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一种螺旋状超长金属线/带的制备方法技术

技术编号:19010623 阅读:247 留言:0更新日期:2018-09-22 10:17
本发明专利技术公开了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。本发明专利技术利用掩膜板制备超长的金属线/带,有序性好,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来;该制备方法简单,适用于多种金属,适合产业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种螺旋状超长金属线/带的制备方法
本专利技术处于传感器器件
,具体涉及一种螺旋状超长金属线/带的制备方法。
技术介绍
金属纳米线具有导电性能好、适用性广等优点,因而受到了人们的重视。例如,随着人们生活水平的提高,人们对医疗健康产品提出了更高的要求,穿戴式医疗器件受到了人们的青睐。可穿戴式压力医疗器件要求柔软、轻便、舒适,而满足这些要求通常是有机材料,例如PDMS、PET等。有机薄膜通常是不导电的,为了获得良好的电学性能,会在PDMS中掺入金属纳米线、碳纳米管和石墨烯等。此外,随着科学迅速发展,纳米器件有望在未来发挥极其重要的作用。而金属纳米线可以作为纳米器件的电极材料。随着微纳加工技术的不断成熟,金属纳米线将会对纳米器件的发展产生积极的影响。目前,一般是通过腐蚀剥离法、外延法和水热法等方法制备金属纳米线。但这些方法制备的金属纳米线有序性较差、长度较短,一般不超过1cm,而且,采用这些方法制备的纳米线无规则,也无法盘卷起来,占地面积大,因此不能满足一些特殊领域的需求。
技术实现思路
本专利技术提供了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,利用掩膜板制备超长的金属线/带,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来。本专利技术采用的技术方案是:一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。优选的,所述线/带的宽度为300-10000nm。优选的,所述线/带的材质为Ag、Au、Pt、Cu、Fe、Al或Cr。更优选的,所述线/带的材质为Ag或Au。优选的,所述衬底的直径为2英寸以上;所述衬底可以选用容易被弱酸腐蚀的材料,衬底的材质为LiGaO2、MgO、ZnO或FeO。优选的,步骤1)中,旋涂的光刻胶的厚度为0.3-20μm。优选的,步骤2)中,使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,金属Cr掩膜板有激光刻蚀出的螺旋状图案。步骤2)中,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射10-60s。优选的,步骤3)中,采用电子束蒸发在在室温、真空大于10-3Pa的条件下蒸镀金属薄膜。优选的,所述金属薄膜的厚度为300-20000nm,金属薄膜为选自Ag薄膜、Au薄膜、Pt薄膜、Cu薄膜、Fe薄膜、Al薄膜或Cr薄膜。优选的,步骤4)中,退火的条件控制为:真空度大于10-4Pa,退火温度200-400℃,退火时间30-240min。更优选的,退火温度为300℃,退火时间120min。优选的,步骤6)中,除去衬底的具体操作为:在真空大于10-4Pa的条件下,将步骤5)处理后的衬底升温至600-900℃,然后以50-100℃/min的速率快速降温至室温,使衬底破碎。优选的,步骤6)中,除去衬底的具体操作为:将步骤5)处理后的衬底放置在耐酸的丝网上,置于弱酸中腐蚀掉衬底。本专利技术的有益效果是:本专利技术利用掩膜板制备超长的金属线/带,有序性好,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来;该制备方法简单,适用于多种金属,适合产业化生产。附图说明图1是超长金属纳米线生长模板区域的正面示意图。具体实施方式实施例1一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在大尺寸的LiGaO2衬底上(直径为2英寸以上)旋涂厚度为0.5μm的光刻胶;2)使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线的生长模板区域,该线的宽度为300nm,其中,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射10s;3)采用电子束蒸发在在室温、真空大于10-3Pa的条件下,在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层厚度为300nm的Au薄膜;4)在真空炉中退火,使Au薄膜结晶,并与LiGaO2衬底键合在一起,其中,退火的条件控制为:真空度大于10-4Pa,退火温度300℃,退火时间120min;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得长度为5m的螺旋状的Au超长线,6)在真空大于10-4Pa的条件下,将步骤5)处理后的衬底升温至750℃,然后以50℃/min的速率快速降温至室温,使衬底破碎玻璃,得到5m长的螺旋状的超长线。其中,所述Au线的宽度为300nm。实施例2一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在大尺寸的ZnO衬底上(直径为2英寸以上)旋涂厚度为0.5μm的光刻胶;2)使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线生长模板区域,该线宽度为300nm,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射20s;3)采用电子束蒸发在在室温、真空大于10-3Pa的条件下,在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层厚度为300nm的Au薄膜;4)在真空炉中退火,使Au薄膜结晶,并与ZnO衬底键合在一起,其中,退火的条件控制为:真空度大于10-4Pa,退火温度300℃,退火时间120min;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的Ag超长线,6)将步骤5)处理后的ZnO衬底放置在耐酸的丝网上,置于弱酸中腐蚀掉ZnO衬底,得到3m长的螺旋状的超长线。其中,所述Ag线的宽度为300nm。实施例3一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在大尺寸的MgO衬底上(直径为2英寸以上)旋涂厚度为2μm的光刻胶;2)使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线的生长模板区域,该线的宽度为600nm,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射30s;3)采用电子束蒸发在在室温、真空大于10-3Pa的条件下,在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层厚度为800nm的Ag薄膜;4)在真空炉中退火,使Ag薄膜结晶,并与MgO衬底键合在一起,其中,退火的条件控制为:真空度大于10-4Pa,退火温度200℃,退火时间240min;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的Ag超长线,6)将步骤5)处理后的衬底放置在耐酸的丝网上,置于弱酸中腐蚀掉MgO衬底,得到2m长的螺旋状的Ag超长线。其中,所述Ag线的宽度为600nm。实施例4一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在大尺寸的LiGaO2衬底上(直径为2英寸以上)旋涂厚度为10μm的光刻胶;2)使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的带的生长模板区域,该带宽度为5000nm,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射40s;3)采用电子束蒸发在在室温、真空大于10-3Pa的条件下,在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层厚度为50000nm的Pt薄膜;4)在真空炉中退火,使Pt薄膜结晶,并与LiGaO2衬底键合在一起,其中,退火的条件控制为:真空度大于10-4Pa,退火温度250℃,退火时间90min;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的Pt超长带,6)在真空大于10-4Pa的条件下,本文档来自技高网...
一种螺旋状超长金属线/带的制备方法

【技术保护点】
1.一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。

【技术特征摘要】
1.一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。2.根据权利要求1所述的螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,所述线/带的宽度为300-10000nm。3.根据权利要求1所述的螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,所述线/带的材质为Ag、Au、Pt、Cu、Fe、Al或Cr。4.根据权利要求1所述的螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,所述衬底的直径为2英寸以上;所述衬底的材质为LiGaO2、MgO、ZnO或FeO。5.根据权利要求1所述的螺旋状超长金属线/带的制备方法,其特征在于,步骤1)中,旋涂的光刻胶的厚度为0.3-20μm。6....

【专利技术属性】
技术研发人员:杨为家何鑫刘俊杰刘铭全刘艳怡王诺媛蒋庭辉江嘉怡沈耿哲
申请(专利权)人:五邑大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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