一种SiC Mosfet电性能的测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明专利技术的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。

A device for testing the electrical performance of SiC Mosfet

The invention discloses a testing device for electrical performance of SiC Mosfet, which comprises a mechanical pressure device, a temperature control box, a voltage detector, a current detector and a controller comprising a memory, a processor, and a computer program stored on a memory that can be run on a processor. The processor executes the program. The following steps are implemented: step 1, test under mechanical pressure conditions to confirm whether to quit the test; step 2, test under temperature conditions; confirm whether to quit the test; step 3, perform voltage and current tests under mechanical pressure and temperature conditions to confirm whether to quit the test; repeat the above steps The manual control program is finished. The technical effect of the invention is that the voltage and current of the SiC Mosfet device can be measured under the condition of mechanical pressure and temperature, and the relationship between the voltage and current on the SiC Mosfet device and the mechanical pressure and temperature is constructed.

【技术实现步骤摘要】
一种SiCMosfet电性能的测试装置
本专利技术属于元器件的测试
，具体涉及一种SiCMosfet电性能的测试装置。
技术介绍
SiCMosfet是一种基础的电子元器件，测试它的电性能是一项基础工作。现有的SiCMosfet电压、电流测试都是在正常压力和温度下进行测量，还没有检测该器件在机械压力和温度条件下的电压、电流与机械压力、温度的变化关系。
技术实现思路
针对现有SiCMosfet测试技术存在的不足，本专利技术所要解决的技术问题就是提供一种SiCMosfet电性能的测试装置，它能测试SiCMosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiCMosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。本专利技术所要解决的技术问题是通过这样的技术方案实现的，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。上述步骤1中，执行机械压力条件下的测试步骤包括：（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；（2）读取压力传感器的压力、压强值；（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；（4）计算被测SiCMosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。上述步骤2中，执行温度条件下的测试步骤包括：（1）、输出温度参数，控制温控箱内的温度；（2）读取温度传感器的温度值；（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；（4）计算被测SiCMosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。上述步骤3中，执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括：（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；输出温度参数，控制温控箱内的温度；（2）读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值；（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；（4）计算被测SiCMosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。本专利技术的技术效果是：在未退出测试的情况，能够进行多点测试，获得一些列测试数据。既能测试单一的机械压力条件下或温度条件下SiCMosfet器件上的电压和电流，又能测在试机械压力和温度两个条件下SiCMosfet器件上的电压和电流，改变条件参数，获得对应的电压和电流值，构建SiCMosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系曲线图。附图说明本专利技术的附图说明如下：图1为本专利技术的主程序流程图；图2为机械压力条件下测试的子程序流程图；图3为温度条件下测试的子程序流程图；图4为机械压力和温度两个条件下测试的子程序流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明：本专利技术包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器；控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序包括一个主程序和三个子程序。图1所示的主程序流程如下，流程开始于步骤S01，在步骤S01中进行变量初始化，默认为0，然后：在步骤S02，检测是否有指令输入，若是，则执行步骤S03；否则，执行步骤S09；在步骤S03，判断是否在机械压力条件下测试，若是，则执行步骤S04，否则，执行步骤S05；在步骤S04，执行机械压力条件下SiCMosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；在步骤S05，判断是否在温度条件下测试，若是，则执行步骤S06，否则，执行步骤S07；在步骤S06，执行温度条件下SiCMosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；在步骤S07，执行机械压力和温度两个条件下SiCMosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；在步骤S08；确认是否退出测试，若是，则执行步骤S09，否则，执行步骤S02；在步骤S09，手动控制程序结束。子程序1是在机械压力下测试SiCMosfet电压电流的流程，如图2所示，该程序流程如下：在步骤S201，输出压力或压强参数，控制机械压力设备加压；在步骤S202，判断压力传感器是否有更新，若是，则执行步骤S204，否则执行步骤S203；在步骤S203，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，即更新压力传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S204；在步骤S204，读取当前压力传感器输入压力或压强值；在步骤S205，在显示器上显示压力传感器的值；在步骤S206，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S208，否则执行步骤S207；在步骤S207，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S208；在步骤S208，读取检测输入的电压、电流值；在步骤S209，计算被测SiCMosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系；在步骤S210，转回到主程序。子程序2是在温度条件下测试SiCMosfet电压电流的流程，如图3所示，该程序流程如下：在步骤S301，输出温度参数，控制温控箱的温度；在步骤S302，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤S304，否则执行步骤S303；在步骤S303，重新匹配温度传感器的温度，即更新温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S304；在步骤S304，读取当前温度传感器输入的温度值；在步骤S305，在显示器上显示温度传感器的值；在步骤S306，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S308，否则执行步骤S307；在步骤S307，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S308；在步骤S308，读取检测输入的电压、电流值；在步骤S309，计算被测SiCMosfet器件上电压和电流随温度的变化关系；在步骤S310，转回到主程序。子程序3是在机械压力和温度两个条件下测试SiCMosfet电压电流的流程，如图4所示，该程序流程如下：在步骤S401，输出压力或压强和温度参数，控制机械压力设备加压和温控箱的温度；在步骤S402，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤S404，否则执行步骤S403；在步骤S403，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，温度传感器的温度即更新压力传感器和温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S404；在步骤S404，读取当前压力传感器输入压力或压强；温度传感器输入的温度；在步骤S405，在显示器上显示压力传感器的值和温度传感器的值；在步骤S406，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S408，否则执行步骤S407；在步骤S407，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S408；在步骤S4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。

【技术特征摘要】
1.一种SiCMosfet电性能的测试装置，其特征是：包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。2.根据权利要求1所述的SiCMosfet电性能的测试装置，其特征是：所述步骤1中，执行机械压力条件下的测试步骤包括：（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；（...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈显平，李现兵，张朋，叶怀宇，钱靖，张国旗，周强，
申请(专利权)人：重庆大学，全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50