显示面板制造技术

一种显示面板，包括沿方向延伸的扫描线、沿该方向相邻设置的第一及第二像素结构。第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案及第一漏极。第一栅极与第一半导体图案层重叠。第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层电连接。第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案及第二漏极。第二栅极与第二半导体图案层重叠。第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿与该方向相交的方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口。第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层电连接。

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种高分辨率显示面板。
技术介绍
随着显示面板的发展，高分辨率已经成为基本需求之一。在目前的显示面板中，通常透过将像素的尺寸缩小以达成高分辨率。举例而言，近年来虚拟现实头戴式显示器蓬勃发展，其需要显示面板的每英寸像素(pixelperinch；ppi)达1000ppi以上，以避免因为分辨率不够高，人眼会看到如马赛克般的纹路。然而，目前像素尺寸缩小的程度已达到极限，使得目前显示面板的每英寸像素无法突破1000ppi以上。因此，如何开发出分辨率能达1000ppi以上的显示面板，实为研发者所欲达成的目标之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板，其分辨率能达到1000ppi以上。本专利技术的显示面板包括多个像素单元，每一像素单元包括：扫描线、第一数据线、第二数据线、第一像素结构及第二像素结构。扫描线、第一数据线以及第二数据线配置在一基板上，其中扫描线沿第一方向延伸，第一数据线以及第二数据线沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向相交。第一像素结构位于第一数据线与第二数据线之间，且第一像素结构包括：第一主动元件以及第一像素电极。第一主动元件包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极以及第一漏极。第一半导体图案层包括第一源极区、第一漏极区及第一信道区，第一信道区位于第一源极区与第一漏极区之间。第一栅极与第一通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第一绝缘图案位于第一半导体图案层上方，其中第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经由第一接触窗开口与第一漏极区电性连接，且第一源极与第一数据线及第一源极区电性连接。第一像素电极与第一漏极电性连接。第二像素结构与第一像素结构沿第一方向相邻设置，位于第一数据线与第二数据线之间，且包括第二主动元件以及第二像素电极。第二主动元件包括：第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极以及一第二漏极。第二半导体图案层包括第二源极区、第二漏极区及第二信道区，第二信道区位于第二源极区与第二漏极区之间。第二栅极与第二通道区于垂直基板方向上重叠且与扫描线电性连接。第二绝缘图案位于第二半导体图案层上，其中第二绝缘图案具有第二接触窗开口，且第二接触窗开口与第一接触窗开口沿第二方向分别位于扫描线的相对两侧。第二漏极经由第二接触窗开口与第二漏极区电性连接，且第二源极与第二数据线及第二源极区电性连接。第二像素电极与第二漏极电性连接。基于上述，透过本专利技术的显示面板包括沿第一方向延伸的扫描线、沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一数据线与第二数据线、以及位于第一数据线与第二数据线之间且沿第一方向相邻设置的第一像素结构及第二像素结构，其中第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案、第一源极及第一漏极，第一绝缘图案具有第一接触窗开口，第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层的第一漏极区电性连接，第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案、第二源极及第二漏极，第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿第二方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口，第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层的第二漏极区电性连接，藉此本专利技术的显示面板的分辨率能达到1000ppi以上。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。图2是图1中的对向基板、遮蔽图案层、第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的配置关系的上视示意图。图3是沿图1中的剖线a-a’的剖面示意图。图4是沿图1中的剖线b-b’的剖面示意图。图5是沿图1中的剖线c-c’的剖面示意图。图6是沿图1中的剖线d-d’的剖面示意图。图7是依照本专利技术的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。图8是依照本专利技术的另一实施方式的显示面板的局部上视示意图。图9是对应阵列排列的多个像素单元的第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的一种布置态样。图10是对应阵列排列的多个像素单元的第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的另一种布置态样。其中，附图标记为：10、20、30：显示面板100：基板110：对向基板120：液晶层130：第一半导体图案层131：第一源极区132：第一漏极区133：第一通道区134：第三通道区135：第一连接区130L、150L：长部130S、150S：短部140：第一绝缘图案140a、160a：闸绝缘图案140b、160b：层间绝缘图案150：第二半导体图案层151：第二源极区152：第二漏极区153：第二通道区154：第四通道区155：第二连接区160：第二绝缘图案A1、A2：配向膜BM：遮蔽图案层BP、OC、PL：绝缘层C1、C2、C3、C4、C5、C6：接触窗开口CF1、CF3：第一彩色滤光图案CF2、CF4：第二彩色滤光图案CM：共享电极层D1：第一漏极D2：第二漏极DL1：第一资料线DL2：第二资料线E1、E3：第一像素部E2、E4：第二像素部G1：第一栅极G2：第二栅极G3：第三栅极G4：第四栅极GI：闸绝缘层ILD：层间绝缘层M1、M3：第一主体部M2、M4：第二主体部OP：开口P1：第一像素结构P2：第二像素结构PE1：第一像素电极PE2：第二像素电极R1：第一侧R2：第二侧S1：第一源极S2：第二源极SL：扫描线SLb1：第一分支SLb2：第二分支SLm：主干SM1：第一遮蔽图案SM2：第二遮蔽图案T1：第一主动元件T2：第二主动元件U：像素单元x：第一方向y：第二方向z：垂直基板方向具体实施方式图1是依照本专利技术的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。图2是图1中的对向基板、遮蔽图案层、第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的配置关系的上视示意图。图3是沿图1中的剖线a-a’的剖面示意图。图4是沿图1中的剖线b-b’的剖面示意图。图5是沿图1中的剖线c-c’的剖面示意图。图6是沿图1中的剖线d-d’的剖面示意图。请同时参照图1、图2、图3、图4、图5与图6，显示面板10的像素单元U包括基板100、扫描线SL、第一资料线DL1、第二数据线DL2、第一像素结构P1以及第二像素结构P2。另外，显示面板10的像素单元U可更包括绝缘层PL、共享电极层CM、绝缘层BP、配向膜A1、配向膜A2、液晶层120、对向基板110、遮蔽图案层BM、第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2以及绝缘层OC。为了清楚说明，图1中仅绘示出单一像素单元U和其周围区域，然专利技术所属领域中具有通常知识者应理解显示面板10中实际上包括多个像素单元U，且像素单元U排列成阵列。因此，任何所属
中具有通常知识者可以根据以下实施方式了解本专利技术的显示面板10的结构或布局。另外，为了方便说明起见，图1中省略绘示绝缘层PL、绝缘层BP、配向膜A1、配向膜A2、液晶层120、对向基板110、遮蔽图案层BM、第一彩色滤光图案CF1、第二彩色滤光图案CF2以及绝缘层OC等构件。基板100的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。对向基板110位于基板100的对向。对向基板110的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。在本实施方式中，显示介质例如是液晶层120，其设置于基板100与对向基板110之间。也就是说，显示面板10可为液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括多个像素单元，每一像素单元包括：一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线，配置在一基板上，其中该扫描线沿一第一方向延伸，该第一数据线以及该第二数据线沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向相交；一第一像素结构，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第一像素结构包括：一第一主动元件，包括：一第一半导体图案层，包括一第一源极区、一第一漏极区及一第一通道区，该第一通道区位于该第一源极区与该第一漏极区之间；一第一栅极，与该第一通道区于垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；一第一绝缘图案，位于该第一半导体图案层上，其中该第一绝缘图案具有一第一接触窗开口；以及一第一源极以及一第一漏极，其中该第一漏极经由该第一接触窗开口与该第一漏极区电性连接，且该第一源极与该第一资料线及该第一源极区电性连接；以及一第一像素电极，与该第一漏极电性连接；以及一第二像素结构，与该第一像素结构沿该第一方向相邻设置，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第二像素结构包括：一第二主动元件，包括：一第二半导体图案层，包括一第二源极区、一第二漏极区及一第二通道区，该第二通道区位于该第二源极区与该第二漏极区之间；一第二栅极，与该第二通道区于该垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；一第二绝缘图案，位于该第二半导体图案层上，其中该第二绝缘图案具有一第二接触窗开口，且该第二接触窗开口与该第一接触窗开口沿该第二方向分别位于该扫描线的相对两侧；以及一第二源极以及一第二漏极，其中该第二漏极经由该第二接触窗开口与该第二漏极区电性连接，且该第二源极与该第二资料线及该第二源极区电性连接；以及一第二像素电极，与该第二漏极电性连接。...

