阵列基板、电子设备制造技术

本公开是关于一种阵列基板、电子设备。所述阵列基板包括基底和设置在所述基底上的TFT层；所述TFT层包括多列像素子单元、多条数据线和数据驱动芯片；所述多条数据线电连接数据驱动芯片；所述多条数据线中的每条数据线与对应列像素子单元之间通过连接线电连接；所述连接线用于调整所述数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降。可见，本公开实施例通过调整电压降实现同一电压到达同一列像素子单元后电压仍然相同的效果，从而解决或者缓解数据线和连接线的电阻引起的像素子单元显示不均匀的问题，使画面显示均匀，提高用户的使用体验。另外，本公开实施例中连接线可以采用TFT层的制作工艺实现，不会增加工艺成本和工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、电子设备
本公开涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、电子设备。
技术介绍
随着智能手机或者智能电脑的普及，用户对其显示屏的要求也越来越高，例如，高分辨率(PixelsPerInch，PPI)、高对比度等，从而能够观赏到更真实更细腻的画面。为此，显示屏中采用硅基显示技术，例如有机发光二极体(OrganicLightEmittingDiode，OLED)，有希望实现使用户观赏到更真实更细腻的画面的需求。显示屏采用OLED阵列基板时，由于线平均算法(Edge-basedLineAverage，ELA)、像素补偿能力不足或者蒸镀不均匀等问题会存在亮度不均匀的问题，相关技术中采用例如Demura补偿算法等方法解决或改善上述问题。然而，上述方法却无法解决OLED阵列基板上走线的电阻带来的电阻压降(即IRdrop)而造成的显示画面不均匀的问题，从而降低用户的使用体验。
技术实现思路
本公开提供一种阵列基板、电子设备，以解决相关技术中的不足。根据本公开实施例的第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基底和设置在所述基底上的TFT层和数据驱动芯片；所述TFT层包括多列像素子单元、多条数据线；所述多条数据线电连接数据驱动芯片；所述多条数据线中的每条数据线与对应列像素子单元之间通过连接线电连接；所述连接线用于调整所述数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降。可选地，所述每条数据线与对应列像素子单元之间的电压降通过所述连接线的电阻值调整。可选地，针对连接同一条数据线的每一列像素子单元，每个像素子单元与所述数据驱动芯片之间连接线和数据线段的电阻值为恒定值，或者与恒定值的差值不超过差值阈值；所述数据线段为对应数据线与连接线的连接点和与所述数据驱动芯片的连接点之间的部分。可选地，以所述数据驱动芯片为基准，连接所述每条数据线的连接线的长度按照第一预设方式减小。可选地，连接所述每条数据线的连接线的长度按照第一预设方式减小包括：相邻两条连接线的长度依次减小；或者，相邻两组连接线的长度依次减小，每组连接线包含第一预设数量条长度相同的连接线。可选地，以所述数据驱动芯片为基准，连接所述每条数据线的连接线的宽度按照第二预设方式增加。可选地，连接所述每条数据线的连接线的宽度按照第二预设方式增加包括：相邻两条连接线的宽度依次增加；或者，相邻两组连接线的宽度依次增加，每组连接线包含第二预设数量条宽度相同的连接线。可选地，所述连接线采用S型设置。可选地，以所述数据驱动芯片为基准，连接所述每条数据线的连接线的掺入施主杂质或受主杂质的浓度按照第三预设方式增大。可选地，连接所述每条数据线的连接线的掺入施主杂质或受主杂质的浓度按照第三预设方式增大包括：相邻两条连接线的掺入施主杂质或受主杂质的浓度依次增大；或者，相邻两组连接线的宽度依次增大，每组连接线包含第三预设数量条掺入施主杂质或受主杂质的浓度相同的连接线。可选地，所述每条数据线与对应列像素子单元之间的连接线经由过孔与所述数据线和所述像素单元电连接。根据本公开实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括第一方面所述的阵列基板。本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：由上述实施例可知，本公开实施例通过调整数据线和像素子单元之间连接线来调整数据驱动芯片和对应列像素子单元之间的电压降。可见，本公开实施例通过调整电压降实现同一电压到达同一列各像素子单元后电压仍然相同的效果，从而解决或者缓解数据线和连接线的电阻引起的像素子单元显示不均匀的问题，使画面显示均匀，提高用户的使用体验。另外，本公开实施例中连接线可以采用TFT层的制作工艺实现，不会增加工艺成本和工艺难度。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。