一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏制造技术

本实用新型专利技术公开一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏，属于显示面板技术领域。薄膜晶体管包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区设置于沟道区的周侧，沟道区上设置有沟道；沟道包括至少三条子段，沟道的每一子段均自源区或漏区向沟道区方向延伸，沟道的每一子段均至少与另外两条子段在沟道区相连。现有技术中，通过沟道区只有两条或三条依次相连的子段，首尾两条子段分别连接源区和漏区，即薄膜晶体管只有一条沟道路径。本实用新型专利技术中，沟道包括至少三条子段，通过冗余设计，形成了数条或多条的沟道路径，当薄膜晶体管弯折时，只要在源区和漏区之间还具有一条可以导通的沟道路径，薄膜晶体管就可以导通，以此提高薄膜晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏
本技术涉及显示面板
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏。
技术介绍
与传统液晶显示面板相比，柔性显示屏具有柔性易弯折等优点，具有更广泛的应用市场。柔性显示屏的显示区上具有薄膜晶体管，传统薄膜晶体管中的沟道呈直条状，且只有一条，一条沟道的两端分别连接源区和漏区。当柔性显示屏的弯折方向垂直于直条状沟道的延伸方向时，很容易导致薄膜晶体管的沟道断裂，导致薄膜晶体管无法正常工作。为降低薄膜晶体管断裂的概率，技术人员将薄膜晶体管中的沟道设计成Z字形、U字形或S字形。如Z字形沟道，包括依次相连的三条子段，且第一条子段和第三条子段分别连接源区和漏区，当柔性屏弯折时应力可以不完全集中于某一条子段上。但由于在源区和漏区之间只有一条沟道路径，一旦沟道路径上任一段沟道发生断裂，都将导致薄膜晶体管无法正常工作，导致薄膜晶体管可靠性较低。
技术实现思路
为了提高薄膜晶体管的可靠性，本技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示屏。为实现上述目的，本技术提供一种薄膜晶体管，沟道区、源区和漏区，所述源区和漏区设置于所述沟道区的周侧，所述沟道区上设置有沟道；所述沟道包括至少三条子段，每条所述子段均自所述源区或漏区向所述沟道区方向延伸，且每条所述子段均至少与另外两条所述子段在所述沟道区相连。上述的薄膜晶体管，所述沟道的所有子段交汇于一点。上述的薄膜晶体管，所述沟道的所有子段的数量之和为奇数，所述沟道的所有子段以其中一条子段轴对称设置；或所述沟道的所有子段的数量之和为偶数，所述沟道的所有子段对称设置。上述的薄膜晶体管，所述沟道包括第一子段、第二子段和第三子段；所述第一子段、所述第二子段和所述第三子段的之间的夹角均为120°。上述的薄膜晶体管，每条所述子段包括邻近所述源区或漏区的第一端、远离所述源区或漏区的第二端，以及位于所述第一端和第二端之间的中部；所述沟道的每一条子段的第二端均连接在相邻一条子段的中部，以在所述沟道区上形成多边形沟道。上述的薄膜晶体管，所述沟道的所有子段中至少一条子段连接所述源区，至少一条子段连接所述漏区。上述的薄膜晶体管，所述沟道的所有子段的一半数量连接所述源区，剩余数量的子段连接所述漏区。上述的薄膜晶体管，所述源区具有用于连接源电极的源接触孔；和/或所述漏区具有用于连接漏电极的漏接触孔。为实现上述目的，本技术提供一种阵列基板，包括上述所述的薄膜晶体管。为实现上述目的，本技术提供一种显示屏，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本技术提供薄膜晶体管，包括沟道区、源区和漏区，所述源区和漏区设置于所述沟道区的周侧，所述沟道区上设置有沟道；所述沟道包括至少三条子段，所述沟道的每一子段均自所述源区或漏区向所述沟道区方向延伸，所述沟道的每一子段均至少与另外两条子段在所述沟道区相连。现有技术中，通过沟道区只有两条或三条依次相连的子段，首尾两条子段分别连接源区和漏区，即薄膜晶体管只有一条沟道路径。本技术中，沟道包括至少三条子段，通过冗余设计，形成了数条或多条的沟道路径，当薄膜晶体管弯折时，只要在源区和漏区之间还具有一条可以导通的沟道路径，薄膜晶体管就可以导通，以此提高薄膜晶体管的可靠性。此外，由于具有多于一条的沟道路径，使沟道的每一条子段受到的应力程度不一致，导致电特性的变化不同，能够相互补偿一部分差异，降低薄膜晶体管整体的电特性变化量，以减少显示不均的发生概率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术一示范性实施例中的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本技术又一实施例中的薄膜晶体管的结构示意图。