倒装LED芯片制造技术

技术编号:19005636 阅读:18 留言:0更新日期:2018-09-22 07:04
一种倒装LED芯片,包括:衬底;位于所述衬底上的半导体层,所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域;设置在所述第一区域的第一反射层;和设置在所述第一反射层上的金属防护层;还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层,所述绝缘反射复合层包括:靠近所述半导体层的第一绝缘层,所述第一绝缘层为透明绝缘层;远离所述半导体层的第二绝缘层;以及夹于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的第二反射层。

【技术实现步骤摘要】
倒装LED芯片
本技术涉及半导体光电芯片领域,尤其涉及一种倒装LED芯片的结构。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)是一种能将电转化为光的半导体电子元件,其中LED倒装芯片使光经过电极面反射后从蓝宝石的衬底面发出。当前LED倒装芯片常常使用的导电反射物质为金属Ag,Ag的面积大小决定了LED倒装芯片的出光效率。但是Ag的特性比较活泼,在导电的同时容易在LED结构内四处迁移扩散导致漏电,所以对Ag迁移的防护能力也影响着倒装芯片的可靠性能。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种LED芯片,提高LED倒装芯片的出光效率的同时还防止LED倒装芯片漏电。一种倒装LED芯片,包括:衬底;位于所述衬底上的半导体层,所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域;设置在所述第一区域的第一反射层;和设置在所述第一反射层上的金属防护层;其特征在于:还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层,所述绝缘反射复合层包括:靠近所述半导体层的第一绝缘层,所述第一绝缘层为透明绝缘层;远离所述半导体层的第二绝缘层;以及夹于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的第二反射层。在其中一个实施例中,所述半导体层两侧形成有漏出下方所述衬底的切割道,所述切割道用于在所述衬底上分割出彼此相互绝缘独立的多个LED芯片。在其中一个实施例中,所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层为P型和N型中的一种,所述第二半导体层为P型和N型中的另一种。在其中一个实施例中,还包括第三绝缘层、第一导电层和第二导电层;在其中一个实施例中,所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层远离所述半导体层的表面,所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间的夹有相互绝缘的第一导电层和第二导电层。在其中一个实施例中,所述半导体层上形成有第一半导体层接触孔,所述第一半导体层接触孔依次贯通所述金属防护层、所述第一反射层和所述第二半导体层,所述第一半导体层接触孔的底部暴露出部分所述第一半导体层,所述第一导电层覆盖在所述第一半导体层接触孔内,使得所述第一导电层与所述第一半导体层相接触;所述绝缘反射复合层上贯穿有第二半导体层接触孔,所述第二导电层覆盖在所述第二半导体层接触孔内,使得所述第二导电层与所述金属防护层相接触。在其中一个实施例中,所述绝缘反射复合层覆盖在所述半导体层与所述切割道相邻的侧壁外表面。在其中一个实施例中,所述绝缘反射复合层覆盖在与所述切割道相邻的所述第二半导体层的部分上表面。在其中一个实施例中,所述绝缘反射复合层覆盖在所述第一半导体层接触孔的孔壁。在其中一个实施例中,所述绝缘反射复合层覆盖在与所述第一半导体层接触孔相邻的所述第二半导体层的部分上表面。在其中一个实施例中,所述第三绝缘层的表面上覆盖有第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极通过所述第三绝缘层上的开孔分别与所述第一导电层和所述第二导电层相接触。所述第二反射层通过所述第一、第二绝缘层与外界隔离,有效的阻止了金属离子的迁移,防止了LED芯片的漏电,提高了LED芯片的稳定性,且无需扩大第一反射层的面积,也能够取得较好的出光效率。附图说明图1为本技术实施例倒装LED芯片的剖面结构示意图。其中,1-衬底;2-第一半导体层;3-第二半导体层;4-第一反射层;5-金属防护层;6-第一绝缘层;7-第二反射层;8-第二绝缘层;9-第一导电层;10-第二导电层;11-第三绝缘层;12-第一电极;13-第二电极;14-第一半导体层接触孔;15-切割道;16-第二半导体层接触孔。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下通过实施例,并结合附图,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。实施例附图中各种不同对象按便于列举说明的比例绘制,而非按实际组件的比例绘制。请参阅图1,本技术实施例提供LED倒装芯片结构,包括衬底1,半导体层、第一反射层4、金属防护层5以及绝缘反射复合层。所述衬底1的材料可以为蓝宝石或者其他透光材料。所述半导体层包括依次形成于所述衬底1上表面的第一半导体层2和第二半导体层3。所述第一半导体层为P型和N型中的一种,所述第二半导体层为P型和N型中的另一种。