一种脉冲激活和休眠电路制造技术

一种脉冲激活和休眠电路，包括激活模块、降压模块和自锁模块，其特征在于：所述的激活模块包括光耦U1、电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R4、NMOS管Q2、PMOS管Q1，本实用新型专利技术提出了一种可以通过低压脉冲激活上电，当系统判断需要下电时系统可以独立完成下电动作，保证了产品使用安全可靠，最大程度的节省电池电量，保证电池寿命，实现智能控制。

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲激活和休眠电路
本技术涉及电池供电控制系统的
，具体地说，涉及一种脉冲激活和休眠电路。
技术介绍
现有用电池供电的控制系统中，采用常电输出或者人为的用短接开关连通放电回路的方案。这样一来整个系统不能实现智能开关控制，由于电池电量有限，待机时会损耗电池电量，造成电池过放电甚至损坏电池，而且系统常带电使用时也会有一定危险性。
技术实现思路
为了能够克服现有技术中存在的上述问题,本技术提供了一种可以通过低压脉冲激活上电的脉冲激活和休眠电路。一种脉冲激活和休眠电路，包括激活模块、降压模块和自锁模块，所述的激活模块包括光耦U1、电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R4、NMOS管Q2、PMOS管Q1，所述的光耦U1初级侧正负端与激活脉冲相连，次级侧正端连接电池电压正，次级侧负端串联电阻R1、R3后接地，所述电阻R1、R3的连接点连接二极管D1的阳极，所述二极管的阴极连接NMOS管Q2的门极，所述NMOS管Q2的漏极串联电阻R2后连接PMOS管Q1的门极，NMOS管Q2的源极接地，所述PMOS管Q1的源极和电阻R4的一端同时连接到电池电压输出正极，电阻R4的另一端连接到PMOS管Q1的门极，所述PMOS管Q1的源极连接到所述降压模块的输入端，所述降压模块的输出端连接到自锁模块的供电端，所述自锁模块的GPIO口连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极连接到所述NMOS管Q2的门极。作为优选，所述的降压模块为LDO。作为优选，所述的自锁模块为MCU。作为优选，所述的电阻R1和R3的阻值配比要在电池电压范围内能打开NMOS管Q2。作为优选，所述的电阻R2和R4的阻值配比要在电池电压范围内能打开PMOS管Q1。本技术所述的一种脉冲激活和休眠电路，提出了一种可以通过低压脉冲激活上电的技术方案，当系统判断需要下电时系统可以独立完成下电动作，保证了产品使用安全可靠，最大程度的节省电池电量，保证电池寿命，实现智能控制。附图说明图1为实施例1的电路示意图。具体实施方式为进一步了解本技术的内容，结合附图和实施例对本技术作详细描述。应当理解的是，实施例仅仅是对本技术进行解释而并非限定。实施例1如图1所示，本实施例提供了一种脉冲激活和休眠电路，包括激活模块1、降压模块2和自锁模块3，所述的激活模块1包括光耦U1、电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R4、NMOS管Q2、PMOS管Q1，所述的光耦U1初级侧正负端与激活脉冲相连，次级侧正端连接电池电压正，次级侧负端串联电阻R1、R3后接地，所述电阻R1、R3的连接点连接二极管D1的阳极，所述二极管的阴极连接NMOS管Q2的门极，所述NMOS管Q2的漏极串联电阻R2后连接PMOS管Q1的门极，NMOS管Q2的源极接地，所述PMOS管Q1的源极和电阻R4的一端同时连接到电池电压输出正极，电阻R4的另一端连接到PMOS管Q1的门极，所述PMOS管Q1的源极连接到所述降压模块的输入端，所述降压模块2的输出端连接到自锁模块3的供电端，所述自锁模块3的GPIO口连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极连接到所述NMOS管Q2的门极，所述的降压模块2为LDO，所述的自锁模块3为MCU，所述的电阻R1和R3的阻值配比要在电池电压范围内能打开NMOS管Q2，所述的电阻R2和R4的阻值配比要在电池电压范围内能打开PMOS管Q1。本实施例中，当系统需要激活上电时光耦初级侧收到激活脉冲，次级侧导通，电阻R1和R3分压所得电压经过二极管D1输出给NMOS管Q2门极，使Q2导通。进一步的Q2导通之后，电阻R4和R2分压所得电压使PMOS管导通。进一步的经过LDO输出电压给MCU的电源，MCU带电后通过GPIO口输出高电平经过二极管D2输出给NMOS管门极，形成稳态，此时上电激活脉冲消失也不会造成系统断电，完成上电过程。反之，当系统判断需要下电时，MCU通过GPIO口输出低电平，经过二极管D2输出到NMOS管的门极，Q2管断开，进一步的Q1断开，系统下电完成。本实施例中，所述PMOS管Q1的选型取决于系统工作电流，所述光耦U1的选型取决于激活脉冲的时间和幅值。以上示意性的对本技术及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲激活和休眠电路，包括激活模块、降压模块和自锁模块，其特征在于：所述的激活模块包括光耦U1、电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R4、NMOS管Q2、PMOS管Q1，所述的光耦U1初级侧正负端与激活脉冲相连，次级侧正端连接电池电压正，次级侧负端串联电阻R1、R3后接地，所述电阻R1、R3的连接点连接二极管D1的阳极，所述二极管的阴极连接NMOS管Q2的门极，所述NMOS管Q2的漏极串联电阻R2后连接PMOS管Q1的门极，NMOS管Q2的源极接地，所述PMOS管Q1的源极和电阻R4的一端同时连接到电池电压输出正极，电阻R4的另一端连接到PMOS管Q1的门极，所述PMOS管Q1的源极连接到所述降压模块的输入端，所述降压模块的输出端连接到自锁模块的供电端，所述自锁模块的GPIO口连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极连接到所述NMOS管Q2的门极。

【技术特征摘要】
1.一种脉冲激活和休眠电路，包括激活模块、降压模块和自锁模块，其特征在于：所述的激活模块包括光耦U1、电阻R1、电阻R3、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R4、NMOS管Q2、PMOS管Q1，所述的光耦U1初级侧正负端与激活脉冲相连，次级侧正端连接电池电压正，次级侧负端串联电阻R1、R3后接地，所述电阻R1、R3的连接点连接二极管D1的阳极，所述二极管的阴极连接NMOS管Q2的门极，所述NMOS管Q2的漏极串联电阻R2后连接PMOS管Q1的门极，NMOS管Q2的源极接地，所述PMOS管Q1的源极和电阻R4的一端同时连接到电池电压输出正极，电阻R4的另一端连接到PMOS管Q1的门极，所述PMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘宁，王武帮，刘刚，牛尚冰，
申请(专利权)人：浙江卡尔特汽车科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33