阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域，包括：显示区和非显示区；显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线；阵列基板包括至少一段异形边缘；非显示区包括多个移位寄存器，移位寄存器包括多个晶体管，多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管；多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器，第一移位寄存器与异形边缘相邻；在第一移位寄存器中，至少一个敏感晶体管的沟道方向与第一方向或者第二方向平行，至少一个非敏感晶体管的沟道方向分别与第一方向和第二方向相交。相对于现有技术，可以提高第一移位寄存器所在的部分非显示区对应的阵列基板的厚度的均一性，提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
请参考图1，现有技术提供的一种显示面板中，包括显示区01和非显示区02，其中，显示区01包括一段圆弧形边缘011和一段直线段边缘012。显示区包括多条栅极线03，非显示区包括移位寄存器电路，移位寄存器电路包括多个移位寄存器04，移位寄存器04和栅极线03电连接。其中，多个移位寄存器04包括和圆弧形边缘011相邻的移位寄存器041，以及和直线段边缘012相邻的移位寄存器042。移位寄存器04包括制作在显示面板中的电路元件，因此移位寄存器04具有一定的厚度。现有技术提供的显示面板中，不同移位寄存器042的边缘距离显示面板边缘05的距离均为d1，显示面板在移位寄存器042对应的位置处厚度较为均一。而不同移位寄存器041的边缘距离显示面板边缘05的距离不均一，移位寄存器041的边缘距离显示面板边缘05的距离为d2到d3之间，其中，d3＞d2＞d1，显示面板在移位寄存器041对应的位置处厚度不均一，会影响显示面板的封装效果，严重时可能会出现封装失效。如果对移位寄存器041中的晶体管的位置进行调整、以使移位寄存器041的边缘距离显示面板边缘05的距离均一，会导致移位寄存器041和移位寄存器042的工作性能出现差异，影响了显示面板的显示品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置。本专利技术提供了一种阵列基板，包括：显示区和围绕显示区的非显示区；显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线，第二方向和第一方向相交；阵列基板包括至少一段异形边缘，异形边缘的延伸方向与第一方向和第二方向均相交；非显示区包括多个移位寄存器，移位寄存器包括多个晶体管，多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管；多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器，第一移位寄存器与异形边缘相邻；在第一移位寄存器中，至少一个敏感晶体管的沟道方向与第一方向或者第二方向平行，至少一个非敏感晶体管的沟道方向分别与第一方向和第二方向相交。本专利技术提供了一种显示面板，包括本专利技术提供的阵列基板。本专利技术提供了一种显示装置，包括本专利技术提供的显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的阵列基板、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置中，为了提高第一移位寄存器所在的部分非显示区对应的阵列基板的厚度的均一性，本实施例中，调整了部分晶体管的位置、使部分晶体管沿着异形边缘的形状做适应性的调整。在工艺条件和/或物理空间限制的情况下，改变晶体管的沟道方向L可能会改变晶体管的宽长比，从而影响移位寄存器的驱动能力，其中，非敏感晶体管的驱动能力变化对于移位寄存器的工作性能影响较小，而敏感晶体管的驱动能力变化对于移位寄存器的工作性能影响较大。具体的，为了尽可能的减小第一移位寄存器和其余的移位寄存器的性能差异，本专利技术实施例中，仅设置至少一个非敏感晶体管的沟道方向分别与第一方向和第二方向相交，至少一个敏感晶体管的沟道方向与第一方向或者第二方向平行，其中，将敏感晶体管的沟道方向与第一方向或者第二方向平行，可以保持不同的移位寄存器中敏感晶体管的宽长比不变，从而保持不同的移位寄存器中敏感晶体管的驱动能力不变，而仅设置至少一个非敏感晶体管的沟道方向分别与第一方向和第二方向相交，可以尽可能的减小第一移位寄存器性能的改变量，进而可以减小第一移位寄存器和其余的移位寄存器的性能差异。本专利技术中，由于调整了第一移位寄存器中部分晶体管的位置、使部分晶体管可以沿着异形边缘的形状做适应性的调整，进而可以提高第一移位寄存器所在的部分非显示区对应的阵列基板的厚度的均一性，提升显示面板的封装效果；并且可以尽可能的减少第一移位寄存器和其余的移位寄存器的性能差异，提升显示品质。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是现有技术提供的一种显示面板的局部平面结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图3是图2提供的阵列基板的局部放大结构示意图；图4是图2提供的阵列基板中的移位寄存器的结构示意图；图5是一种U形结构的晶体管的结构示意图；图6是一种T形结构的晶体管的结构示意图；图7是一种L形结构的晶体管的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种移位寄存器的电路结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中的移位寄存器的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。