一种新型辅助供电电路制造技术

技术编号:19007564 阅读:33 留言:0更新日期:2018-09-22 07:47
本实用新型专利技术涉及一种新型辅助供电电路,包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路,所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。本实用新型专利技术通过优化LED供电电源电路的内部结构,使得LED供电电源电路中的PFC芯片和PWM芯片在开机时序上能得到先后顺序,并且使得整个供电电源电路一直处于低功耗状态,从而提高了供电电源电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型辅助供电电路
本技术涉及LED驱动电源领域,更具体地说,涉及一种新型辅助供电电路。
技术介绍
随着LED灯的推广,LED照明的普及,以及人们对未来生活品质的更高追求,高性能高可靠性的LED电源越来越多的得到社会的重视,同时市场对产品的要求是,低成本、高品质的产品。从而推动技术的不断革新与发展。恒流型LED驱动电源、恒压型LED驱动电源的产品不断的推出,也要求供电电路的简化、通用性。相关的LED供电电源电路中的PFC芯片的供电输出端与PWM芯片供电的输出端连接同一点,容易导致PFC芯片和PWM芯片开机时序不明确;并且当PWM芯片的次级限流或短路时,其输出端会出现恒功率状态,无法出现打嗝模式。因为当PWM芯片的次级限流、短路时,供电电路中的一个绕组提供给PWM芯片的电压被拉低,而该供电电路中的另一个绕组还可以继续为PWM芯片供电,导致PWM芯片还可以持续工作,从而使得PWM芯片的输出端出现恒功率状态。如PWM芯片的输出端的限流点在10A,就一直在恒定在10A,输出电压降低,但输入功率还是会明显大于空载功率很多。此方式容易导致PWM芯片的次级一直承受10A的大电流。并且次级功率器件无法承受如此大的功耗,导致功率器件应力风险太大。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种新型辅助供电电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种新型辅助供电电路,包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路,所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第一启动电路包括全波整流器件BD1、电阻R1以及电阻R2,所述全波整流器件BD1的第一端接地、第二端与所述外部电源的火线连接、第三端与所述外部电源的零线连接、第四端经所述电阻R1以及电阻R2与所述第一芯片电路连接。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第二启动电路包括电容C1、电容C2、绕组L1、绕组L3、绕组L5、MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、电容CE1以及二极管D4,所述电容C1的正极与所述绕组L1的一端均与所述全波整流器件BD1的第四端连接,所述绕组L1的另一端分别与所述二极管D4的阳极以及所述MOSFET管Q1的漏极连接,所述电容C1的阴极、MOSFET管Q1的源极以及所述电容CE1的负极均接地,所述电容CE1的正极分别与所述二极管D4的阴极以及MOSFET管Q2的漏极连接,所述MOSFET管Q2的源极经所述MOSFET管Q3接地,所述绕组L5的一端经所述绕组L3与所述MOSFET管Q2的源极连接、另一端经所述电容C2接地。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第二启动电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8,所述电阻R3的一端以及电阻R6的一端均与所述二极管D4的阴极连接,所述电阻R3的另一端经所述电阻R4、电阻R5与所述第二芯片电路的输出端连接,所述电阻R6的另一端经所述电阻R7、电阻R8与所述第二芯片电路的输出端连接。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第一芯片电路包括芯片U1、电容C4,所述芯片U1的第九引脚与所述第一启动电路连接,所述芯片U1的VCC引脚分别与所述二极管D1的阴极以及所述电容C4的阳极连接,所述芯片U1的GND引脚与所述电容C4的阴极均接地。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第一绕组电路包括绕组L2、电阻R9、电容C3、二极管D2、二极管D3以及电容CE2,所述绕组L2的一端经所述电阻R9以及所述电容C3与所述二极管D3的阴极连接,所述二极管D2的阳极与所述二极管D3的阴极连接,所述二极管D2的阴极分别与所述第一芯片电路的输出端、二极管D1的阴极以及所述电容CE2的正极连接,所述绕组L2的另一端、二极管D3阳极以及电容CE2的负极均接地。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第二芯片电路包括芯片U2、电阻R13、电阻R14、电阻R15、光耦U5以及电容C5,所述芯片U2的VCC引脚经所述电阻R13与所述二极管D1的阳极连接。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述芯片U2的第四引脚分别与所述电阻R14的一端以及电阻R15的一端连接,所述电阻R14的另一端经所述光耦U5接地,所述电阻R15的另一端与所述芯片U2的GND引脚均接地。