A high-speed reference voltage buffer with cross-coupled filter network belongs to the technical field of analog integrated circuits. The reference voltage generation module includes a reference voltage generation module and a reference voltage output buffer module. The reference voltage generation module includes a level transfer circuit, two feedback loops composed of an error amplifier and a source-follower MOS transistor, and a diode-connected MOS transistor. The reference voltage output buffer module consists of a CRC filter network and two source-followers. The output stage of the MOS transistor and a diode-connected MOS transistor generate the primary positive reference voltage and the primary negative reference voltage after the external reference voltage is passed through the level transfer circuit. After two feedback loops, the CRC filter network is filtered from the output of two error amplifiers to the reference voltage output buffer module. In line processing, the positive reference voltage and negative reference voltage are output through two source follower output stages. The invention saves chip area and improves response speed.
【技术实现步骤摘要】
一种带有交叉耦合滤波网络的高速参考电压缓冲器
本专利技术属于模拟集成电路
,特别涉及一种带有交叉耦合滤波网络和具有快速响应能力的参考电压缓冲器电路。
技术介绍
集成电路工艺的进步使数字电路工作速度不断提高,要求模数转换器ADC具有更高的速度,然而随着ADC速度的提高,对于参考电压缓冲器的响应速度要求也越来越高,特别是对于高速的时间交织ADC来说,不仅要求参考电压缓冲器具有快速的响应速度,而且对于通道间参考电压的相互干扰也提出了更加严格的要求。鉴于以上原因,带有优秀滤波效果的滤波网络的高速参考电压缓冲器电路成为这一领域的研究热点。传统参考电压缓冲器的滤波网络一般会有比较大的面积消耗,同时为了达到快速的响应能力,功耗比较高,因此在设计过程中需要尽量去折中考虑滤波网络的滤波效果和面积以及响应速度和功耗的关系。目前常见的高速参考电压电路及其滤波网络如附图1所示,其中M13、M14、M15、M16、R3和R4一起构成了CRC滤波网络,M11、M12和R5构成其输出级结构,在接入单通道逐次逼近寄存器型模数转换器SARADC负载时,由于产生正参考电压Vreft的输出端会对负载电容进行充电,产生负参考电压Vrefb的输出端会将负载电容多余的电荷放掉,而电荷转移过程中无法进行突变,导致实际的电路无法瞬间进行响应,因此产生正参考电压Vreft的输出端会输出一个向下的过冲信号ΔVreft,产生负参考电压Vrefb的输出端会出现一个向上的过冲信号ΔVrefb,这里的抖动会通过M11和M12管的栅源寄生电容Cgs,造成M11和M12栅端出现一定抖动ΔVgt和ΔVgb,不妨设M ...
【技术保护点】
1.一种带有交叉耦合滤波网络的高速参考电压缓冲器,其特征在于,包括参考电压产生模块(401)和参考电压输出缓冲模块(402),所述参考电压产生模块(401)包括电平转移电路、第一误差放大器、第二误差放大器、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3),所述电平转移电路的输入端连接基准电压(Vbg),用于产生初级正参考电压(Vrefts)和初级负参考电压(Vrefbs);第一误差放大器的正向输入端连接所述初级正参考电压(Vrefts),其负向输入端连接第一NMOS管(M1)的源极和第二NMOS管(M2)的漏极,其输出端连接第一NMOS管(M1)的栅极并输出第一偏置电压(VGTS);第二误差放大器的正向输入端连接所述初级负参考电压(Vrefbs),其负向输入端连接第二NMOS管(M2)的源极、第三NMOS管(M3)的栅极和漏极,其输出端连接第二NMOS管(M2)的栅极并输出第二偏置电压(VGBS);第一NMOS管(M1)的漏极连接电源电压(VDD),第三NMOS管(M3)的源极接地;所述参考电压输出缓冲模块(402)包括第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5 ...
【技术特征摘要】
1.一种带有交叉耦合滤波网络的高速参考电压缓冲器,其特征在于,包括参考电压产生模块(401)和参考电压输出缓冲模块(402),所述参考电压产生模块(401)包括电平转移电路、第一误差放大器、第二误差放大器、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3),所述电平转移电路的输入端连接基准电压(Vbg),用于产生初级正参考电压(Vrefts)和初级负参考电压(Vrefbs);第一误差放大器的正向输入端连接所述初级正参考电压(Vrefts),其负向输入端连接第一NMOS管(M1)的源极和第二NMOS管(M2)的漏极,其输出端连接第一NMOS管(M1)的栅极并输出第一偏置电压(VGTS);第二误差放大器的正向输入端连接所述初级负参考电压(Vrefbs),其负向输入端连接第二NMOS管(M2)的源极、第三NMOS管(M3)的栅极和漏极,其输出端连接第二NMOS管(M2)的栅极并输出第二偏置电压(VGBS);第一NMOS管(M1)的漏极连接电源电压(VDD),第三NMOS管(M3)的源极接地;所述参考电压输出缓冲模块(402)包括第四NMOS管(...
【专利技术属性】
技术研发人员:李靖,陈炳华,罗建,徐成阳,宁宁,吴克军,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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