一种掩膜版及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层，可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少，避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象，从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成，以简化制备工艺。

Mask plate and preparation method thereof

The invention discloses a mask plate and a preparation method thereof, comprising a substrate, at least one first exposure structure and at least one second exposure structure located on the substrate, wherein the first exposure structure comprises a first shading film layer and a filter film layer, the filter film layer at least adjacent to the first one. The second exposure structure includes only second light shielding layers. By setting a filter film layer on the opposite sides at least adjacent to the first light-shielding layer, the exposure on the opposite sides of the first light-shielding film layer can be reduced, and the overexposure phenomenon of the pattern formed by the first exposure structure can be avoided, so that the pattern to be formed with different exposure requirements can be set by having a first exposure structure. A mask plate with the second exposure structure is formed to simplify the preparation process.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜版及其制备方法。
技术介绍
在显示面板的行业中，对阵列基板等进行制作时，通常会用到掩膜版来形成阵列基板上的图形，因此，选择合适的掩膜版会简化阵列基板制作的工艺步骤，以节约制作成本。现有技术中，在对阵列基板进行构图时，需要相同条件能够形成的图形通过一次构图工艺来形成，即通过一道掩膜版，在相同曝光强度下进行构图。但是，在对掩膜版进行构图时，很多待形成图形对曝光量的要求是不同的，这就需要通过两道掩膜版来进行构图才能形成与预设图形相同的阵列基板；假如，对曝光量要求不同的两个待形成图形采用一道掩膜版进行制备的话，就会存在其中一个待形成图形过曝光或者其中一个待形成图形曝光不足的情况。因此，如何采用一道掩膜版对曝光量要求不同的待形成图形进行制备，以简化制备工艺是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种掩膜版及其制备方法，用以解决现有技术中对曝光量要求不同的两个待形成图形不能一道掩膜版进行制备的技术问题。因此，本专利技术实施例提供的一种掩膜版，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述滤光膜层仅设置于紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述第一遮光膜层在所述基板的正投影在所述滤光膜层在所述基板上的正投影内。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述滤光膜层位于所述基板与所述第一遮光膜层之间。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述滤光膜层位于所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述第一曝光结构用于形成金属线，所述第二曝光结构用于形成沟道，所述相对两侧为平行于所述金属线延伸方向的两侧。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版，所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的材料均包括铬钼氧化物。相应地，本专利技术实施例还提供了一种掩膜版的制备方法，包括：在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版的制备方法，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：采用一次构图工艺在所述基板上形成所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的图形；采用一次构图工艺仅在紧邻所述第一遮光膜层的所述相对两侧形成所述滤光膜层的图形。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版的制备方法，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：采用一次构图工艺在所述基板上形成所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的图形；采用一次构图工艺在所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧形成所述滤光膜层的图形。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述掩膜版的制备方法，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：采用一次构图工艺在所述基板上形成所述滤光膜层的图形；采用一次构图工艺在所述滤光膜层背向所述基板的一侧形成所述第一遮光膜层的图形，同时在所述基板上形成所述第二遮光膜层的图形。本专利技术实施例提供的上述掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层，可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少，避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象，从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成，以简化制备工艺。附图说明图1为现有技术提供的掩膜版的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的掩膜版的结构示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的掩膜版的结构示意图之二；图4为本专利技术实施例提供的掩膜版的结构示意图之三；图5a和图5b为本专利技术实施例提供的掩膜版的制备方法的结构示意图之一；图6a和图6b为本专利技术实施例提供的掩膜版的制备方法的结构示意图之二；图7a和图7b为本专利技术实施例提供的掩膜版的制备方法的结构示意图之三。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中的掩膜版，如图1所示，包括位于基板1上的遮光膜层2的图形，其中，第二曝光结构D对应的第二曝光区域B较窄，为了形成窄沟道，需要较大的曝光量，而第一曝光结构C对应的第一曝光区域A较宽，较大的曝光量会使得金属线出现过曝光区域4，使得曝光后的光刻胶6的图形小于预设值，从而使得实际得到的金属线图形3的宽度小于预设的金属线图形的宽度，即预设的金属线图形的宽度为实际得到的金属线图形3的宽度与曝光区域4的宽度之和。除上述情况之外，在对阵列基板进行构图时还会存在对不同深度的过孔进行制备，不同深度的过孔对曝光的要求也是不同的，也会存在不能使用同一掩膜板进行制备的问题。当然，除上述两种情况之外还会存在其他对曝光量需求不同的待形成图形不能通过一道掩膜版进行制备的问题，在此不再一一赘述。针对上述问题，本专利技术实施例提供了一种掩膜版，下面结合附图，结合对金属线和沟道通过一道掩膜版来形成的实施例对本专利技术实施例提供的掩膜版及其制备方法的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各膜层厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种掩膜版，如图2至图4所示，该掩膜版包括：基板1，以及位于基板1上的至少一个第一曝光结构C和至少一个第二曝光结构D；其中，第一曝光结构C包括第一遮光膜层21和滤光膜层5，滤光膜层5至少紧邻第一遮光膜层21的相对两侧；第二曝光结构D仅包括第二遮光膜层22。本专利技术实施例提供的上述掩膜版包括：基板，以及位于基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，滤光膜层至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧；第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层，可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少，避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象，从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成，以简化制备工艺。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述掩膜版中，第一曝光结构和第二曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层仅设置于紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧。3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮光膜层在所述基板的正投影在所述滤光膜层在所述基板上的正投影内。4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层位于所述基板与所述第一遮光膜层之间。5.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层位于所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧。6.如权利要求1-5任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光结构用于形成金属线，所述第二曝光结构用于形成沟道，所述相对两侧为平行于所述金属线延伸方向的两侧。7.如权利要求1-5任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的材料均包括铬钼氧化物。8.一种如权利要求1-7任一项所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：白金超，郭会斌，刘明悬，韩笑，丁向前，宋勇志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11