半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术描述一种包含载体的光学装置，所述载体包含光透射层及安置于所述光透射层上的光屏蔽层。所述光学装置进一步包含安置于所述载体上的光发射器及安置于所述载体上的光检测器。所述光学装置进一步包含囊封所述光发射器及所述光检测器的光透射封装体，及安置于所述光透射封装体中且与所述光透射封装体及所述光屏蔽层接触的光屏蔽壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法
本公开涉及一种半导体封装装置，且更具体地，涉及一种包含发光组件的半导体封装装置。
技术介绍
发光二极管(LED)或激光二极管广泛用于许多应用中。半导体发光装置可包含具有一或多个半导体层的LED芯片。当给予能量时，所述层可配置成发射相干及/或不相干的光。在制造期间，大量的LED半导体晶粒可产生于半导体晶片上。晶片可经探测及测试以精确地识别每一晶粒的特定颜色特性，例如色温。接着，晶片可经单体化以将晶片切割成多个LED芯片。LED芯片可经封装以提供外部电连接、热沉降、透镜或波导、环境保护，及/或其它特征。LED芯片可用于光学模块(例如，接近传感器)中，且可用以感测光学模块附近的物件。光学模块可具有发光源及光学检测器，其中所述光学检测器可接收或感测由发光源发射及由外部或附近物件反射的光(例如，红外光)，使得可检测到外部近接物件的存在。当光学检测器直接接收自发光源发射的光或接收自不同于目标物件的介质反射的光时，可存在可被视为噪声的“串话”且可使传感器发生故障。期望可减小此串话。
技术实现思路
在一些实施例中，根据一方面，一种光学装置包含一载体，所述载体包含光透射层及安置于所述光透射层上的光屏蔽层。所述光学装置进一步包含安置于载体上的光发射器及安置于载体上的光检测器。所述光学装置进一步包含囊封所述光发射器及所述光检测器的光透射封装体，及安置于光透射封装体中且与光透射封装体及光屏蔽层接触的光屏蔽壁。在一些实施例中，根据另一方面，一种光学模块包含载体、安置于载体上的光发射器，及安置于载体上的光检测器。所述光学模块进一步包含安置于载体上发射器与检测器之间的光屏蔽层，及囊封光发射器、光检测器及光屏蔽层的光透射封装体。所述光学模块进一步包含安置于载体上光发射器与光检测器之间的光屏蔽壁。光屏蔽壁接触光屏蔽层。在一些实施例中，根据另一方面，一种用于制造光学装置的方法包含：提供衬底；在衬底上形成至少一个发射器及至少一个检测器；及在衬底上发射器与检测器之间形成光屏蔽层。所述方法进一步包含：形成覆盖光屏蔽层、发射器及检测器的光透射封装体；移除光透射封装体的一部分以形成曝露光屏蔽层的腔；及在腔中形成接触光屏蔽层的光屏蔽壁。附图说明图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。图3A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图3B说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面视图。图3C说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。图4A、图4B、图4C及图4D说明根据本公开的一些实施例的半导体封装制造过程。图5A、图5B及图5C说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装制造过程。贯穿图式及实施方式使用共同参考编号来指示相同或类似组件。根据结合附图的以下实施方式可最好地理解本公开。具体实施方式图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置1的横截面视图。半导体封装装置1包含载体10，电子组件11、12，封装本体13、14及壁结构15。载体10可包含(例如)衬底，印刷电路板，诸如纸基铜箔层合物、复合铜箔层合物或聚合物浸渍的基于玻璃纤维的铜箔层合物。载体10可包含互连结构，诸如导电迹线或重布层(RDL)，及介电层，诸如预浸体层或聚酰亚胺层。电子组件11安置于载体10的顶部表面101上。在一些实施例中，电子组件11可为光发射器或发光装置，诸如LED或其它发射晶粒。举例来说，电子组件11可包含发光二极管、激光二极管或可包含一或多个半导体层的另一装置。半导体层可包含硅、碳化硅、氮化镓或任何其它半导体材料。电子组件11可(例如)借助于覆晶或导线接合技术连接至载体。电子组件11可在红外波长下发射光。电子组件12安置于载体10的顶部表面101上，且与电子组件11实体上分离。在一些实施例中，电子组件12可为光检测器，其为PIN二极管或光二极管或光电晶体。电子组件12可(例如)借助于覆晶或导线接合技术连接至载体。封装本体13安置于载体10的顶部表面101上且覆盖电子组件11。在一些实施例中，封装本体13包含环氧树脂。在一些实施例中，封装本体13为透光的。封装本体14安置于载体10的顶部表面101上，且覆盖电子组件12。在一些实施例中，封装本体14包含环氧树脂。在一些实施例中，封装本体13及14包含一或多种相同材料。