一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明专利技术可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。

【技术实现步骤摘要】
一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器(包括AMR,GMR,TMR)及其制造方法。
技术介绍
现有的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造工艺包括：首先在前期集成电路完成后在钝化层后蚀刻与传感器连接的通孔GVIA；再沉积厚介质层，并光刻、蚀刻以形成具有一定角度的斜坡和平面；接着再次对通孔GVIA进行蚀刻以完成通孔PVO蚀刻，露出下层电路AlCu；之后沉积磁性感应薄膜，并光刻、蚀刻只保留感应磁阻图形；接着直接沉积传感器互连金属用于连接PVO集成电路和感应磁阻图形。在该制造工艺中，由于传感器互连金属沉积时表面是裸露的感应磁阻图形，因此，无法使用化学或者物理方式来去除PVO孔内的金属表面氧化物(AlCu极易氧化)，导致孔接触电阻异常，传感器失效。因此，有必要提出一种改进的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，其可以降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其包括：提供形成有集成电路的晶圆，所述晶圆的上表面形成有钝化层；在所述钝化层上刻蚀出与磁阻传感器连接的第一通孔，以露出所述集成电路的金属连线；在刻蚀有第一通孔的钝化层的上表面沉积介质层；对所述介质层进行光刻、蚀刻，以在所述介质层上形成具有预定倾斜角度的斜坡；对所述第一通孔上方的介质层进行蚀刻，以形成贯穿该介质层的第二通孔，并在第二通孔中露出下层的所述集成电路的金属连线；对形成有第二通孔的介质层的表面进行清洗；在所述上沉积磁性感应薄膜，并对所述磁性感应薄膜进行光刻和刻蚀，并保留第二通孔内的磁性感应薄膜和形成所述磁阻传感器所需的感应磁阻图形，其中第二通孔内的所述磁性感应薄膜覆盖所述集成电路的金属连线接触。进一步的，所述单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法还包括：在保留有所述第二通孔内的磁性感应薄膜和所述感应磁阻图形的介质层上沉积传感器互连金属层，并光刻、蚀刻互连金属层，使得蚀刻后的互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。进一步的，对所述介质层进行光刻、蚀刻时，在所述介质层上形成多个自所述介质层的上表面向所述介质层内延伸的凹槽，所述凹槽具有倾斜侧面，所述凹槽将所述介质层分割为具有预定倾斜角度的斜坡。进一步的，所述第一通孔的上方形成有所述凹槽，对所述第一通孔处的介质层进行蚀刻以形成贯穿该介质层的第二通孔步骤中，需对所述第一通孔和其上方的凹槽之间的介质层进行蚀刻以形成贯穿该介质层的所述第二通孔。进一步的，所述斜坡的预定倾斜角度为20-50度；所述凹槽的倾斜侧面的倾斜角度为20-50度，所述凹槽的截面为倒梯形；多个凹槽依次间隔且并行排布；所述介质层为SiO2、SiN或PI，所述集成电路的金属连线为AlCu。进一步的，所述对形成有第二通孔的介质层的表面进行清洗的步骤包括：用物理或化学方法清洗形成有第二通孔的所述介质层的上表面，并清洗第二通孔内裸露的金属连线。根据本专利技术的另一个方面，本专利技术提供一种种单芯片单轴或多轴磁阻传感器，其包括：形成有集成电路的晶圆；位于所述晶圆上表面的钝化层，所述钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于形成有第一通孔的钝化层的上表面的介质层，所述介质层上形成具有预定倾斜角度的斜坡；贯穿所述第一通孔处的介质层的第二通孔，所述第二通孔中露出下层的所述集成电路的金属连线；形成于所述介质层上表面的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于所述第二通孔内的磁性感应薄膜，其中第二通孔内的所述磁性感应薄膜覆盖所述集成电路的金属连线接触；形成于所述磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，所述传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。进一步的，所述介质层上形成多个自所述介质层的上表面向所述厚介质层内延伸的凹槽，所述凹槽具有的预定的倾斜侧面，所述凹槽将所述介质层分割为具有预定倾斜角度的斜坡。进一步的，所述斜坡的预定倾斜角度为20-50度；所述凹槽的倾斜侧面的倾斜角度为20-50度；所述介质层为SiO2、SiN或PI；所述凹槽的截面为倒梯形；多个凹槽依次间隔且并行排布；所述集成电路的金属连线为AlCu。进一步的，所述第一通孔的上方形成有所述凹槽；所述第二通孔贯穿位于所述第一通孔和其上方的凹槽之间的介质层。与现有技术相比，本专利技术通过增加化学或物理清洁和磁性感应薄膜的覆盖保护，降低了单芯片单轴或多轴磁阻传感器的孔接触电阻，实现了集成电路与上层传感器连接的良好的欧姆接触。