一种无导电颗粒电磁屏蔽膜制造技术

本实用新型专利技术属于新材料技术领域，提供一种无导电颗粒电磁屏蔽膜，该电磁屏蔽膜结构依次为载体膜、绝缘层、屏蔽层、遮盖层、粘结层、保护膜，所述的遮盖层表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，其中平面金属复合于绝缘层，凸状金属分布在遮盖层的孔洞中并且与平面金属相接；采用本实用新型专利技术方法制备的无导电颗粒电磁屏蔽膜具有厚度薄、屏蔽性效能高、接地电阻低、粘结性强、成本低等特点，能够满足电子产品功能集成化的同时，向更轻更薄发展的迫切需求。

【技术实现步骤摘要】
一种无导电颗粒电磁屏蔽膜
本技术属于新材料
，尤其是一种无导电颗粒电磁屏蔽膜。
技术介绍
近年来，随着挠性覆铜板(FPC)的广泛应用，电子产品功能的集成化促使其向高频高速方向发展，由此在高频及高速驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题日趋严重，对电子产品的电磁屏蔽要求也越来越高。在现有技术中，大多数电磁屏蔽膜包括载体膜、绝缘层、屏蔽层、导电胶层、保护膜。其中，导电胶层通过添加导电颗粒，使其具有导电、粘结性能，导电胶层厚度一般为10～15μm，导致电磁屏蔽膜整体厚度偏大，接地电阻大，成本也高。目前市场上的该结构的电磁屏蔽膜产品主要以16μm、22μm厚度为主，没有厚度小于13μm的产品，不能满足电子产品向轻薄方向发展的要求，还需进一步优化电磁屏蔽膜的厚度。公开号为CN105324019A的专利技术专利申请中公开了一种无导电粒子电磁屏蔽膜，采用的是压铸方式形成数个金属电极，然后涂布无导电粒子的胶粘层，整体结构设计复杂，工艺操作难度大，该专利技术与本技术申请结构不同，制备工艺不同。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的产品厚度大，工艺操作复杂的难题，本技术公开了一种无导电颗粒电磁屏蔽膜。本技术提供一种厚度薄、屏蔽性效能高、接地电阻低的无导电颗粒电磁屏蔽膜。本技术的目的可通过如下技术措施来实现：该无导电颗粒电磁屏蔽膜，结构依次为载体膜、绝缘层、屏蔽层、遮盖层、粘结层、保护膜；所述的遮盖层表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，其中平面金属复合于绝缘层，凸状金属分布在遮盖层的孔洞中并且与平面金属相接；其中，载体膜厚度为25～150μm；绝缘层厚度为3～6μm；遮盖层厚度为0.1～1μm；粘结层厚度为1～5μm；保护膜厚度为50～150μm；平面金属层厚度为0.1～0.5μm；凸状金属高度为1～5μm；孔洞孔径为1～50μm。本技术的目的还可通过如下技术措施来实现：所述载体膜为PET膜、PP膜、PI膜中的一种，耐高温大于120℃，有利于在高温环境中不变形。所述的绝缘层由高分子材料和功能填料按质量比1～20:1组成；所述的高分析材料为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合；橡胶可以替换为橡胶预聚体，效果相同；所述的功能填料为二氧化硅、氧化铝、氮化铝中的一种或两种以上组合。所述的平面金属为铜、镍、银、锌中的一种或两种以上组合；所述的凸状金属为镍、铜、银中的一种或两种以上组合。所述的遮盖层由高分子聚合物和表面活性剂按质量比1:0.001～0.05组成；所述的高分子聚合物为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合；橡胶可以替换为橡胶预聚体，效果相同；所述的表面活性剂为硅表面活性剂或氟表面活性剂。所述的粘结层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、橡胶预聚体、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合。所述的保护膜为离型力50～200g/25mm的PET膜、PP膜、PBT膜中的一种。本技术与现有技术相比具有如下优点：(1)本技术利用凸状金属取代导电胶层直接与线路板连接，其中凸状金属高度1～5μm，常规电磁屏蔽膜导电胶层厚度为10～15μm，因此本技术能够在满足电磁屏蔽效能的基础上，极大地降低电磁屏蔽膜的整体厚度，满足电子产品轻薄的发展趋势。(2)常规电磁屏蔽膜通过导电胶层中导电颗粒的链状结构导电，与线路板连接，是相对孤立的链状连接，本技术屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，凸状金属与平面金属连为一体，直接与线路板连接，是相对集中的点状连接，与常规电磁屏蔽膜相比，导电性能更好，屏蔽效能更高，其接地电阻更低。(3)常规电磁屏蔽膜的导电胶层需要使用大量的导电颗粒，导电颗粒成本较高，本技术利用凸状金属代替导电胶层，在保证电磁屏蔽膜使用性能的前提下，极大地降低了成本；同时，粘结层中没有了导电颗粒，其粘结性更强。