附图标记：100-薄膜晶体管；10-沟道区；11-第一子段；12-第二子段；13-第三子段；20-漏区；30-源区。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术的一示范性实施例提供一种薄膜晶体管100，包括沟道区10、漏区20和源区30，源区30和漏区20设置在沟道区10的周侧，沟道区10上设置有沟道。沟道包括至少三条子段，每条子段均自源区30或漏区20向沟道区10方向延伸，且每条子段均至少与另外两条子段在沟道区10相连。该薄膜晶体管100，通过冗余设计，形成了数条或多条的沟道路径，当薄膜晶体管100弯折时，只要在源区30和漏区20之间还具有一条可以导通的沟道路径，薄膜晶体管100就可以导通，以此提高薄膜晶体管的可靠性。沟道子段的条数可以是三条、四条或五条等等。例如，子段数量为三条时，其中一条子段断裂，但另外两条子段仍然相连，且这两条子段分别连接源区30和漏区20，因此在源区30和漏区20之间依然具有可以导通的沟道路径，使得薄膜晶体管100能够正常工作。通过对沟道结构采用冗余设计，当薄膜晶体管100弯折时，只要有还有一条沟道路径导通，薄膜晶体管就能正常工作。此外，由于具有多个沟道路径，每一条子段受到的应力程度不一致，导致电特性的变化不同，能够相互补偿一部分差异，降低薄膜晶体管100整体的电特性变化量，以减少显示不均的发生概率。具体的，沟道的所有子段可以交汇于一点，即所有子段远离源区30或漏区20的一端相连，换言之，沟道的所有子段可以呈放射状向外延伸至源区30或漏区20。如沟道的子段数量为三条时，则沟道可以由三条子段组成Y字形，也可以形成T字形；若沟道的子段数量为四条时，则沟道可以呈十字形。进一步地，沟道的所有子段的长度可以相等，也可以不完全相等。若沟道的所有子段总数量为奇数，例如三条，如图1所示，则沟道包括第一子段11、第二子段12和第三子段13，其中第二子段12和第三子段13可以以第一子段11为轴对称设置。第一子段11、第二子段12和第三子段13之间的夹角可以均为120度，也可以是第一子段11和第二子段12的夹角为150度(或者是130度、140度等等)，第一子段11和第三子段13的夹角为150度(或者是130度、140度等等)。若沟道的所有子段总数量为偶数，如四条，则四条子段可以对称设置，如可以呈规整的十字形，也可以是其中两条子段呈180夹角，另外两条子段以这两条子段为中心轴对称设置。作为一种变形，沟道的子段可以不是通过远离源区30或漏区20的端部相连，而是一条子段的端部连接在另一条子段的中部。每条子段包括靠近源区或漏区的第一端、远离源区或漏区的第二端，以及位于第一端和第二端之间的中部，沟道的每一条子段的第二端均连接在相邻一条子段的中部，以在沟道区上形成多边形沟道。具体的，如图2所示，如果沟道具有三条子段，则第一子段11的第二端连接在第二子段12的中部，第二子段12的第二端连接在第三子段13的中部，第三子段13的第二端连接在第一子段11的中部，即第一子段11、第二子段12和第三子段13的第二端和中部依次相连后围成三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道区、源区和漏区，所述源区和漏区设置于所述沟道区的周侧，所述沟道区上设置有沟道；所述沟道包括至少三条子段，每条所述子段均自所述源区或漏区向所述沟道区方向延伸，且每条所述子段均至少与另外两条所述子段在所述沟道区相连。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道区、源区和漏区，所述源区和漏区设置于所述沟道区的周侧，所述沟道区上设置有沟道；所述沟道包括至少三条子段，每条所述子段均自所述源区或漏区向所述沟道区方向延伸，且每条所述子段均至少与另外两条所述子段在所述沟道区相连。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道的所有子段交汇于一点。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道的所有子段的数量之和为奇数，所述沟道的所有子段以其中一条子段轴对称设置；或所述沟道的所有子段的数量之和为偶数，所述沟道的所有子段对称设置。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道包括第一子段、第二子段和第三子段；所述第一子段、所述第二子段和所述第三子段的之间的夹角均为120°。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈红，周茂清，张德强，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32