半导体装置制造方法及图纸

技术编号:19025309 阅读:25 留言:0更新日期:2018-09-26 19:33
本发明专利技术实施例揭示一种半导体装置,其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方,其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及半导体装置。
技术介绍
半导体装置受到广泛范围的温度变化的影响。归因于各种结构层的热膨胀系数(CTE)的差异,半导体装置遭遇翘曲问题。为了控制此翘曲,例如加强筋的环形结构被并入到半导体装置中。加强环为半导体装置提供额外的支撑,因此减少翘曲。然而,归因于热循环期间的温度变化,加强环倾向于分层,且因此不利地影响半导体装置的可靠性。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种半导体装置,其包括:衬底,其具有第一表面;电子组件,其在所述衬底的所述第一表面上方;环形结构,其在所述衬底的所述第一表面上方,其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面,所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从所述底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分;及粘合剂层,其插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。本专利技术实施例涉及一种半导体装置,其包括:衬底,其具有第一表面;电子组件,其在所述衬底的所述第一表面上方;环形结构,其在所述衬底的所述第一表面上方且与所述电子组件的边缘相邻,其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面;及粘合剂层,其插入在所述衬底的所述第一表面与所述环形结构的所述底表面之间,其中所述粘合剂层包含具有第一厚度的第一部分及具有第二厚度的第二部分,且所述第二厚度大于所述第一厚度。本专利技术实施例涉及一种半导体装置,其包括:衬底,其具有第一表面;电子组件,其在所述衬底的所述第一表面上方;环形结构,其在所述衬底的所述第一表面上方,其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面;及粘合剂层,其插入在所述衬底的所述第一表面与所述环形结构的所述底表面之间,其中所述粘合剂层进一步经延伸以安置在所述环形结构的内边缘上。附图说明在结合附图阅读时根据以下详述最佳地理解本专利技术的实施例的方面。应注意,根据标准行业惯例,各种结构不一定按比例绘制。实际上,为了使讨论清楚起见可任意增大或减小各种结构的尺寸。图1是说明根据本专利技术实施例的一或多个实施例的各个方面的用于制造半导体装置的方法的流程图。图2是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图2A是沿着图2的线A-A'截取的半导体装置的示意横截面视图。图2B是沿着图2的线B-B'截取的半导体装置的示意横截面视图。图3是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图3A是沿着图3的线C-C'截取的半导体装置的示意横截面视图。图3B是沿着图3的线D-D'截取的半导体装置的示意横截面视图。图4是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图4A是沿着图4的线E-E'截取的半导体装置的示意横截面视图。图5是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图6是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图7是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图8是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图9是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图9A是沿着图9的线F-F'截取的半导体装置的示意横截面视图。图10是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图10A是沿着图10的线G-G'截取的半导体装置的示意横截面视图。图11是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图11A是沿着图11的线H-H'截取的半导体装置的示意横截面视图。图12是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图12A是沿着图12的线I-I'截取的半导体装置的示意横截面视图。图13是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图13A是沿着图13的线J-J'截取的半导体装置的示意横截面视图。图14是根据本专利技术实施例的一或多个实施例的半导体装置的示意俯视图。图14A是沿着图14的线L-L'截取的半导体装置的示意横截面视图。图14B是沿着图14的线M-M'截取的半导体装置的示意横截面视图。具体实施方式以下揭示内容提供了许多不同实施例或实例用于实施所提供标的物的不同特征。下文描述了元件及布置的特定实例以简化本专利技术实施例。当然,这些实例仅仅是实例且不旨在限制。例如,在以下详述中,第一特征形成在第二特征上方或第二特征上可包含其中第一及第二特征形成为直接接触的实施例,且还可包含其中第一特征与第二特征之间可形成额外特征使得第一及第二特征无法直接接触的实施例。此外,本专利技术实施例可在各个实例中重复参考标号及/或字母。此重复是为了简单且清楚起见且本身不规定所讨论的各个实施例及/或配置之间的关系。另外,其它空间相对术语(例如“在…下面”、“在…下方”、“下面”、“上方”、“上”等)可为易于描述而用于描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。所述空间相对术语旨在涵盖除图中所描绘的定向之外的使用或操作中的装置的不同材料定向。所述设备可以其它方式定向(旋转90度或其它定向)且因此可同样地解释本文中所使用的空间相对描述符。如本文中所使用,例如“第一”及“第二”等术语描述各种元件、组件、区域、层和/或区段,但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语可仅用于区分一个元件、组件、区域、层或区段与另一者。例如“第一”、“第二”及“第三”等术语在本文使用时并不暗示顺序或顺序,除非上下文明确指示。如本文所使用,术语“大约”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述及解释细微的变化。当与事件或情况结合使用时,术语可指代事件或情况精确发生的实例以及事件或情况近似发生的实例。例如,当与数值结合使用时,术语可指代小于或等于所述数值的±10%的变化范围,例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%或小于或等于±0.05%。例如,如果多个值之间的差小于或等于所述数值的平均值的±10%(例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%或小于或等于±0.05%),那么两个数值可被认为“基本上”相同或相等。例如,“基本上”平行可指代相对于0°的角度变化范围小于或等于±10°,例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°。例如,“基本上”垂直可指代相对于90°的角度变化范围小于或等于±10°、例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°。还可包含其它特征及过程。例如,可包含测试结构以帮助3D封装或3DIC装置的验证测试。测试结构可包含例如形成在再分配层中或形成在衬底上的测试焊盘,所述再分配层或衬底允许测试3D封装或3DIC、使用探针及/或探针卡等。验证测试可对中间结构以及最终结构执行。此外,本文中揭示的结构及方法可与并入已知的良好裸片的中间验证的测试方法结合使用以增加成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,其包括:衬底,其具有第一表面;电子组件,其在所述衬底的所述第一表面上方;环形结构,其在所述衬底的所述第一表面上方,其中所述环形结构包含面向所述衬底的所述第一表面的底表面,所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从所述底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分;及粘合剂层,其插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。

【技术特征摘要】
2017.03.09 US 62/469,243;2017.09.22 US 15/713,1141.一种半导体装置,其包括:衬底,其具有第一表面;电子组件,其在所述衬底的所述第一表面上方;环形结...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄冠育黄松辉李百渊许书嘉李祥帆黄思博
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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