本技术的无导电颗粒电磁屏蔽膜具有厚度薄、屏蔽性效能高、接地电阻低、粘结性强、成本低等特点，能够满足电子产品功能集成化的同时，向更轻更薄发展的迫切需求。本技术方法工艺简便、安全可靠、操作方便、经济环保，易于规模化批量生产。附图说明图1为本专利技术实施例无导电颗粒电磁屏蔽膜的结构示意图；图2为本专利技术实施例无导电颗粒电磁屏蔽膜中屏蔽层的结构示意图；图3为本专利技术实施例无导电颗粒电磁屏蔽膜遮盖层的平面剖视图。其中，1-载体膜；2-绝缘层；3-屏蔽层；4-遮盖层；5-粘结层；6-保护膜；31-平面金属；32-凸状金属。具体实施方式通过以下实施例对本技术做进一步的说明，这些实施例非限定性实施方式，只是用于具体说明本技术，本领域的技术人员完全可以根据本技术的思路和工艺原理筛选出的配方或是工艺参数均为本技术的保护范围。需要说明的是，本技术实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本结构，图中仅显示与本技术中有关的结构组成而非按照实际实施时的形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态及尺寸可按实际改变。实施例1：一种无导电颗粒电磁屏蔽膜的结构结构如图1、图2、图3所示，自下而上依次为载体膜(1)、绝缘层(2)、屏蔽层(3)、遮盖层(4)、粘结层(5)、保护膜(6)；所述的遮盖层(4)表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层(3)由平面金属(31)和凸状金属(32)组成，其中平面金属(31)复合于绝缘层(2)，凸状金属(32)分布在遮盖层的孔洞(4)中并且与平面金属(31)相接。实施例2：一种无导电颗粒电磁屏蔽膜结构如实施例1所述；尺寸为：载体膜(1)厚度为25μm；绝缘层(2)厚度为6μm；遮盖层(4)厚度为0.1μm；粘结层(5)厚度为1μm；保护膜(6)厚度为150μm；平面金属(31)厚度为0.1μm；凸状金属(32)高度为5μm；孔洞孔径为1～10μm；材料为：所述的载体膜为PET膜；所述的绝缘层由高分子材料和二氧化硅按质量比1:1组成，高分子材料由环氧树脂和橡胶按质量比1:1组成；所述的平面金属为铜、镍合金；所述的凸状金属为铜；所述的遮盖层由高分子聚合物和硅表面活性剂按质量比1:0.001组成；高分子聚合物由环氧树脂和丙烯酸树脂按质量比1:1组成；所述的粘结层由环氧树脂和氰酸酯树脂质量比3:1组成；所述的保护膜为离型力50g/25mm的PET膜。制备方法：按如下步骤进行：S1、在载体膜表面涂布绝缘层，干燥；S2、在绝缘层表面镀覆一层金属，镀覆为真空磁控溅射，形成平面金属，然后在平面金属表面涂布遮盖层，干燥后遮盖层表面形成大小不一的孔洞，在遮盖层孔洞中裸露的平面金属表面电镀金属，形成凸状金属；S3、然后在遮盖层和凸状金属表面涂布粘结层；S4、最后在粘结层表面贴合保护膜，即得。实施例3：一种无导电颗粒电磁屏蔽膜结构与实施例1相同；尺寸为：载体膜(1)厚度为150μm；绝缘层(2)厚度为5μm；遮盖层(4)厚度为0.5μm；粘结层(5)厚度为2μm；保护膜(6)厚度为50μm；平面金属(31)厚度为0.5μm；凸状金属(32)高度为5μm；孔洞孔径为40～50μm；材料为：所述的载体膜为PI膜；所述的绝缘层由高分子材料和功能填料按质量比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无导电颗粒电磁屏蔽膜，其特征在于，结构依次为载体膜、绝缘层、屏蔽层、遮盖层、粘结层、保护膜；所述的遮盖层表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，其中平面金属复合于绝缘层，凸状金属分布在遮盖层的孔洞中并且与平面金属相接；其中，载体膜厚度为25‑150μm；绝缘层厚度为3‑6μm；遮盖层厚度为0.1‑1μm；粘结层厚度为1‑5μm；保护膜厚度为50‑150μm；平面金属层厚度为0.1‑0.5μm；凸状金属高度为1‑5μm；孔洞孔径为1‑50μm；所述载体膜为PET膜、PI膜中的一种；所述的保护膜为离型力50‑200g/25mm的PET膜、PBT膜中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种无导电颗粒电磁屏蔽膜，其特征在于，结构依次为载体膜、绝缘层、屏蔽层、遮盖层、粘结层、保护膜；所述的遮盖层表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，其中平面金属复合于绝缘层，凸状金属分布在遮盖层的孔洞中并且与平面金属相接；其中，载体膜厚度为25-150μm；绝缘层厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱焰焰，孙诗良，郑杰，郭文勇，
申请(专利权)人：天诺光电材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37