薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。本发明专利技术在衬底基板的非透光区域制作吸光层，以减少衬底基板在非透光区域的光反射，进而减少TFT基板外表面对环境光的镜面反射；同时，该金属氧化膜层还可作为遮光层，对不需要透光的位置进行遮挡，减少了有源层的光生载流子产生，改善TFT基板特性；尤其适合于制作窄边框和/或曲面的显示组件或显示装置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置
本专利技术涉及显示技术，尤其是一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置。
技术介绍
现有的四边窄边框甚至无边框显示面板的解决方案是将薄膜晶体管基板(ThinFilmTransistor，简称TFT基板)放置在观看侧，彩膜基板(ColorFilter，简称CF基板)放置在背光侧，可以大幅度地窄化印刷电路板(PrintedCircuitBoard，简称PCB)的贴合边框。但是阵列基板(Array)的金属电极线存在反光现象，特别是外界光线较强时，TFT基板的外表面形成的镜面反射现象比较严重，对显示面板(Panel)的出射光造成干扰，从而影响显示面板的屏幕显示。对于这种金属电极线的反光现象，目前的解决方法一般是增加一道甚至几道掩膜版(mask)，来制备遮挡反光的其它图层；由于掩膜版与其它图形之间、以及几道掩膜版之间的对位和不良率问题，会对显示面板的开口率和良品率等造成影响，而且增加新的图层会增加TFT基板的段差，增加薄膜晶体管基板与彩膜基板的嵌入工艺(Cell工艺)的难度。目前有采用有机材料的黑色矩阵(BlackMatrix，简称BM)来减少TFT基板外表面的镜面反射现象，但印刷这种BM需要单独制作掩膜版，由于该掩膜版与其它各层的对位误差，故对显示面板的开口率有一定影响；尤其是，如果BM的对位偏移过大，不仅不能完全遮挡金属电极线，还会使金属电极线劣化，漏电电流增大。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，特别是解决薄膜晶体管基板外表面的镜面反射的问题。本专利技术提出一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。优选地，所述金属靶材包括钼、钼合金、钛、钛合金或钼钛合金中的一种。优选地，通过溅射工艺在所述衬底基板上形成过渡层；沉积时，以500sccm-700sccm的速率通入惰性气体。进一步地，所述通入氧气的速率为600sccm-800sccm，所述吸光层的厚度为所述吸光层包括金属氧化物。优选地，所述通入氧气的同时，还通入氮气，以形成包括有金属氮氧化物的吸光层。优选地，所述通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除的步骤，包括：在所述源漏极金属导电层上覆涂光刻胶；对所述预设透光区域进行曝光处理，以去除所述预设透光区域的光刻胶；对经曝光处理的基板结构进行第一次刻蚀处理，以将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。进一步地，还包括：在对所述预设透光区域进行曝光处理的同时，对预设源漏极间隔区域进行半曝光处理；在对经曝光处理的基板结构进行第一次刻蚀处理后，对预设源漏极间隔区域进行灰化处理，以去除所述预设源漏极间隔区域的光刻胶；将已进行灰化处理的基板结构进行第二次刻蚀处理，以将所述预设源漏极间隔区域的源漏极金属导电层去掉。本专利技术还提出一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板采用前述任一项所述的制作方法制作而成。本专利技术还提出一种像素结构，其包括所述的薄膜晶体管基板。本专利技术还提出一种显示装置，其包括所述的薄膜晶体管基板。本专利技术的有益效果如下：1、本专利技术的薄膜晶体管基板的制作方法在制作过渡层的工艺基础上通入氧气，可形成吸光的吸光层；该吸光层可减小薄膜晶体管基板非透光区域的镜面反射不良影响，还可遮挡薄膜晶体管基板内侧的电极线，故可在薄膜晶体管基板内侧布置电极线，以制作窄边框的显示面板或曲面显示面板；还可在所述吸光层上形成源漏极金属导电层，并通过同一刻蚀工艺，同时去除预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层，不会增加现有工艺的复杂性。2、本专利技术薄膜晶体管基板的制作方法与现有的单独印制黑色矩阵的工艺相比，减少了制作BM掩膜版、BM印刷、刻蚀等工艺步骤；同时，也避免了单独制作BM层带来的印刷误差和对位偏移影响。3、本专利技术的薄膜晶体管基板通过改善过渡层的结构，形成能够吸光的吸光层，不仅可减小所述镜面反射不良影响和遮挡内侧电极线，还可减少顶栅型晶体管有源层的光生载流子产生，降低漏电流，改善TFT基板特性；且本专利技术不增加新图层，对薄膜晶体管基板的整体厚度影响小，对薄膜晶体管基板的后续制作工艺、以及与彩膜基板的嵌入工艺影响亦较小。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本专利技术的制作方法中吸光层的制作方法实施例的流程示意图；图2为本专利技术的制作方法中将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除的实施例流程示意图；图3为本专利技术的制作方法中第二次刻蚀处理的优选实施例流程示意图；图4为本专利技术的薄膜晶体管基板优选实施例的结构示意图；图5为本专利技术的像素结构优选实施例的结构示意图。标号说明：衬底基板1，吸光层21，像素电极22，源漏极金属导电层31，有源层32，栅极层33，钝化层34，公共电极35，液晶层4，彩膜层5，背光层6，背光板61，导光层62。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本专利技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“沉积”到另一元件时，它可以直接沉积到其他元件，或者也可以存在中间元件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本专利技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。本专利技术提出一种薄膜晶体管基板的制作方法实施例，如图1所示，包括如下步骤：步骤S10：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；结合图4所示，现有部分基板的衬底基板1上沉积有过渡层(或称缓冲层)，再于过渡层层上制作晶体管组件。所述的沉积方法可为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、溅射工艺等，用于改善衬底基板的平坦性，或用于减少源电极或漏电极的接触电阻，或用于防止晶体管截止电流的增加或阈值电压的负向偏移等。在本专利技术中，所述过渡层可包括钼、钛或其合金等成分，可采用蒸镀、溅射或多种沉积工艺组合以形成过渡层。步骤S20：在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；沉积过程中通入氧气时，氧气将与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括：利用包含有金属靶材的材料，在衬底基板上形成过渡层；在形成过渡层的过程中通入氧气，以使所述金属靶材氧化形成能够吸光的吸光层；在所述吸光层上形成源漏极金属导电层；通过刻蚀工艺，将预设透光区域的吸光层和源漏极金属导电层一并去除。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属靶材包括钼、钼合金、钛、钛合金或钼钛合金中的一种。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过溅射工艺在所述衬底基板上形成过渡层；沉积时，以500sccm-700sccm的速率通入惰性气体。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述通入氧气的速率为600sccm-800sccm，所述吸光层的厚度为所述吸光层包括金属氧化物。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通入氧气的同时，还通入氮气，以形成包括有金属氮氧化物的吸光层。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过刻蚀工...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梁梁，刘正，林滨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11