所述半导体层可以为氮化镓层或其他半导体材料,在一实施例中,所述第一半导体层2为N型氮化镓层,所述第二半导体层3为P型氮化镓层。LED芯片的核心发光原理就是依靠所述半导体层,N型半导体层与P型半导体层的接触区域形成PN结。当正向导电的电压加入PN结时,负电荷从N区向P区移动,正电荷从P区向N区移动,当正负电荷复合时,多余的能量以光的形式释放出来。由此,实现电能向光能的转换。所述半导体层两侧形成有漏出下方所述衬底1的切割道15,所述切割道15使得所述衬底1上分割出彼此相互绝缘独立的多个LED芯片。在一实施例中,设有纵横交错的所述切割道15的衬底1上形成有多个矩形结构的LED芯片。所述第一反射层4覆盖在第二半导体层3上,所述金属防护层5包裹在所述第一反射层4外表面。优选地,所述第一反射层4采用高反射率的金属材料,更优选地,所述第一反射层4所用材料优选为银层。所述第一反射层4将所述半导体层发出的光反射到所述衬底1上,并从所述衬底1的另一表面出射。所述金属防护层5设置在所述第一反射层4上表面,例如可通过蒸镀及激光刻工艺在所述第一反射层4上表面制作所述金属防护层5。所述金属防护层5采用能够有效阻止所述第一反射层4的金属迁移的材料制成,材料不做特别限定,包括钛金属层、钨金属层、钨化钛合金、铬、铂、金、镍中的至少一种。在一实施例中为钨化钛合金。所述半导体层上形成有第一半导体层接触孔14,所述第一半导体层接触孔14依次贯通所述金属防护层5、所述第一反射层4和所述第二半导体层3,所述第一半导体层接触孔14的孔底将所述第一半导体层2暴露出来。所述半导体层的表面包括所述第二半导体层3的上表面及侧壁、所述第一半导体层2上表面无所述第二半导体层3覆盖的区域、所述半导体层与所述切割道15相邻的侧壁以及所述第一半导体层接触孔14的孔壁。将所述半导体层的表面分为所述第一区域和所述第二区域,并且两区域彼此不重叠。所述第一区域为第一反射层4覆盖的区域,即所述第二半导体层3的部分上表面。所述绝缘反射复合层包括:第一绝缘层6、第二绝缘层8以及夹于所述第一绝缘层6与所述第二绝缘层8之间的第二反射层7。所述第一绝缘层6覆盖在所述半导体层上表面的第二区域,所述第二反射层7覆盖在第一绝缘层6的上表面,所述第二绝缘层8覆盖在所述第二反射层7的外表面。所述绝缘反射复合层可覆盖在所述半导体层与所述切割道15相邻的侧壁。所述绝缘复合层还可覆盖在所述半导体层与所述切割道15相邻的所述第二半导体层3的部分上表面。所述绝缘复合层还可覆盖在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片,包括:衬底(1);位于所述衬底(1)上的半导体层,所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域;设置在所述第一区域的第一反射层(4);和设置在所述第一反射层(4)上的金属防护层(5);其特征在于:还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层,所述绝缘反射复合层包括:靠近所述半导体层的第一绝缘层(6),所述第一绝缘层(6)为透明绝缘层;远离所述半导体层的第二绝缘层(8);以及夹于所述第一绝缘层(6)与所述第二绝缘层(8)之间的第二反射层(7)。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片,包括:衬底(1);位于所述衬底(1)上的半导体层,所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域;设置在所述第一区域的第一反射层(4);和设置在所述第一反射层(4)上的金属防护层(5);其特征在于:还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层,所述绝缘反射复合层包括:靠近所述半导体层的第一绝缘层(6),所述第一绝缘层(6)为透明绝缘层;远离所述半导体层的第二绝缘层(8);以及夹于所述第一绝缘层(6)与所述第二绝缘层(8)之间的第二反射层(7)。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层两侧形成有漏出下方所述衬底(1)的切割道(15),所述切割道(15)用于在所述衬底(1)上分割出彼此相互绝缘独立的多个LED芯片。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层包括第一半导体层(2)和第二半导体层(3),所述第一半导体层(2)为P型和N型中的一种,所述第二半导体层(3)为P型和N型中的另一种。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片,其特征在于:还包括第三绝缘层(11)、第一导电层(9)和第二导电层(10);所述第三绝缘层(11)设置在所述第二绝缘层(8)远离所述半导体层的表面,所述第二绝缘层(8)与所述第三绝缘层(11)之间夹有相互绝缘的第一导电层(9)和第二导电层(10)。5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层上形成有第一半导体层接触孔(14),所述第一半导体层接触孔(14)依次贯通所述金属防护层(5)、所述第一反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘岩孙雪敬闫宝玉刘宇轩陈顺利丁逸圣
申请(专利权)人:大连德豪光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:辽宁,21

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