本实用新型专利技术涉及一种电极结构、触控板及触控装置。一种电极结构,用于触控装置,电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层。第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。过渡层为钼层或钼合金层。导电层为导电金属层。上述电极结构具有优良的消影效果、附着性及灵敏度。
【技术实现步骤摘要】
电极结构、触控板及触控装置
本技术涉及触控领域,特别是涉及一种电极结构、触控板及触控装置。
技术介绍
当前全球经济借助于移动通信、移动互联网、云计算、物联网、电子商务的发展,信息技术的市场需求突飞猛涨,为新兴电子产品提供了广阔的应用领域。触摸显示技术只需在显示屏上触碰相应的图案或者文字选项就能实现对显示内容的操作,使人机互换变得更加简洁直观。目前触控装置主要采用氧化铟锡(ITO)形成图形来作为触控电极。但由于触控显示面板朝着大尺寸、高灵敏、低响应时间等方向发展,ITO电极电阻大、成本高等因素限制了ITO的进一步应用。因此,具有低电阻及低成本优势的新一代触控技术MetalMesh(金属网格)成为ITO在中大尺寸发展劲敌。但由于金属是非透明的,同时金属具有高反射率及轻微金属色泽等问题,使得人眼易于发现金属电极反光,影响体验效果。目前有采用抗炫膜(AG膜)消除金属反光,但是会降低透光性与显示质量,也有采用金属电极图形后再电镀黑化层来解决金属电极的反光问题的技术,但现有的黑化层的耐化性不好、与金属电极的附着力差,而且工艺复杂、成本高及良率低。
技术实现思路
基于此,本技术提供一种耐化性与附着性优异、且能明显降低其中金属网格结构反光的电极结构、触控板及触控装置。一种电极结构,用于触控装置,所述的电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层;所述第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层;所述过渡层为钼层或钼合金层;所述导电层为导电金属层。上述电极结构,包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层,第一黑化层能够有效降低导电层金属电极表面光线的反射,达到减少反射、导电金属消影的目的,同时能够满足电极需要的较好的耐化性要求。过渡层能够增加第一黑化层与导电层的附着力,防止加工过程中,第一黑化层从导电电极上脱落。另外经实验测定,过渡层还能够进一步的减少金属电极表面光线的反射,提高消影效果。导电层为Ag层、Cu层或Al层等导电金属层,相比传统的触控电极ITO,导电层的方阻小,信噪比大,有效提升了触控电极的灵敏度。在其中一个实施例中,所述第一黑化层为氧化钼层、氮化钼层、氮氧化钼层、氧化铌层、氮化铌层、氮氧化铌层、氧化铬层、氮化铬层、氮氧化铬层、氧化钛层、氮化钛层、氮氧化钛层、氧化钨层、氮化钨层、氮氧化钨层。在其中一个实施例中,所述第一黑化层的厚度为10nm~100nm;所述过渡层的厚度为10nm~150nm;所述导电层的厚度为50nm~800nm。在其中一个实施例中,所述第一黑化层的厚度为10nm~50nm。在其中一个实施例中,还包括层叠于所述导电层表面的保护层,所述保护层为钼层或钼合金层。保护层能够防止导电层作为电极的的金属被耐腐蚀性和耐氧化性,从而提高导电层的导电效率。在其中一个实施例中,还包括叠层于所述保护层的表面的第二黑化层。所述第二黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层或钼的氮氧化物层。第二黑化层的存在使得电极具有双面黑化的结构,避免分辨电极的黑化层表面与非黑化层表面,提高了安装及应用金属电极时的组装效率。另外,具有双面黑化层的金属的导电性及消影效果也更佳。在其中一个实施例中,所述第二黑化层的厚度为10nm~100nm。在其中一个实施例中,所述导电层的表面还依次叠层有缓冲层及保护层,或所述保护层为钼层或钼合金层。一种触控板,包括基板及叠层于所述基板表面的上述的电极结构。一种触控装置,包括上述的电极结构。附图说明图1为一实施方式的触控板的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的部分实施例。但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使本技术公开内容更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。