图1是根据一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；图2是根据另一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；图3是根据一示例性实施例示出的连接线设置方式示意图；图4是根据又一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；图5是根据再一示例性实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；图6是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置例子。智能手机或者智能电脑等电子设备的显示屏的尺寸越来越大，数据驱动芯片通过数据线向像素子单元写入像素电压时，由于各像素子单元与数据驱动芯片之间数据线和连接线存在电阻，该电阻会引起电压降，导致同一像素数据到达各像素子单元后变为不同的像素电压，这样各像素子单元所显示的亮度不同，造成显示屏的画面不均匀。为解决该技术问题，本公开实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括基底、设置在基底上的TFT层和数据驱动芯片。其中TFT层包括多列像素子单元、多条数据线。该多条数据线电连接数据驱动芯片，另外多条数据线中每条数据线通过连接线与对应列的各像素子单元电连接。这样数据驱动芯片可以通过数据线、连接线将像素电压写入到各像素子单元中。需要说明的是，本公开实施例中连接线用于调整数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降。在一实施例中，每条数据线与对应列像素子单元之间的电压降可以通过数据驱动芯片根据像素子单元所在行进行适当调整，即随着像素子单元与数据驱动芯片之间距离的增大，根据像素电压和电压降低的关系适当增加像素电压，从而保证到达同一列像素子单元的电压相同或者相近。在一实施例中，通过调整连接线的电阻值来调整每条数据线与对应列像素子单元之间的电压降，例如，针对连接同一条数据线的每一列像素子单元，每个像素子单元与数据驱动芯片之间连接线和数据线段的电阻值为恒定值，或者与恒定值的差值不超过差值阈值。其中，数据线段为对应数据线与连接线的连接点和与所述数据驱动芯片的连接点之间的部分。上述恒定值可以为距离数据驱动芯片最近的连接线和对应的数据线段两者的电阻值之和。也就是说，后续连接线的电阻值调整时需要考虑数据线段的电阻值变化，达到两者的电阻值变化量相同的目的。上述差值阈值可以为距离数据驱动芯片最近的连接线和对应的数据线段的电阻值与恒定值两者差值的绝对值的最大值，并且该差值阈值对应的电压降所带来的亮度用户肉眼无法分辨出，这样允许制作工艺所制作连接线的电阻值而带来的误差，不会提高制作工艺的复杂度。也就是说，后续连接线的电阻值调整过程中即便存在一定的误差也可以达到显示画面的亮度相同或者相近的效果。可见，本公开实施例通过调整连接线的电阻值，达到调整数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降的目的，即通过调整电压降实现同一像素电压到达同一列各像素子单元后该像素电压仍然相同的效果，从而解决或者缓解数据线和连接线的电阻引起的像素子单元显示不均匀的问题，使画面显示均匀，提高用户的使用体验。另外，本公开实施例中连接线可以采用TFT层的制作工艺实现，不会增加工艺成本和工艺难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基底和设置在所述基底上的TFT层和数据驱动芯片；所述TFT层包括多列像素子单元、多条数据线；所述多条数据线电连接数据驱动芯片；所述多条数据线中的每条数据线与对应列像素子单元之间通过连接线电连接；所述连接线用于调整所述数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基底和设置在所述基底上的TFT层和数据驱动芯片；所述TFT层包括多列像素子单元、多条数据线；所述多条数据线电连接数据驱动芯片；所述多条数据线中的每条数据线与对应列像素子单元之间通过连接线电连接；所述连接线用于调整所述数据驱动芯片与对应列像素子单元之间的电压降。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述每条数据线与对应列像素子单元之间的电压降通过所述连接线的电阻值调整。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，针对连接同一条数据线的每一列像素子单元，每个像素子单元与所述数据驱动芯片之间连接线和数据线段的电阻值为恒定值，或者与恒定值的差值不超过差值阈值；所述数据线段为对应数据线与连接线的连接点和与所述数据驱动芯片的连接点之间的部分。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，以所述数据驱动芯片为基准，连接所述每条数据线的连接线的长度按照第一预设方式减小。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，连接所述每条数据线的连接线的长度按照第一预设方式减小包括：相邻两条连接线的长度依次减小；或者，相邻两组连接线的长度依次减小，每组连接线包含第一预设数量条长度相同的连接线。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11