一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器制造技术

本发明专利技术请求保护一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，包括两级依次串接的伪差分共源结构，并在伪差分共源放大器结构上采用交叉耦合电容中和技术；输入级匹配网络采用串联电容并联电感的方式；放大器两级直接采用电容直接耦合链接进行匹配。在输入级匹配网络中采用一个并联电感，能够降低匹配网络的损耗；此外，采用交叉耦合中电电容，用来提高功率增益，改善电路反向隔离度和稳定性，同时在不增加额外功耗下实现了高增益。为解决由于元件寄生造成的中心频率和匹配性能偏离理论值，采用遗传算法对无源器件(电感)及CMOS晶体管尺寸进行微调，使得电路在寄生效应影响下也能达到最佳性能。本发明专利技术所设计的电路结构简单，易于设计实现。

A high gain V band power amplifier based on genetic algorithm optimization

The invention requests protection of a high-gain V-band power amplifier based on genetic algorithm optimization, including a two-stage pseudo-differential common-source structure in series, and a cross-coupled capacitor neutralization technique for the pseudo-differential common-source amplifier structure; an input-stage matching network using a series capacitor in parallel with an inductor; and a two-stage direct amplifier. The capacitor is directly coupled to the link to match. A parallel inductor is used in the input stage matching network to reduce the loss of the matching network. In addition, a cross-coupled intermediate capacitor is used to improve the power gain, reverse isolation and stability of the circuit, while achieving high gain without additional power consumption. In order to solve the deviation of center frequency and matching performance caused by parasitic components, genetic algorithm is used to fine-tune the size of passive devices (inductors) and CMOS transistors, so that the circuit can achieve the best performance under the influence of parasitic effects. The circuit designed by the invention is simple in structure and easy to design and realize.

