The invention discloses a pixel structure and a pixel control method, an array substrate and a display device, relating to the display technical field to reduce the influence of the thin film transistor discharges included in the sub-pixels on the display screen quality, thereby ensuring the display screen quality. The pixel structure comprises a discharge electron pixel, a display sub-pixel and a discharge device, a gate of a thin film transistor including a discharge electron pixel and a display sub-pixel, and a control end of a discharge device connected with the same gate wire respectively, an input end of the discharge device connected with the output end of a thin film transistor of the discharge electron pixel, and a discharge device. The output end of the device and the common electrode of the discharge electron pixel constitute the first charge receiver device, and the output end of the discharge device and the common electrode of the display sub-pixel constitute the second charge receiver device. The array substrate includes the pixel structure mentioned above. The pixel structure and the pixel control method, the array substrate and the display device provided by the invention are used in the display technology.
【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及像素控制方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素结构及像素控制方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
液晶显示器是一种平面显示器,其主要包括阵列基板和彩膜基板,阵列基板和彩膜基板之间具有液晶层,通过阵列基板上的薄膜晶体管控制液晶分子层的液晶分子偏转,使得液晶分子层调制背光,从而显示画面。现有技术中阵列基板的每个像素结构包括显示子像素、放电子像素以及放电器件,利用放电器件对放电子像素进行放电,使得放电子像素的像素电压小于显示子像素的像素电压,这样每个像素结构对应的液晶层具有两种取向方向的液晶分子,使得阵列基板应用于液晶显示器时,液晶显示器所显示的画面视角均匀。然而,利用放电器件对放电子像素进行放电时,放电子像素所释放出的电荷通过位于放电子像素的分流电容存储,但这也使得分流电容在存储电荷的情况下,容易使得放电子像素的像素电压产生波动,导致液晶显示器所显示的画面质量受到影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构及像素控制方法、阵列基板和显示装置,以降低薄膜晶体管放电对显示画面质量的影响,从而保证显示画面质量。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种像素结构,包括放电子像素、显示子像素以及放电器件,所述放电子像素包括第一薄膜晶体管、第一公共电极,以及与所述第一薄膜晶体管的输出端连接的第一像素电极,所述显示子像素包括第二薄膜晶体管、第二公共电极以及与所述第二薄膜晶体管的输出端连接的第二像素电极;所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及放电器件的控制端分别与同一根栅线连接,所述放电器件的输入 ...
【技术保护点】
1.一种像素结构,包括放电子像素、显示子像素以及放电器件,所述放电子像素包括第一薄膜晶体管、第一公共电极,以及与所述第一薄膜晶体管的输出端连接的第一像素电极,所述显示子像素包括第二薄膜晶体管、第二公共电极以及与所述第二薄膜晶体管的输出端连接的第二像素电极;所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及放电器件的控制端分别与同一根栅线连接,所述放电器件的输入端与所述第一薄膜晶体管的输出端连接,其特征在于,所述放电器件的输出端与第一公共电极构成第一电荷接收器件,所述放电器件的输出端与第二公共电极构成第二电荷接收器件。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,包括放电子像素、显示子像素以及放电器件,所述放电子像素包括第一薄膜晶体管、第一公共电极,以及与所述第一薄膜晶体管的输出端连接的第一像素电极,所述显示子像素包括第二薄膜晶体管、第二公共电极以及与所述第二薄膜晶体管的输出端连接的第二像素电极;所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极以及放电器件的控制端分别与同一根栅线连接,所述放电器件的输入端与所述第一薄膜晶体管的输出端连接,其特征在于,所述放电器件的输出端与第一公共电极构成第一电荷接收器件,所述放电器件的输出端与第二公共电极构成第二电荷接收器件。2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述放电器件的输出端包括主路电极、第一支路电极和第二支路电极,所述主路电极分别与所述第一支路电极和所述第二支路电极连接,所述主路电极的延伸方向与所述同一根栅线的延伸方向垂直;所述第一支路电极与所述第一公共电极构成第一电荷接收器件,所述第二支路电极与所述第二公共电极构成第二电荷接收器件。3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述放电器件的输出端与第一公共电极形成第一分流电容,所述放电器件的输出端与第二公共电极形成第二分流电容,所述第一分流电容的电容值和所述第二分流电容的电容值之和小于放电子像素中液晶电容的电容值。4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一分流电容的电容值和所述第二分流电容的电容值相等。5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述放电器件的输出端与第一公共电极电连接,所述放电器件的输出端与第二公共电极电连接,所述第一薄膜晶体管在导通状态的电流大于放电器件打开状态的电流。6.根据权利要求1~5任一项所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的输入端和第二薄膜晶体管的输入端分别与同一根数据线连接。7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,所述第一公共电极和所述第二公共电极均包括横向延伸部和竖向延伸部,所述横向延伸部与所述同一根栅线的延伸方向相同,所述竖向延伸部与所述同一根数据线的延伸方向相同,所述放电器件的输出端与第一公共电极所包括的横向延伸部均构成第一电荷接收器件,所述放电器件的输出端与第二公共电极所包括的横向延伸部均构成第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:程鸿飞,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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