【技术实现步骤摘要】
LTPSTFT基板的制作方法及LTPSTFT基板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种LTPSTFT基板的制作方法及LTPSTFT基板。
技术介绍
在显示
,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向,用于向显示器提供驱动电路,通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线,该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元,每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连,当栅极扫描线上的电压达到开启电压时,薄膜晶体管的源极和漏极导通,从而将数据线上的数据电压输入至像素电极,进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。其中,低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比,虽然制作工艺复杂,但因其具有更高的载流子迁移率,被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作,低温多晶硅被视为实现 ...
【技术保护点】
1.一种LTPS TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上由下至上依次形成缓冲层(20)、多晶硅有源层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极(50)及层间绝缘层(60);所述多晶硅有源层(30)具有位于两端的源漏极接触区(31)、位于中间的沟道区(32)及位于源漏极接触区(31)与沟道区(32)之间的LDD区(33);所述栅极绝缘层(40)在所述缓冲层(20)上覆盖所述多晶硅有源层(30);所述栅极(50)在所述栅极绝缘层(40)上对应位于所述多晶硅有源层(30)的沟道区(32)的上方;所述层间绝缘层(60)在所述栅极绝缘层(40)上覆盖所述栅极(50);步骤S2、在所述层间绝缘层(60)上涂布光阻,经曝光、显影后得到光阻层(90),所述光阻层(90)对应于所述源漏极接触区(31)的上方具有过孔图案(95)而露出层间绝缘层(60);步骤S3、以所述光阻层(90)为遮蔽层,对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻,在所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)上对应于所述源漏极接触区(31)的上方形成过孔(65), ...
【技术特征摘要】
1.一种LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上由下至上依次形成缓冲层(20)、多晶硅有源层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极(50)及层间绝缘层(60);所述多晶硅有源层(30)具有位于两端的源漏极接触区(31)、位于中间的沟道区(32)及位于源漏极接触区(31)与沟道区(32)之间的LDD区(33);所述栅极绝缘层(40)在所述缓冲层(20)上覆盖所述多晶硅有源层(30);所述栅极(50)在所述栅极绝缘层(40)上对应位于所述多晶硅有源层(30)的沟道区(32)的上方;所述层间绝缘层(60)在所述栅极绝缘层(40)上覆盖所述栅极(50);步骤S2、在所述层间绝缘层(60)上涂布光阻,经曝光、显影后得到光阻层(90),所述光阻层(90)对应于所述源漏极接触区(31)的上方具有过孔图案(95)而露出层间绝缘层(60);步骤S3、以所述光阻层(90)为遮蔽层,对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻,在所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)上对应于所述源漏极接触区(31)的上方形成过孔(65),使形成的所述过孔(65)和光阻层(90)之间形成底切结构,所述过孔(65)的纵截面呈倒置梯形,所述光阻层(90)伸到所述过孔(65)上方而遮盖所述过孔(65)孔壁的顶部;步骤S4、在所述过孔(64)位置处沉积导电材料,该导电材料穿过所述光阻层(90)在过孔(65)内形成与所述源漏极接触区(31)相接触的导电层(70),剥离去除所述光阻层(90)及光阻层(90)上的导电材料;步骤S5、在所述层间绝缘层(60)上沉积并图案化形成源漏极(80),所述源漏极(80)与所述过孔(65)内的导电层(70)相接触进而与所述源漏极接触区(31)相导通。2.如权利要求1所述的LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为金属材料层或金属氧化物材料层。3.如权利要求2所述的LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为金属钼层。4.如权利要求2所述的LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中所沉积形成的导电层(70)为N型离子掺杂的非晶硅层。5.如权利要求2所述的LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻的蚀刻气体包含氧气,该蚀刻气体还包含六氟化硫、五氟乙烷及四氟化碳中的一种或多种。6.如权利要求1所述的LTPSTFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括如下步骤:步骤S11、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成多晶硅层,对所述多晶硅层进行图案化处理,得到多晶硅有源层(30),在所述缓冲层(20)上形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40);步骤S12、在所述栅极绝缘层(40)沉积金属层,在所述金属层上对应于所述多晶硅有...
【专利技术属性】
技术研发人员:李立胜,刘广辉,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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