如图1,一实施方式的触控板10,包括基板100及叠层于基板100的电极结构200。基板100具有第一表面110,电极结构200层叠于第一表面110,基板100可以为玻璃基板、CF基板(彩色滤光片基板)或TFT基板(薄膜场效应晶体管基板),也可以为本领域熟知的其他基板。在图示的实施方式中,电极结构200,包括依次叠层于第一表面110的第一黑化层210、过渡层220、导电层230、缓冲层240、保护层250及第二黑化层260。第一黑化层210叠层于基板100的第一表面110,第一黑化层210为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。第一黑化层210的厚度为0nm~100nm,优选为20nm~50nm。在其中一个实施例中,第一黑化层210为氧化钼层、氮化钼层、氮氧化钼层、氧化铌层、氮化铌层、氮氧化铌层、氧化铬层、氮化铬层、氮氧化铬层、氧化钛层、氮化钛层、氮氧化钛层、氧化钨层、氮化钨层、氮氧化钨层。在其中一个实施例中,第一黑化层210为钼铌氧化物层或钼铌氮化物层、钼铌氮氧化物层。钼铌氧化物层、钼铌氮化物层、钼铌氮氧化物层、钼铌氮氧化物作为黑化层具有更好的耐化性。在其中一个实施例中,第一黑化层210为氧化钼层、氮化钼层或氮氧化钼层。第一黑化层210能够有效降低导电金属层表面光线的反射,达到减少反射、金属消影的目的。在图示的实施方式中,过渡层220叠层于第一黑化层210的表面。过渡层220为钼层或钼合金层。过渡层220的厚度10nm~150nm,优选为20nm~100nm。在其中一个实施例中,钼合金层为钼铌合金层、钼铬合金层、钼钛合金层、钼钨合金层、钼铌铬合金层、钼铌钛合金层、钼铌钨合金层、钼铌铬钛合金层、钼铌铬钨合金层、钼铌铬钛钨合金层、钼铬钛合金层、钼铬钨合金层或钼钛钨合金层,优选为钼铌合金层、钼铬合金层、钼钛合金层、钼铌铬合金层、钼铌钛合金层、钼铌铬钛合金层或钼铬钛合金层。在其中一个实施例中,钼合金层中钼的质量含量为60%~95%。过渡层220能够增加第一黑化层与导电层的附着力,防止加工应用过程中,第一黑化层从导电层上脱落,增强第一黑化层与导电层的稳定性。在图示的实施方式中,导电层230叠层于过渡层220的表面。导电层230为导电金属层。导电层230的厚度为50nm~800nm,优选为70nm~600nm。在其中一个实施例中,导电层230为Ag层、Cu层或Al层。当然,在其他实施例中,导电层230还可以为其他导电金属层。在其中一个实施例中,导电层230为Ag层、Cu层。金属铜和银的延展性很好,使得上述电极结构也可应用于柔性触控设备中。在其中一个实施例中,导电层230为Cu层。铜的成本较低,且导电性及延展性较好。导电层230采用金属作为触控电极,相比传本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电极结构,用于触控装置,其特征在于,所述电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层;所述第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层;所述过渡层为钼层或钼合金层;所述导电层为导电金属层。
【技术特征摘要】
1.一种电极结构,用于触控装置,其特征在于,所述电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层;所述第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层;所述过渡层为钼层或钼合金层;所述导电层为导电金属层。2.根据权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述第一黑化层为氧化钼层、氮化钼层、氮氧化钼层、氧化铌层、氮化铌层、氮氧化铌层、氧化铬层、氮化铬层、氮氧化铬层、氧化钛层、氮化钛层、氮氧化钛层、氧化钨层、氮化钨层、氮氧化钨层。3.根据权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述第一黑化层的厚度为10nm~100nm;所述过渡层的厚度为10nm~150nm;所述导电...
【专利技术属性】
技术研发人员:王士敏,赵湘辉,朱泽力,古海裕,宋小来,李宝会,
申请(专利权)人:深圳莱宝高科技股份有限公司,重庆莱宝科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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