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述第二绕组电路包括绕组L4、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、二极管D5、电容CE3、电容CE4、三极管Q4、稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2,所述绕组L4的一端分别与所述电阻R9的一端以及电阻R10的一端连接,所述电阻R9的另一端以及电阻R10的另一端均与所述二极管D5的阳极连接,所述二极管D5的阴极分别与所述电容CE3的正极以及所述电阻R12的一端连接,所述电阻R12的另一端分别与所述三极管Q4的基极以及所述稳压二极管ZD1的阴极连接。在本技术所述的新型辅助供电电路中,所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R12的一端以及电阻R11的一端连接,所述电阻R11的另一端分别与所述电容CE4的正极以及所述三极管Q4的发射极连接,所述三极管Q4的发射极分别与所述第一芯片电路的输出端以及稳压二极管ZD2的阴极连接,所述绕组R4的另一端、电容CE3的负极、稳压二极管ZD1的阳极、电容CE4的负极以及稳压二极管ZD2的阳极均接地。实施本技术的新型辅助供电电路,具有以下有益效果:通过优化LED供电电源电路的内部结构,使得LED供电电源电路中的PFC芯片和PWM芯片在开机时序上能得到先后顺序的同时,并且在输出短路限流异常时,PWM芯片的第二供电电压VCC2降低,且不受第一供电电压VCC1影响。次级功率器件不需持续承受电压及电流应力,使得整个供电电源电路一直处于低功耗状态,从而提高了供电电源电路的稳定性。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明,附图中:图1是本技术一种新型辅助供电电路实施例一的模块结构图;图2是本技术一种新型辅助供电电路实施例一的电路原理图。具体实施方式如图1所示,在本技术的一种新型辅助供电电路实施例一的模块结构图中,包括第一启动电路20、第二启动电路30、与第一启动电路20连接的第一芯片电路40、与第二启动电路30连接的第二芯片电路50、与第一芯片电路40连接并为第一芯片电路40提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与第二芯片电路50连接并为第二芯片电路50提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路,第一启动电路20与第二启动电路30均接入外部电源10,第一芯片电路40的输出端经二极管D1与第二芯片电路50的输出端连接。可以理解的,外部电源10为100-240V的输入交流电源,其接入线路为通用的接入线路,该线路包括火线和零线。结合图2示出的本技术一种新型辅助供电电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型辅助供电电路,其特征在于,包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路,所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种新型辅助供电电路,其特征在于,包括均用于接入外部电源的第一启动电路与第二启动电路、与所述第一启动电路连接的第一芯片电路、与所述第二启动电路连接的第二芯片电路、与所述第一芯片电路连接并为所述第一芯片电路提供第一电压VCC1的第一绕组电路、以及与所述第二芯片电路连接并为所述第二芯片电路提供第二供电电压VCC2的第二绕组电路,所述第一芯片电路的输出端经二极管D1与所述第二芯片电路的输出端连接。2.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路,其特征在于,所述第一启动电路包括全波整流器件BD1、电阻R1以及电阻R2,所述全波整流器件BD1的第一端接地、第二端与所述外部电源的火线连接、第三端与所述外部电源的零线连接、第四端经所述电阻R1以及电阻R2与所述第一芯片电路连接。3.根据权利要求2所述的新型辅助供电电路,其特征在于,所述第二启动电路包括电容C1、电容C2、绕组L1、绕组L3、绕组L5、MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、电容CE1以及二极管D4,所述电容C1的正极与所述绕组L1的一端均与所述全波整流器件BD1的第四端连接,所述绕组L1的另一端分别与所述二极管D4的阳极以及所述MOSFET管Q1的漏极连接,所述电容C1的阴极、MOSFET管Q1的源极以及所述电容CE1的负极均接地,所述电容CE1的正极分别与所述二极管D4的阴极以及MOSFET管Q2的漏极连接,所述MOSFET管Q2的源极经所述MOSFET管Q3接地,所述绕组L5的一端经所述绕组L3与所述MOSFET管Q2的源极连接、另一端经所述电容C2接地。4.根据权利要求3所述的新型辅助供电电路,其特征在于,所述第二启动电路还包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8,所述电阻R3的一端以及电阻R6的一端均与所述二极管D4的阴极连接,所述电阻R3的另一端经所述电阻R4、电阻R5与所述第二芯片电路的输出端连接,所述电阻R6的另一端经所述电阻R7、电阻R8与所述第二芯片电路的输出端连接。5.根据权利要求1所述的新型辅助供电电路,其特征在于,所述第一芯片电路包括芯片U1、电容C4,所述芯片U1的第九引脚与所述第一启动电路连接,所述芯片U1的VCC引脚分别与所述二...

【专利技术属性】
技术研发人员:王宗友邹超洋贺高哲
申请(专利权)人:深圳市崧盛电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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