一种破除芍药芽休眠的方法技术

本发明专利技术涉及一种破除芍药芽休眠的方法，属于植物栽培技术领域。所述方法包括：1）芍药上盆养根结束后，向芍药盆中浇灌GA3；2）GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待最低气温降低至2‑4℃时，对盆栽芍药进行保暖；3）待日最低气温低于‑2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始加温，长出茎叶后室温度提高至10‑20℃；育蕾期及以后温度控制在15‑25℃，每天温室加温同时补光；本发明专利技术利用赤霉素以及自然低温的方法不需要再进行专门的入库冷藏、出库、入温室等一系列操作流程，大大简化了破除芍药芽体休眠的工序，降低了成本；同时，本发明专利技术的方法较传统的冷库冷藏方法，能够将芍药的花期再提前15‑20天。

【技术实现步骤摘要】
一种破除芍药芽休眠的方法
本专利技术属于植物栽培
，尤其涉及一种适用于山东、河南等芍药主栽地区，且不经低温冷藏利用赤霉素加自然低温打破芍药休眠的栽培方法。
技术介绍
芍药寓意富贵吉祥，作为室外观赏花卉栽培历史两千年，深受我国人民喜爱。芍药为多年生草本植物，一次培育可多年连续开花。其观赏价值高，花、茎、芽皆可赏，其嫩芽红艳可爱、生机勃勃，其茎丛生、傲然挺拔，其花朵硕大、色彩丰富、花型多变。芍药以地下根渡过休眠期，地上部枯死，方便盆花装卸与长距离运输。现有的打破芍药芽体休眠，促进芍药芽体萌发的方法主要是将盆栽的芍药移入人工制冷的冷藏库中进行冷量积累，由于芍药冷量需求高，需冷藏6、7周后出库，同时，芍药开花积温要求也高，入温室20天左右芽萌发，萌发后50天左右才能开花。因此，春节促成栽培需要上盆、养根、入冷库冷藏、出库、入温室等一系列操作流程，而芍药入库冷藏耗能大，工序繁琐，浪费人力物力成本；而不入库室外越冬，12月初入温室以供春节期间开花，在黄河以南地区冷量积累不足，成花不良。催花程序繁琐、成本较高，在一定程度上限制了芍药年宵花产品的市场化推广。因此，有必要研究一种新的破除芍药芽体休眠的方法，进一步促进芍药提早开花。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的问题，本专利技术旨在提供一种破除芍药芽休眠的方法，与现有技术相比，本专利技术利用赤霉素以及自然低温的方法不需要再进行专门的冷库冷藏，减少了入冷库、冷藏6、7周、出冷库等一系列操作流程，大大简化了破除芍药芽体休眠的工序，降低了成本；同时，本专利技术的方法较传统的冷库冷藏方法，能够使芍药较现有催花技术萌发期提早40-50天，花期再提前15-20天，非常有利于芍药年宵花产品的市场化推广。本专利技术的目的之一是提供一种破除芍药芽休眠的方法。本专利技术的目的之二是提供经破除芍药芽休眠的方法栽培的芍药。本专利技术的目的之三是提供本专利技术栽培的芍药以及破除芍药芽休眠的方法的应用。为实现上述专利技术目的，本专利技术公开了下述技术方案：首先，本专利技术公开了一种破除芍药芽休眠的方法，具体的，所述制备方法包括以下步骤：1)芍药上盆养根结束后，从10月底开始，每隔3天向芍药盆中浇灌一次GA3，共浇灌3次；2)GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待芍药芽体开始露出地面，视情况每隔一段时间浇一次水；待最低气温降低至2-4℃时，于下午5点前对盆栽芍药进行围护保暖，第二天早上7:30点以后撤去保暖措施；3)待日最低气温低于-2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始对温室加温，保持温室温度在5-15℃之间；长出茎叶后将温室温度提高至10-20℃；育蕾期及以后温度控制在15-25℃；每天温室加温同时补光；盆栽芍药处在温室期间，每7-10天浇水施肥一次，育蕾期后每隔3天喷一次叶面肥，浇水当天夜间熏库，70％灰霉利与20％异丙威轮换使用；自入温室开始每隔1天转一次盆。步骤1)和2)中，所有操作都在室外进行。步骤1)中，所述GA3的浇灌量为每次150ml，浓度为200mg/L。优选的，步骤1)中，所述芍药品种为“大富贵”、“莲台”、“五花龙玉”。步骤1)中，所述芍药盆中的基质为草炭：蛭石：珍珠岩：腐熟鸡粪。优选的，所述草炭：蛭石：珍珠岩：腐熟鸡粪的体积比为6:2:2:1。步骤2)中，所述浇水的时间优选为12-18天；进一步优选为14天。步骤2)中，所述围护保暖的方法为加盖草苫。步骤2)中，第二天早上撤去保暖措施的时间优选为7:30-8:30；进一步优选为8:00。步骤3)中，所述育蕾期期间，温室的湿度保持在30-70％之间。步骤3)中，所述补光的方法包括：早6点-早8点以及晚5点-晚8点之间，可用250w-400w高压钠灯或50w-100w红白光比例为2：3的LED灯补光，若为阴天，则自早6点-晚8点全天补光。步骤3)中，所述施肥指：施加N、P、K质量百分比20:20:20的水溶肥，1次1升，浓度为5‰，质量分数。步骤3)中，所述叶面肥为3‰的K2HPO3溶液，质量分数。优选的，本专利技术的破除芍药芽休眠的方法适用于11月平均温度在0-5℃的地区。其次，本专利技术公开了本专利技术的破除芍药芽休眠的方法栽培的芍药。最后，本专利技术公开了上述破除芍药芽休眠的方法在破除芍药、牡丹等植物芽体休眠中应用以及本专利技术的破除芍药芽休眠的方法栽培的芍药在年宵花产品推广中的应用。本专利技术的特点在于：本专利技术采用赤霉素和自然低温配合的方法替代了传统的入冷库冷藏的方法，提前了芍药花期和萌发期。芍药的芽体生长在根部，进入冬季后，这些芽体会进入休眠期，必须经过冬季的低温达到足够的冷量积累后才能结束休眠开始生长，为了使芍药提前进入花期，传统的方法是对芍药芽体提供一个人工低温环境，但这种方法耗能大、工序繁琐、成本高，而本专利技术的方法首先通过在10月份底就对快进入或刚休眠的芍药芽体施加赤霉素，使芍药芽体在11月初就直接进入生长期，而不用等到积累足够的冷量后才开始生长，可使芍药芽体较露地栽培提前5个月进入生长期，此时，本专利技术的芍药芽体便可开始低速生长，而后，利用外界的自然低温使芽体进行冷量的积累，这样可以节约大量提供人工低温环境所需的能耗与成本；经过外界自然低温的冷量积累后芽体进入温室，经过茎叶生长期、育蕾期后，芍药即可进入盛花期。与现有技术相比，本专利技术取得了以下有益效果：(1)本专利技术通过赤霉素和自然低温配合的方法，不仅大大简化了破除芍药芽体休眠的工序，降低了成本；而且能使芍药的花期至少提前15天，大幅度促进了芍药年宵花产品的市场化推广。(2)本专利技术方法克服了芍药冷库冷藏搬运、仓储成本高、能耗大的问题，又解决了黄河以南地区单独利用11-12月自然低温无法满足芍药需冷量、成花效果差的问题。利用赤霉素替代部分低温打破休眠，促进芍药提早萌发，萌发后置于室外利用自然低温满足芍药冷量需求。利用该技术生产的芍药盆花可在春节前后开花，比黄河以南地区露地栽培芍药花期提前约80天，且成花率达85％以上，成品率达98％以上，花径和株高均匀，非常适宜做年宵花推广。具体实施方式应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。正如
技术介绍
所述，现有的芍药的催花程序繁琐、成本较高，在一定程度上限制了芍药年宵花产品的市场化推广；因此，本专利技术提出一种破除芍药芽休眠的方法；现结合具体实施方式对本专利技术进行进一步说明。本专利技术实施例中，成花率和成品率的计算方法为：成花率(％)＝成花数/蕾数×100％；成品率(％)＝开花量大于等于3的植株数/处理植株数×100％。实施例1一种破除芍药芽休眠的方法，包括以下步骤：2017年9月28日，将3年生芍药(品种：大富贵)修剪根，用稀释了800倍的多菌灵浸泡杀菌，喷稀释了1000倍的ABT生根粉溶液后上盆，基质采用草炭：蛭石：珍珠岩：腐熟鸡粪，体积比为6:2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：1)芍药上盆养根结束后，从10月底开始，每隔3天向芍药盆中浇灌一次GA3，共浇灌3次；2)GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待芍药芽体开始露出地面，视情况每隔一段时间浇一次水；待最低气温降低至2‑4℃时，于下午5点前对盆栽芍药进行围护保暖，第二天早上7:30点以后撤去保暖措施；3)待日最低气温低于‑2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始对温室加温，保持温室温度在5‑15℃之间；长出茎叶后将温室温度提高至10‑20℃；育蕾期及以后温度控制在15‑25℃；每天温室加温同时补光；盆栽芍药处在温室期间，每7‑10天浇水施肥一次，育蕾期后每隔3天喷一次叶面肥，浇水当天夜间熏库，70％灰霉利与20％异丙威轮换使用；自入温室开始每隔1天转一次盆；步骤1)和2)中，所有操作都在室外进行。