【技术实现步骤摘要】
一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器
本专利技术属于电子
，涉及一种微波功率放大器的设计，具体涉及到一种基于90nmCMOS工艺设计的具有交叉耦合电容结构并采用遗传算法优化的高增益V波段功率放大器。需要说明的是，该专利技术所涉及的微波功率放大器的设计方法不局限于所述90nm的CMOS工艺，也同样适用于其他深亚微米级CMOS工艺技术节点。
技术介绍
目前,由于采用RF_CMOS工艺的功率放大器具有集成度高,易与基带CMOS电路结合的特点，且随着深亚微米CMOS工艺技术的进步，RF_CMOS晶体管的特征频率超过100GHz，因而基于RF_CMOS技术的微波功率放大器的设计受到越来越多的重视。但是采用CMOS工艺所设计的功率放大器在技术上也存在着极大挑战。首先是在高频特别是毫米波段,米勒电容的存在严重影响了晶体管的稳定性。为了使晶体管满足稳定条件,现有的技术一般是采用:a)阻容反馈电路；b)输入串联电阻或者并联电阻。但这两种技术的缺陷是会降低晶体管的最大可用功率增益。其次是有限的击穿电压。CMOS工艺的击穿电压通常较低,因此要输出足够大的功率,需要采用合适的功率合成的方法。现有的片内功率合成技术通常是采用:a)电流叠加功率合成技术；b)wilkinson功率合成技术。第一方案的缺陷是晶体管的尺寸会很大,导致输入输出的阻抗很低,匹配困难；第二种技术的缺陷是功率合成电路会非常大,增加了成本。再次是亳米波频段的匹配网络,现有的技术有:a)集总元件匹配；b)微带线匹配；c)传输线和变压器结合。第一种方案的缺陷是现有元件库中无源器件Q值较低；第二种方案的缺陷是损耗大和面积大；第三种方案能够降低面积，可是损耗仍然很大。最后是由于毫米波频段元器件寄生效应的增大造成的电路中心频段和匹配性能偏离理论分析。
技术实现思路
本专利技术旨在解决以上现有技术的问题。提出了一种有效提升电路增益，稳定性、改善反向隔离度的基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器。本专利技术的技术方案如下：一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其包括：输入端匹配网络、第一级伪差分共源放大器、第二级伪差分共源放大器、级间匹配网络、输出匹配网络及电阻负载，所述第一级伪差分共源放大器和第二级伪差分共源放大器之间采用交叉耦合电容，所述输入端匹配网络的输入端连接信号源或功率源(Vs),输入匹配网络的输出端连接第一级伪差分共源放大器的输入端,第一级伪差分共源放大器的输出端连接级间匹配网络的输入端，级间匹配网络的输出端接第二级伪差分共源放大器的输入端，第二级伪差分共源放大器的输出端通过输出匹配网络后连接负载。所述输入端匹配网络用于实现输入匹配、第一级伪差分共源放大器用于提高电路增益、第二级伪差分共源放大器用于实现输出、级间匹配网络用于实现共轭匹配、输出匹配网络用于实现最佳负载阻抗匹配及高电阻负载用于连接偏置电压。进一步的，所述输入端匹配网络为二端口输入,输入信号是差分信号或单端信号,输出为二端口，差分信号或单端信号，在完成常规设计后针对功率放大器性能参数指标采用遗传算法对电路元器件参数进行优化。进一步的，所述第一级伪差分共源放大器和第二级伪差分共源放大器的结构一样,每一个伪差分共源放大器分别包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电容CC1、第二电容CC2,所述第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极连接在一起,所述第一电容CC1跨接在第二晶体管M2的栅极和第一晶体管MI的漏极,第二电容CC2跨接在第一晶体管Ml的栅极和第二晶体管M2的漏极,信号从第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极输入,从第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极输出。进一步的，所述第一晶体管M1和第二晶体管M2的参数一样,所述第一电容CC1、第二电容CC1的电容值一样，以此跨接构成的电容结构为交叉耦合电容中和结构。进一步的，所述输入端匹配网络包括：两个隔直电容Cin和电感L；两个隔直电容Cin电容值相等，通过调节电感L和电容Cin的值使得输入阻抗为纯实数。进一步的，所述级间匹配网络与输出匹配网络，由电感LD(1,2)和电容C1、电容C2构成，所述电阻负载R1-R4为高阻值电容R，连接偏置电压VG。进一步的，所述第一晶体管M1和第二晶体管M2晶体管均偏置在电路密度为0.28-0.3mA/um附近。进一步的，所述第一电容CC1、第二电容CC2分别与相应差分对(第一差分对M1,2、第二差分对M3,4)中的晶体栅漏电容CGD相同。进一步的，所述在完成常规设计后针对功率放大器性能参数指标采用遗传算法对电路元器件参数进行优化，具体包括：根据遗传算法的随机数发生器初始化未知设计变量，通过CadenceVirtuosoADE的Spectre(RF)仿真验证功率放大器的性能参数对各个元件的进行评估，针对性能参数使用适应度函数来计算每个元件的适应度：F＝wNFhfT+wS11hS11+wS21hS21+wS22hS22+wNFhIDhS11和hS22对应于功率放大器的输入和输出匹配，F表示适应度，并且被计算为模拟性能和理想输入/输出匹配之间的平方差，性能函数hS2l描述放大器的增益，并计算为1/@S21f0，其中f0是工作中心频率。性能函数hfT和hID用于描述截止频率和电路直流电流密度；遗传算法的下一步是通过选择交叉和变异过程生成下一个数据群，选定的交叉概率和变异概率被分别设置为0.5和0.15，重复演化直至达到终止条件，即可以是最大代数时或者适应度函数已经达到最低可能值；当电路设计被提取时，电路中电感的初始参数和晶体管宽度作为变量参数被导入到遗传算法中。根据适应度函数公式，遗传优化器利用算法演化找到具有最佳适应值的元件。本专利技术的优点及有益效果如下：本专利技术1.输出功率大。由于本专利技术采用两级伪差分共源结构设计，相比于单端口功率放大器，输出功率更大。2.功率增益高。由于本专利技术采用交叉耦合电容中和技术,引入电容Cc1，Cc2，在不增加电路工作影响功耗的情况下能够提高差分放大器的功率增益。3.电路稳定性高,隔离度好。由于本专利技术采用交叉耦合电容中和技术,引入电容Cc1，Cc2，能够有效的克服米勒效应带来的不稳定的问题。同时由于本专利技术在匹配网络中加入并联电感L简化输入匹配网络，级间/输出匹配网络为L型结构能够极大地降低由于匹配网络带来的损耗。4.解决毫米波频段寄生参数难以计算的问题。由于本专利技术电路设计采用遗传算法为电路设计进行最后的微调，根据遗传算法的迭代计算调整元器件参数值，以此改善毫米波频段寄生效应对电路的影响。5.电路面积小，易于实现和集成。由于本专利技术采用由顶层金属(met9)设计的小感值(典型电感值为100pH)螺旋电感实现电路匹配网络的设计和负载，相比于采用微带线结构实现匹配的功率放大器，其最终芯片面积能够极大的缩小。附图说明图1是本专利技术提供优选实施例的电路框图图2为本专利技术的采用交叉耦合电容原理图图3为本专利技术的采用交叉耦合电容对稳定性的改善效果图图4为本专利技术的采用交叉耦合电容对增益的改善效果图图5为本专利技术的采用交叉耦合电容对反向隔离度的改善效果图图6为本专利技术的遗传算法迭代流程图图7是采用遗传算法优化后的变量值仿真参数图8为本专利技术的功率放大器小信号结果图9为本专利技术的功率放大器的大信号结果具体实施方式下面将结合本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，包括：输入端匹配网络、第一级伪差分共源放大器、第二级伪差分共源放大器、级间匹配网络、输出匹配网络及电阻负载，所述第一级伪差分共源放大器和第二级伪差分共源放大器之间采用交叉耦合电容，所述输入端匹配网络的输入端连接信号源或功率源(Vs),输入匹配网络的输出端连接第一级伪差分共源放大器的输入端,第一级伪差分共源放大器的输出端连接级间匹配网络的输入端，级间匹配网络的输出端接第二级伪差分共源放大器的输入端，第二级伪差分共源放大器的输出端通过输出匹配网络后连接负载。所述输入端匹配网络用于实现输入匹配，第一级伪差分共源放大器用于提高电路增益，第二级伪差分共源放大器用于实现输出，级间匹配网络用于实现共轭匹配，输出匹配网络用于实现最佳负载阻抗匹配，及高电阻负载用于连接偏置电压。

