将引脚组件一一对应焊接在芯片组件上,将减震组件通过强力胶与前壳粘接,再将散热组件对应好安装位置,一一进行拼接,在引脚组件、底板组件和芯片组件所有外露的金属面上从内到外先镀一层镍再镀一层金,然后向后壳中灌注高绝缘电阻灌封胶,以用于整体包裹后壳内部所有零件,待高绝缘电阻灌封胶固化后,将前壳与后壳通过平行缝焊焊接密封连接以使得前壳和后壳连接,构成一个内含空腔的密封箱体结构,有利于制备整流桥,有利于制备整流桥。附图说明图1是本专利技术的整体结构图;图2是本专利技术的后壳结构图;图3是本专利技术的后壳结构图;图4是本专利技术的前壳内部结构图;图5是本专利技术的橡胶套内部结构图;图6是本专利技术的半导体整流桥制备方法流程图;图中标号:1、外壳组件;11;前壳;12、后壳;2、引脚组件;21、第一直流输出引脚;22、第二直流输出引脚;23、第一交流电源引脚;24、第二交流电源引脚;3、铝基陶瓷板;4、中心柱;5、底板组件;51、第一电极连接板;52、第二电极连接板;53、第三电极连接板;54、第四电极连接板;6、连桥;7、散热组件;71、集热棉;72、散热板;73、铜金属板;8、减震组件;81、减震海绵;82、橡胶套;83、缓冲孔;84、减震弹簧;9、芯片组件;91、第一二极管芯片;92、第二二极管芯片;93、第三二极管芯片;94、第四二极管芯片。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-5,本专利技术提供一种半导体整流桥,包括外壳组件1、引脚组件2、铝基陶瓷板3、中心柱4、底板组件5、连桥6、散热组件7、减震组件8和芯片组件9,外壳组件1包括前壳11和后壳12,后壳12的一侧内壁安装有铝基陶瓷板3,铝基陶瓷板3的一侧中心处安装有中心柱4,铝基陶瓷板3上安装有底板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体整流桥,包括外壳组件(1)、引脚组件(2)、铝基陶瓷板(3)、中心柱(4)、底板组件(5)、连桥(6)、散热组件(7)、减震组件(8)和芯片组件(9),其特征在于:所述外壳组件(1)包括前壳(11)和后壳(12),所述后壳(12)的一侧内壁安装有铝基陶瓷板(3),所述铝基陶瓷板(3)的一侧中心处安装有中心柱(4),所述铝基陶瓷板(3)上安装有底板组件(5),所述底板组件(5)上安装有芯片组件(9),所述芯片组件(9)上安装有引脚组件(2),所述前壳(11)的一侧内壁安装有减震组件(8);所述底板组件(5)包括第一电极连接板(51)、第二电极连接板(52)、第三电极连接板(53)和第四电极连接板(54),所述铝基陶瓷板(3)的一侧底角位置处通过螺丝固定有第四电极连接板(54),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)一侧位置处通过螺丝固定有第三电极连接板(53),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)另一侧位置处通过螺丝固定有第一电极连接板(51),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)对角位置处通过螺丝固定有第二电极连接板(52);所述芯片组件(9)包括第一二极管芯片(91)、第二二极管芯片(92)、第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94),所述第四电极连接板(54)的一侧对应两端分别焊接固定有第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94),所述第三电极连接板(53)的一侧焊接固定有第二二极管芯片(92),所述第一电极连接板(51)的一侧焊接有第一二极管芯片(91),所述第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94)均通过连桥(6)分别与第一电极连接板(51)和第三电极连接板(53)连接,所述第一二极管芯片(91)通过连桥(6)与第二电极连接板(52)连接,所述第二二极管芯片(92)通过连桥(6)与第二电极连接板(52)连接;所述引脚组件(2)包括第一直流输出引脚(21)、第二直流输出引脚(22)、第一交流电源引脚(23)和第二交流电源引脚(24),所述第一电极连接板(51)的一侧焊接有第二直流输出引脚(22),所述第二电极连接板(52)的一侧焊接有第一直流输出引脚(21),所述第三电极连接板(53)的一侧焊接有第二交流电源引脚(24),所述第四电极连接板(54)的一侧焊接有第一交流电源引脚(23),所述第一直流输出引脚(21)、第二直流输出引脚(22)、第一交流电源引脚(23)和第二交流电源引脚(24)的一端均穿过前壳(11)的外侧与外部空气接触;所述减震组件(8)包括减震海绵(81)、橡胶套(82)、缓冲孔(83)和减震弹簧(84),所述前壳(11)的一侧内壁对应两端均粘接有橡胶套(82),所述橡胶套(82)的外侧均开设有若干个缓冲孔(83),所述减震弹簧(84)套接在橡胶套(82)的内部;所述散热组件(7)包括集热棉(71)、散热板(72)和铜金属板(73),所述橡胶套(82)的底端粘接有集热棉(71),所述集热棉(71)的底端粘接有减震海绵(81),所述集热棉(71)的顶端粘接有散热板(72),所述后壳(12)的内壁四周均焊接有铜金属板(73)。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体整流桥,包括外壳组件(1)、引脚组件(2)、铝基陶瓷板(3)、中心柱(4)、底板组件(5)、连桥(6)、散热组件(7)、减震组件(8)和芯片组件(9),其特征在于:所述外壳组件(1)包括前壳(11)和后壳(12),所述后壳(12)的一侧内壁安装有铝基陶瓷板(3),所述铝基陶瓷板(3)的一侧中心处安装有中心柱(4),所述铝基陶瓷板(3)上安装有底板组件(5),所述底板组件(5)上安装有芯片组件(9),所述芯片组件(9)上安装有引脚组件(2),所述前壳(11)的一侧内壁安装有减震组件(8);所述底板组件(5)包括第一电极连接板(51)、第二电极连接板(52)、第三电极连接板(53)和第四电极连接板(54),所述铝基陶瓷板(3)的一侧底角位置处通过螺丝固定有第四电极连接板(54),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)一侧位置处通过螺丝固定有第三电极连接板(53),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)另一侧位置处通过螺丝固定有第一电极连接板(51),所述铝基陶瓷板(3)一侧位于第四电极连接板(54)对角位置处通过螺丝固定有第二电极连接板(52);所述芯片组件(9)包括第一二极管芯片(91)、第二二极管芯片(92)、第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94),所述第四电极连接板(54)的一侧对应两端分别焊接固定有第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94),所述第三电极连接板(53)的一侧焊接固定有第二二极管芯片(92),所述第一电极连接板(51)的一侧焊接有第一二极管芯片(91),所述第三二极管芯片(93)和第四二极管芯片(94)均通过连桥(6)分别与第一电极连接板(51)和第三电极连接板(53)连接,所述第一二极管芯片(91)通过连桥(6)与第二电极连接板(52)连接,所述第二二极管芯片(92)通过连桥(6)与第二电极连接板(52)连接;所述引脚组件(2)包括第一直流输出引脚(21)、第二直流输出引脚(22)、第一交流电源引脚(23)和第二交流电源引脚(24),所述第一电极连接板(51)的一侧焊接有第二直流输出引脚(22),所述第二电极连接板(52)的一侧焊接有第一直流输出引脚(21),所述第三电极连接板(53)的一侧焊接有第二交流电源引脚(24),所述第四电极连接板(54)的一侧焊接有第一交流电源引脚(23),所述第一直流输出引脚(21)、第二直流输出引脚(22)、第一交流电源引脚(23)和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志敏黄丽凤
申请(专利权)人:如皋市大昌电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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