【技术特征摘要】
1.一种破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：1)芍药上盆养根结束后，从10月底开始，每隔3天向芍药盆中浇灌一次GA3，共浇灌3次；2)GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待芍药芽体开始露出地面，视情况每隔一段时间浇一次水；待最低气温降低至2-4℃时，于下午5点前对盆栽芍药进行围护保暖，第二天早上7:30点以后撤去保暖措施；3)待日最低气温低于-2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始对温室加温，保持温室温度在5-15℃之间；长出茎叶后将温室温度提高至10-20℃；育蕾期及以后温度控制在15-25℃；每天温室加温同时补光；盆栽芍药处在温室期间，每7-10天浇水施肥一次，育蕾期后每隔3天喷一次叶面肥，浇水当天夜间熏库，70％灰霉利与20％异丙威轮换使用；自入温室开始每隔1天转一次盆；步骤1)和2)中，所有操作都在室外进行。2.如权利要求1所述的破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述GA3的浇灌量为每次150ml，浓度为200mg/L。3.如权利要求1所述的破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述芍药盆中的基质为草炭：蛭石：珍珠岩：腐熟鸡粪；优选的，所述草炭：蛭石：珍珠岩：腐熟鸡粪的体积比为6:2:2:1。4.如权利要求1所述的破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述围护保暖的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜楠南，徐金光，房义福，孙音，王媛，温立柱，吴晓星，
申请(专利权)人：山东省林业科学研究院，
类型：发明
国别省市：山东,37