请参考图2和、图3和图4，本实施例提供了一种阵列基板，包括：显示区AA和围绕显示区AA的非显示区BB；显示区AA包括多条沿第一方向x延伸的栅极线10和多条沿第二方向y延伸的数据线20，第二方向x和第一方向y相交。阵列基板包括至少一段异形边缘A1，异形边缘A1的延伸方向与第一方向x和第二方向y均相交。非显示区BB包括多个移位寄存器30，移位寄存器30包括多个晶体管40，多个晶体管40包括敏感晶体管41和非敏感晶体管42。多个移位寄存器30包括至少一个第一移位寄存器31，第一移位寄存器31与异形边缘A1相邻；在第一移位寄存器31中，至少一个敏感晶体管41的沟道方向与第一方向x或者第二方向y平行，至少一个非敏感晶体管42的沟道方向分别与第一方向x和第二方向y相交。具体而言，本实施例提供的阵列基板中，显示区AA可以具有显示功能、用于显示图像，非显示区BB可以设置电路元件、走线等结构。阵列基板的形状不是矩形的，包括至少一段异形边缘A1，可以理解的是，延伸方向与第一方向x和第二方向y均相交的边缘即为异形边缘A1，本实施例中，以异形边缘A1为弧线为例进行说明，并不仅限于此。非显示区BB包括移位寄存器电路，移位寄存器电路和栅极线10电连接，用于给栅极线10传输电信号。移位寄存器电路可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向和所述第一方向相交；所述阵列基板包括至少一段异形边缘，所述异形边缘的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均相交；所述非显示区包括多个移位寄存器，所述移位寄存器包括多个晶体管，所述多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管；所述多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器，所述第一移位寄存器与所述异形边缘相邻；在所述第一移位寄存器中，至少一个所述敏感晶体管的沟道方向与所述第一方向或者所述第二方向平行，至少一个所述非敏感晶体管的沟道方向分别与所述第一方向和所述第二方向相交。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向和所述第一方向相交；所述阵列基板包括至少一段异形边缘，所述异形边缘的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均相交；所述非显示区包括多个移位寄存器，所述移位寄存器包括多个晶体管，所述多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管；所述多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器，所述第一移位寄存器与所述异形边缘相邻；在所述第一移位寄存器中，至少一个所述敏感晶体管的沟道方向与所述第一方向或者所述第二方向平行，至少一个所述非敏感晶体管的沟道方向分别与所述第一方向和所述第二方向相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器；对于功能相同，且分别位于不同所述第一移位寄存器中的各所述敏感晶体管，具有相同的沟道方向。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，对于不同所述第一移位寄存器中的各所述敏感晶体管，均具有相同的沟道方向。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器；对于功能相同，且分别位于相邻所述第一移位寄存器中的各所述非敏感晶体管，具有不同的沟道方向。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器；对于不同所述第一移位寄存器中的各所述非敏感晶体管，均具有分别与所述第一方向和所述第二方向相交的沟道方向。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述移位寄存器还包括高电位信号线、低电位信号线、栅极信号输出端、自举点、时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端；其中，所述晶体管包括栅极、第一极和第二极；所述敏感晶体管包括第一晶体管、至少一个第二晶体管、至少一个第三晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述自举点电连接，所述第一晶体管的第一极与所述栅极信号输出端电连接；所述第二晶体管的栅极与时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端中的任一者电连接，所述第二晶体管的第一极与所述自举点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述高电位信号线电连接；所述第三晶体管的栅极与时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧俊，苏畅，邵琬童，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31