一种内存盘及内存盘的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种内存盘，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。本方案能够使内存颗粒稳固在PCB上，避免接触不良。

A method for making memory disk and memory disk

The invention provides a memory disk, which comprises a printed circuit board PCB, a power supply circuit, a memory buffer chip functional circuit and at least one memory particle; the power supply circuit and the memory buffer chip functional circuit are arranged on the PCB; the at least one memory particle is welded on the PCB; and the power supply circuit is divided into two parts. The memory buffer chip functional circuit is connected with each of the memory particles, and the power supply circuit is used to supply the memory buffer chip functional circuit and each of the memory particles, and the memory buffer chip function is connected with each of the memory particles. A circuit is used to control the at least one memory particle, wherein the at least one memory particle constitutes a single channel or a double channel. This program can stabilize the memory particles on PCB and avoid bad contact.

【技术实现步骤摘要】
一种内存盘及内存盘的制作方法
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种内存盘及内存盘的制作方法。
技术介绍
目前，服务器使用的内存形式主要为DIMM(DualInlineMemoryModules，双列直插式存储模块)插槽与内存条结合的方式，即内存条通过DIMM插槽固定于PCB(PrintedCircuitBoard，印制电路板)上。但是，该结合方式使内存条易产生晃动，导致接触不良。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种内存盘及内存盘的制作方法，能够使内存颗粒稳固在PCB上，避免接触不良。第一方面，本专利技术实施例提供了一种内存盘，包括：PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。优选地，进一步包括：针孔式高速连接器；所述针孔式高速连接器设置于所述PCB上；所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板相连。优选地，所述PCB上设置有至少一个第一通道焊接位、至少一个第二通道焊接位；当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成单通道；当所述至少一个内存颗粒中至少一个第一内存颗粒通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上、至少一个第二内存颗粒通过相应的所述第二通道焊接位焊接在所述PCB上时，所述至少一个内存颗粒组成双通道。优选地，所述内存颗粒的规格包括：DDR3，或，DDR4。第二方面，本专利技术实施例提供了一种内存盘的制作方法，包括：在PCB上设置电源电路、内存缓冲芯片功能电路；将至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；将电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒连接；将所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒连接。优选地，进一步包括：在所述PCB上设置针孔式高速连接器；将所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板连接。本专利技术实施例提供了一种内存盘及内存盘的制作方法，其中，在该内存盘中，内存颗粒可以通过焊接的方式牢牢固定在PCB上，与现有技术相比，能够避免内存颗粒产生晃动，避免接触不了。并且，该内存盘能够通过内存缓冲芯片功能电路实现单通道和双通道，以满足不同应用场景的需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一个实施例提供的一种内存盘的结构示意图；图2是本专利技术另一个实施例提供的一种内存盘的结构示意图；图3是本专利技术一个实施例提供的一种内存盘的制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种内存盘，包括：PCB101、电源电路102、内存缓冲芯片功能电路103和至少一个内存颗粒104(本专利技术实施例以两个内存颗粒为例)；电源电路102、内存缓冲芯片功能电路103设置于PCB101上；至少一个内存颗粒104焊接在PCB101上；电源电路102分别与内存缓冲芯片功能电路103、每一个内存颗粒104相连，内存缓冲芯片功能电路103与每一个内存颗粒104相连；电源电路102，用于为内存缓冲芯片功能电路103、每一个内存颗粒104进行供电；内存缓冲芯片功能电路103，用于控制至少一个内存颗粒104，其中，至少一个内存颗粒104组成单通道或双通道。该内存盘中，内存颗粒可以通过焊接的方式牢牢固定在PCB上，与现有技术相比，能够避免内存颗粒产生晃动，避免接触不了。并且，该内存盘能够通过内存缓冲芯片功能电路实现单通道和双通道，以满足不同应用场景的需求。在本专利技术的一个实施例中，如图2所示，该内存盘还包括：针孔式高速连接器105；针孔式高速连接器105设置于PCB101上；针孔式高速连接器105分别与内存缓冲芯片功能电路103、外部的主板相连。现有技术中，内存盘和主板通过金手指连接，但是，金手指易氧化导致接触不良。本实施例中，采用针孔式高速连接器的方式连接，为高速板对板连接器，能够提高连接的可靠性和信号质量，以满足DDR3、DDR4内存的传输速率。在本专利技术的一个实施例中，PCB101上设置有至少一个第一通道焊接位、至少一个第二通道焊接位；当每一个内存颗粒均通过相应的第一通道焊接位焊接在PCB上时，至少一个内存颗粒组成单通道；当每一个内存颗粒均通过相应的第二通道焊接位焊接在PCB上时，至少一个内存颗粒组成单通道；当至少一个内存颗粒中至少一个第一内存颗粒通过相应的第一通道焊接位焊接在PCB上、至少一个第二内存颗粒通过相应的第二通道焊接位焊接在PCB上时，至少一个内存颗粒组成双通道。在本专利技术的一个实施例中，内存颗粒104的规格包括：DDR3，或，DDR4。如图3所示，本专利技术实施例提供了一种内存盘的制作方法，包括以下步骤：步骤301：在PCB上设置电源电路、内存缓冲芯片功能电路。步骤302：将至少一个内存颗粒焊接在PCB上。其中，PCB上设置有多个第一通道焊接位、多个第二通道焊接位；当所有的内存颗粒均通过相应的第一通道焊接位焊接在PCB上时，内存颗粒组成单通道；当所有的内存颗粒均通过相应的第二通道焊接位焊接在PCB上时，内存颗粒组成单通道；当内存颗粒中一部分通过相应的第一通道焊接位焊接在PCB上、另一部分通过相应的第二通道焊接位焊接在PCB上时，内存颗粒组成双通道。步骤303：将电源电路分别与内存缓冲芯片功能电路、每一个内存颗粒连接。步骤304：将内存缓冲芯片功能电路与每一个内存颗粒连接。在本专利技术的一个实施例中，该方法还包括：在PCB上设置针孔式高速连接器；将针孔式高速连接器分别与内存缓冲芯片功能电路、外部的主板连接。综上，本专利技术各个实施例至少具有如下效果：1、在本专利技术实施例中，在该内存盘中，内存颗粒可以通过焊接的方式牢牢固定在PCB上，与现有技术相比，能够避免内存颗粒产生晃动，避免接触不了。并且，该内存盘能够通过内存缓冲芯片功能电路实现单通道和双通道，以满足不同应用场景的需求。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内存盘，其特征在于，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。

【技术特征摘要】
1.一种内存盘，其特征在于，包括：印制电路板PCB、电源电路、内存缓冲芯片功能电路和至少一个内存颗粒；所述电源电路、所述内存缓冲芯片功能电路设置于所述PCB上；所述至少一个内存颗粒焊接在所述PCB上；所述电源电路分别与所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒相连，所述内存缓冲芯片功能电路与每一个所述内存颗粒相连；所述电源电路，用于为所述内存缓冲芯片功能电路、每一个所述内存颗粒进行供电；所述内存缓冲芯片功能电路，用于控制所述至少一个内存颗粒，其中，所述至少一个内存颗粒组成单通道或双通道。2.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，进一步包括：针孔式高速连接器；所述针孔式高速连接器设置于所述PCB上；所述针孔式高速连接器分别与所述内存缓冲芯片功能电路、外部的主板相连。3.根据权利要求1所述的内存盘，其特征在于，所述PCB上设置有至少一个第一通道焊接位、至少一个第二通道焊接位；当每一个所述内存颗粒均通过相应的所述第一通道焊接位焊接在所述PCB上时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟西斌，崔铭航，李晓，
申请(专利权)人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37