【技术特征摘要】
2018.03.02 TW 1071069021.一种显示面板，其特征在于，包括多个像素单元，每一像素单元包括：一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线，配置在一基板上，其中该扫描线沿一第一方向延伸，该第一数据线以及该第二数据线沿一第二方向延伸，且该第一方向与该第二方向相交；一第一像素结构，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第一像素结构包括：一第一主动元件，包括：一第一半导体图案层，包括一第一源极区、一第一漏极区及一第一通道区，该第一通道区位于该第一源极区与该第一漏极区之间；一第一栅极，与该第一通道区于垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；一第一绝缘图案，位于该第一半导体图案层上，其中该第一绝缘图案具有一第一接触窗开口；以及一第一源极以及一第一漏极，其中该第一漏极经由该第一接触窗开口与该第一漏极区电性连接，且该第一源极与该第一资料线及该第一源极区电性连接；以及一第一像素电极，与该第一漏极电性连接；以及一第二像素结构，与该第一像素结构沿该第一方向相邻设置，位于该第一数据线与该第二数据线之间，且该第二像素结构包括：一第二主动元件，包括：一第二半导体图案层，包括一第二源极区、一第二漏极区及一第二通道区，该第二通道区位于该第二源极区与该第二漏极区之间；一第二栅极，与该第二通道区于该垂直基板方向上重叠且与该扫描线电性连接；一第二绝缘图案，位于该第二半导体图案层上，其中该第二绝缘图案具有一第二接触窗开口，且该第二接触窗开口与该第一接触窗开口沿该第二方向分别位于该扫描线的相对两侧；以及一第二源极以及一第二漏极，其中该第二漏极经由该第二接触窗开口与该第二漏极区电性连接，且该第二源极与该第二资料线及该第二源极区电性连接；以及一第二像素电极，与该第二漏极电性连接。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一半导体图案层及该第二半导体图案层分别为具有一短部与一长部的L形半导体图案层，该第一半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第一侧，该第二半导体图案层的该短部位于该扫描线的一第二侧。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该第一漏极区位于该第一半导体图案层的该短部上，该第一通道区及该第一源极区位于该第一半导体图案层的该长部上；以及该第二漏极区位于该第二半导体图案层的该短部上，该第二通道区及该第二源极区位于该第二半导体图案层的该长部上。4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该第一半导体图案层的该长部与该第一数据线于该垂直基板方向上实质重叠，该第一半导体图案层的该短部朝向远离该第一数据线的方向延伸，以及该第二半导体图案层的该长部与该第二数据线于该垂直基板方向上实质重叠，该第二半导体图案层的该短部朝向远离该第二数据线的方向延伸。5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该第一主动元件更包括：一第三栅极，与该扫描线电性连接且与该第一半导体图案层的一第三通道区于该垂直基板方向上重叠，其中该第三通道区位于该第一通道区与该第一源极区之间；该第二主动元件更包括：一第四栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱昭宇，罗谚桦，黄馨谆，郭文瑞，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71