在一些实施例中，封装本体13及14包含一或多种不同材料。在一些实施例中，封装本体13及14可单独地形成，且在实体上彼此分离。替代地，封装本体13及14可由单个模制过程形成，且接着可进行切割过程以分离封装本体13及14。壁结构15安置于载体10的顶部表面101上电子组件11与电子组件12之间。壁结构15基本上不透明，且可有助于防止由电子组件11发射的非所要光直接透射至电子组件12。在一些实施例中，壁结构15可为不透明的液晶聚合物(LCP)帽。在电子组件11、12上方形成封装本体13、14的过程期间，模制件可安置于载体10的顶部表面101上，且接着将模制化合物注入至由模制件及载体10界定的空间中，且覆盖电子组件11、12。在一些实施例中，经沉积模制化合物的一部分可清洗或径流至由点线圈标记的载体10的顶部表面101的位置(即，过度渗出)。在形成封装本体13、14之后，模制件被移除，且壁结构15接着置放于由点线圈标记、在模制化合物的径流部分上方的位置上。壁结构15下模制化合物的径流部分可允许来自电子组件11的非所要光直接透射至电子组件12(例如，经由光路L11)，其可导致串话且可使电子组件12发生故障。图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置2的横截面视图。半导体封装装置2类似于如图1中所展示的半导体封装装置1，除了半导体封装装置2进一步包含光屏蔽元件26。光屏蔽元件26安置于载体10的顶部表面101上电子组件11与电子组件12之间。在一些实施例中，光屏蔽元件26由一或多种不透明材料(诸如不透明胶)形成。光屏蔽元件26具有凹座，其中壁结构25安置于所述凹座中。凹座的宽度W2基本上等于壁结构25的宽度W3。光屏蔽元件26的底座部分或光屏蔽元件26的最宽的部分的宽度W1大于壁结构25的宽度W3。在一些实施例中，光屏蔽元件26a可安置于载体10的一或多个边缘或末端处，且框架25a安置于屏蔽元件26a上。替代地，安置于载体10的边缘处的光屏蔽元件26a并未执行，且框架25a直接安置于载体10的顶部表面101上。在一些实施例中，两个光屏蔽元件26a分别安置于载体10的两个相对末端处，且具有两个末端部分的框架25a安置于两个光屏蔽元件26a上使得每一末端部分分别安置于至少一个光屏蔽元件26a上。由于光屏蔽元件26由一或多种不透明材料形成，其可阻断(至少部分地阻断)电子组件11与电子组件12之间的光透射。举例来说，光屏蔽元件26可有助于防止由电子组件11发射的光经由光路L21进入电子组件12，且从而提高相较于图1中所展示的壁结构15的壁结构25的光阻断能力。因此，在壁结构25下方形成光屏蔽元件26可消除或减少串话干扰且增加光学装置的性能。图2B说明根据本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学装置，其包括：载体，其包含光透射层及安置于所述光透射层上的光屏蔽层；光发射器，其安置于所述载体上；光检测器，其安置于所述载体上；光透射封装体，其囊封所述光发射器及所述光检测器；及光屏蔽壁，其安置于所述光透射封装体中且与所述光透射封装体及所述光屏蔽层接触。

【技术特征摘要】
2017.03.17 US 15/462,4801.一种光学装置，其包括：载体，其包含光透射层及安置于所述光透射层上的光屏蔽层；光发射器，其安置于所述载体上；光检测器，其安置于所述载体上；光透射封装体，其囊封所述光发射器及所述光检测器；及光屏蔽壁，其安置于所述光透射封装体中且与所述光透射封装体及所述光屏蔽层接触。2.根据权利要求1所述的光学装置，其中所述光屏蔽层为金属层，且所述金属层形成为达到所述光透射层的整个区域的程度。3.根据权利要求2所述的光学装置，其中所述金属层界定多个开口。4.根据权利要求3所述的光学装置，其中所述载体进一步包括多个迹线，其中所述迹线中的一些的至少一部分及所述金属层的至少一部分安置于所述载体的相同层中，且所述迹线中的至少一个安置于由所述金属层界定的所述开口中的至少一个中。5.根据权利要求4所述的光学装置，其中所述光屏蔽壁不覆盖由所述金属层界定的所述开口中的任一个。6.根据权利要求4所述的光学装置，其中所述迹线与所述金属层电隔离。7.根据权利要求6所述的光学装置，其中所述光透射层为包括安置于其中的多个玻璃光纤的核心层。8.根据权利要求3所述的光学装置，其中所述金属层接触所述光透射层。9.根据权利要求8所述的光学装置，其中所述载体进一步包括安置于所述光透射层及所述金属层上的介电层，其中所述介电层经由由所述金属层界定的所述开口中的至少一个接触所述光透射层。10.一种光学模块，其包括：载体；光发射器，其安置于所述载体上；光检测器，其安置于所述载体上；光屏蔽层，其安置于所述载体上所述发射器与所述检测器之间；光透射封装体，其囊封所述光发射器、所述光检测器及所述光屏蔽层；及光屏蔽壁，其安置于所述载体上所述光发射器与所述光检测器之间，其中所述光屏蔽壁接触所述光屏蔽层。11.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏年，简钰庭，林悦农，蔡宗岳，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71