一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示面板技术领域。薄膜晶体管包括沟道层，所述沟道层包括至少两条沟道区和源漏区；所有所述沟道区的两端分别与所述源漏区连接，且所有所述沟道区与所述源漏区共同形成至少两条沟道通路。通过本实用新型专利技术，降低薄膜晶体管整体的电特性变化量，以减少显示不均的发生概率，且能够提高薄膜晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
本技术涉及显示面板
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
与传统液晶显示面板相比，柔性显示装置具有柔性易弯折等优点，具有更广泛的应用市场。柔性显示装置的显示区上具有薄膜晶体管，传统薄膜晶体管中的沟道呈直条状且只有一条沟道，当柔性显示装置的弯折方向垂直于直条状沟道的延伸方向时，很容易导致薄膜晶体管的沟道断裂，导致薄膜晶体管无法正常工作。即使没有断裂，当直条沟道受到应力发生形变，也会引起薄膜晶体管的电特性发生变异，导致显示不均的现象。尽管一些技术人员将薄膜晶体管中的沟道设计成Z字形、U字形或S字形，但由于仍然只有一条沟道，受到应力变化时，薄膜电特性变化引起的差异无法补偿，因此仍然存在显示不均的现象。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，能够减少显示不均发生的概率。为实现上述目的，第一方面，本技术提供一种薄膜晶体管，包括沟道层，所述沟道层包括至少两条沟道区和源漏区；所有所述沟道区的两端分别与所述源漏区连接，且所有所述沟道区与所述源漏区共同形成至少两条沟道通路。可选的，所述沟道层包括两条沟道区，所述两条沟道区交叉连接，所述两条沟道区与所述源漏区共同形成两条沟道通路。可选的，所述两条沟道区相互垂直。可选的，还包括：栅极层，设置于所述沟道层上方，且所述栅极层于所述沟道层上的正投影覆盖所有所述沟道区且不覆盖所述源漏区。可选的，所述至少两条沟道区互不相连。可选的，还包括：栅极层，设置于所述沟道层上方，且所述栅极层于所述沟道层上的正投影覆盖所有所述沟道区且不覆盖所述源漏区；所述沟道层包括四条沟道区，所述四条沟道区互不相连，所述四条沟道区与所述源漏区共同形成两条沟道通路，所述栅极层呈十字型，所述沟道层呈空心矩形。可选的，还包括：栅极层，设置于所述沟道层上方，且所述栅极层于所述沟道层上的正投影覆盖所有所述沟道区且不覆盖所述源漏区；所述沟道层包括四条沟道区，所述四条沟道区互不相连，所述四条沟道区与所述源漏区共同形成两条沟道通路，所述栅极层呈空心矩形，所述四条沟道区朝所述空心矩形的中心方向的延伸线相交呈十字型。可选的，所述源漏区包括源接触孔以及漏接触孔，所述源接触孔用于连接源电极，所述漏接触孔用于连接漏电极。第二方面，本技术提供一种阵列基板，包括上述所述的薄膜晶体管。第三方面，本技术提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本技术提供薄膜晶体管，包括沟道层，沟道层包括至少两条沟道区和源漏区，所有沟道区的两端分别与源漏区连接，且所有所述沟道区与源漏区共同形成至少两条沟道通路。通过对沟道层上的沟道采用冗余设计，当薄膜晶体管弯折时，沟道层受到的应力分散在多条沟道上，减少了沟道断裂的风险，同时多条沟道上受到的应力程度不一致，导致电特性的变化不同，能够相互补偿一部分差异，降低薄膜晶体管整体的电特性变化量，以减少显示不均的发生概率，另外即使沟道发生断裂，只要还具有两条以上的沟道未断裂就能使薄膜晶体管还具有至少一条完整的沟道通路，使得薄膜晶体管能够继续工作，以此提高薄膜晶体管的可靠性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本技术另一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图3为本技术再一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供的薄膜晶体管包括沟道层，沟道层包括至少两条沟道区和源漏区；所有沟道区的两端分别与源漏区连接，且所有沟道区与源漏区共同形成至少两条沟道通路。此时，若形成任一条沟道通路的沟道断裂，剩余的沟道仍能够形成连接源漏区的至少一条沟道通路，则源漏区以及剩余的沟道仍能够形成能够在源极和漏极之间导通的沟道通路，使得薄膜晶体管能够正常工作。通过对沟道层上的沟道采用冗余设计，当薄膜晶体管弯折时，只要有至少一条沟道通路上的沟道未发生断裂，就能够使得沟道层单向导通，以驱动薄膜晶体管正常工作。