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：图1为本专利技术中的单芯片磁阻传感器的制造方法在一个实施例中的流程图；图2至图7为本专利技术中的单芯片磁阻传感器的制造方法在一个实施例中的各个步骤对应的纵剖面图；图8为本专利技术中的单芯片磁阻传感器在一个实施例中的纵剖面图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本专利技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连，间接电性相连是指经由另外一个器件或电路电性相连。根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法。请参考图1所示，其为本专利技术中的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法100在一个实施例中的流程示意图。图2-图7为本专利技术中的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法在一个实施例中的各个步骤对应的纵剖面图。如图1所示，所述单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法100包括如下步骤。步骤110，结合图2所示，提供形成有集成电路(未图示)的晶圆210，所述晶圆210的上表面形成有钝化层8。在图3-图7所示的实施例中，所述晶圆210的基底为Si。步骤120，结合图2所示，在所述晶圆210上表面的钝化层8上刻蚀出与磁阻传感器连接的第一通孔2，以露出所述集成电路的金属连线1，在图3-图7所示的实施例中，所述第一通孔2的下方的金属连线1为AlCu。步骤130，结合图3所示，在刻蚀有第一通孔2的钝化层8的上表面沉积厚介质层3，该介质层可以是SiO2,SiN,PI等绝缘材料。步骤140，结合图3所示，对所述厚介质层3进行光刻、蚀刻，以在所述厚介质层3上形成具有预定倾斜角度的斜坡4。在图3-图7所示的实施例中，所述厚介质层3上形成多个自所述厚介质层3的上表面(或平面)9向所述厚介质层3内延伸的凹槽10，所述凹槽10具有倾斜侧面，所述凹槽10可以将所述厚介质层3分割为具有预定倾斜角度的斜坡4。在图3-图7所示的实施例中，所述凹槽10的截面为倒梯形；多个凹槽10依次间隔且并行排布；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，其包括：提供形成有集成电路的晶圆，所述晶圆的上表面形成有钝化层；在所述钝化层上刻蚀出与磁阻传感器连接的第一通孔，以露出所述集成电路的金属连线；在刻蚀有第一通孔的钝化层的上表面沉积介质层；对所述介质层进行光刻、蚀刻，以在所述介质层上形成具有预定倾斜角度的斜坡；对所述第一通孔上方的介质层进行蚀刻，以形成贯穿该介质层的第二通孔，并在第二通孔中露出下层的所述集成电路的金属连线；对形成有第二通孔的介质层的表面进行清洗；在所述上沉积磁性感应薄膜，并对所述磁性感应薄膜进行光刻和刻蚀，并保留第二通孔内的磁性感应薄膜和形成所述磁阻传感器所需的感应磁阻图形，其中第二通孔内的所述磁性感应薄膜覆盖所述集成电路的金属连线接触。

【技术特征摘要】
1.一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，其包括：提供形成有集成电路的晶圆，所述晶圆的上表面形成有钝化层；在所述钝化层上刻蚀出与磁阻传感器连接的第一通孔，以露出所述集成电路的金属连线；在刻蚀有第一通孔的钝化层的上表面沉积介质层；对所述介质层进行光刻、蚀刻，以在所述介质层上形成具有预定倾斜角度的斜坡；对所述第一通孔上方的介质层进行蚀刻，以形成贯穿该介质层的第二通孔，并在第二通孔中露出下层的所述集成电路的金属连线；对形成有第二通孔的介质层的表面进行清洗；在所述上沉积磁性感应薄膜，并对所述磁性感应薄膜进行光刻和刻蚀，并保留第二通孔内的磁性感应薄膜和形成所述磁阻传感器所需的感应磁阻图形，其中第二通孔内的所述磁性感应薄膜覆盖所述集成电路的金属连线接触。2.根据权利要求1所述的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，其包括：在保留有所述第二通孔内的磁性感应薄膜和所述感应磁阻图形的介质层上沉积传感器互连金属层，并光刻、蚀刻互连金属层，使得蚀刻后的互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。3.根据权利要求1或2所述的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，对所述介质层进行光刻、蚀刻时，在所述介质层上形成多个自所述介质层的上表面向所述介质层内延伸的凹槽，所述凹槽具有倾斜侧面，所述凹槽将所述介质层分割为具有预定倾斜角度的斜坡。4.根据权利要求3所述的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，所述第一通孔的上方形成有所述凹槽，对所述第一通孔处的介质层进行蚀刻以形成贯穿该介质层的第二通孔步骤中，需对所述第一通孔和其上方的凹槽之间的介质层进行蚀刻以形成贯穿该介质层的所述第二通孔。5.根据权利要求3所述的单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，所述斜坡的预定倾斜角度为20-50度；所述凹槽的倾斜侧面的倾斜角度为20-50...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾文彬，陶永斌，蒋乐跃，金羊华，刘海东，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32