【技术特征摘要】
1.一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，包括：输入端匹配网络、第一级伪差分共源放大器、第二级伪差分共源放大器、级间匹配网络、输出匹配网络及电阻负载，所述第一级伪差分共源放大器和第二级伪差分共源放大器之间采用交叉耦合电容，所述输入端匹配网络的输入端连接信号源或功率源(Vs),输入匹配网络的输出端连接第一级伪差分共源放大器的输入端,第一级伪差分共源放大器的输出端连接级间匹配网络的输入端，级间匹配网络的输出端接第二级伪差分共源放大器的输入端，第二级伪差分共源放大器的输出端通过输出匹配网络后连接负载。所述输入端匹配网络用于实现输入匹配，第一级伪差分共源放大器用于提高电路增益，第二级伪差分共源放大器用于实现输出，级间匹配网络用于实现共轭匹配，输出匹配网络用于实现最佳负载阻抗匹配，及高电阻负载用于连接偏置电压。2.根据权利要求1所述的基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，所述输入端匹配网络为二端口输入,输入信号是差分信号或单端信号,输出为二端口，差分信号或单端信号，在完成常规设计后针对功率放大器性能参数指标采用遗传算法对电路元器件参数进行优化。3.根据权利要求1所述的基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，所述第一级伪差分共源放大器和第二级伪差分共源放大器的结构一样,每一个伪差分共源放大器分别包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电容CC1、第二电容CC2,所述第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极连接在一起,所述第一电容CC1跨接在第二晶体管M2的栅极和第一晶体管MI的漏极,第二电容CC2跨接在第一晶体管Ml的栅极和第二晶体管M2的漏极,信号从第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极输入,从第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极输出。4.根据权利要求3所述的基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管M1和第二晶体管M2的参数一样,所述第一电容CC1、第二电容CC1的电容值一样，以此跨接构成的电容结构为交叉耦合电容中和结构。5.根据权利要求1所述的基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，其特征在于，所述输...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巍，黄孟佳，杨皓，李双巧，王伊昌，袁军，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆,50