在本技术的一实施方式中，薄膜晶体管还可以包括栅极层，栅极层设置于沟道层上方，且栅极层于沟道层上的正投影覆盖所有沟道区且不覆盖源漏区。进一步，栅极层的形状可以与沟道区的形状相同。图1为本技术一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本技术另一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图3为本技术再一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。以下结合图1至图3说明本技术提供的薄膜晶体管。在本技术的一实施方式中，薄膜晶体管包括沟道层以及栅极层，沟道层包括两条沟道区和源漏区，两条沟道区的两端分别与源漏区相连，两条沟道区交叉连接，两条沟道区与源漏区共同形成两条沟道通路。较佳的，两条沟道区相互垂直，这样，当薄膜晶体管横向弯折或纵向弯折工作时，总有一条沟道平行于弯折方向，此一条沟道受到弯折的应力较小，因而电流变化较小，更好地降低了薄膜晶体管整体的电特性变化量，进而减少了显示不均的发生概率。较佳的，如图1所示，薄膜晶体管包括沟道层以及栅极层12，沟道层包括两条沟道区111、112和源漏区115，两条沟道区111、112的两端分别与源漏区115相连，两条沟道区111、112的中间部分交叉连接，且两条沟道区111、112相互垂直，栅极层12呈矩形，两条沟道区111、112与源漏区115共同形成两条沟道通路。具体的，沟道区111与源漏区115形成一条沟道通路，沟道区112与源漏区115形成另一条沟道通路。这样，能够降低薄膜晶体管的工艺制造难度，且当薄膜晶体管横向弯折或纵向弯折工作时，总有一条沟道平行于弯折方向，此一条沟道受到弯折的应力较小，因而电流变化较小，更好地降低了薄膜晶体管整体的电特性变化量，进而减少了显示不均的发生概率。本领域技术人员可以理解的是，在本技术的另一实施方式中，两条沟道区111、112也可以不相互垂直，例如，两条沟道区111、112呈X型，栅极层12也可以呈其他形状；在本技术的另一实施方式中，也可以设计使得两条沟道区111、112中的其中一条沟道区的一端部与另一条沟道区的一端部或者除端部之外的部分交叉。在本技术的一实施方式中，至少两条沟道区互不相连。在本技术的一实施方式中，薄膜晶体管包括沟道层以及栅极层，沟道层包括四条沟道区和源漏区，四条沟道区的两端分别与源漏区相连，且四条沟道区互不相连，四条沟道区与源漏区共同形成两条沟道通路。以下结合图2、图3进行说明。较佳的，如图2、图3所示，薄膜晶体管包括沟道层以及栅极层22，沟道层包括四条沟道区211、212、213、214以及源漏区215，四条沟道区211、212、213、214的两端分别与源漏区215本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道层，所述沟道层包括至少两条沟道区和源漏区；所有所述沟道区的两端分别与所述源漏区连接，且所有所述沟道区与所述源漏区共同形成至少两条沟道通路。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道层，所述沟道层包括至少两条沟道区和源漏区；所有所述沟道区的两端分别与所述源漏区连接，且所有所述沟道区与所述源漏区共同形成至少两条沟道通路。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层包括两条沟道区，所述两条沟道区交叉连接，所述两条沟道区与所述源漏区共同形成两条沟道通路。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述两条沟道区相互垂直。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅极层，设置于所述沟道层上方，且所述栅极层于所述沟道层上的正投影覆盖所有所述沟道区且不覆盖所述源漏区。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两条沟道区互不相连。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅极层，设置于所述沟道层上方，且所述栅极层于所述沟道层上的正投影覆盖所有所述沟道区且不...

【专利技术属性】
技术研发人员：周茂清，陈红，张德强，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32