电路板组件和烹饪装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种电路板组件和烹饪装置，其中，电路板组件包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向背离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。本实用新型专利技术技术方案提高电路板组件的应用可靠性。

Circuit board assembly and cooking device

The utility model discloses a circuit board assembly and a cooking device, wherein the circuit board assembly comprises a main board and an IGBT module arranged on a surface of the main board. The IGBT module comprises a main body part and a pin part, which electrically connects the main body part and the main board, and the pin part comprises a gate lead and an emitter lead to the main board. The gate pin, the emitter pin and the collector pin extend from one side of the main body part to the direction deviating from the main body part. The gate pin, the emitter pin and the collector pin are spaced, and the extension length of the collector pin is longer than the gate pin and the emitter lead. The extension length of the foot. The technical proposal of the utility model improves the application reliability of the circuit board assembly.

【技术实现步骤摘要】
电路板组件和烹饪装置
本技术涉及电路板
，特别涉及一种电路板组件和应用该电路板组件的烹饪装置。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”。现有的IGBT模块与主控板电性连接安装时，为了加工和安装的标准化，一般从该IGBT模块的同一侧引出门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，三个引脚引出的长度相等。然而，如此会存在以下问题：因为集电极引脚的端子电压会达到1000V左右，三个引脚引出的长度相等，会使集电极引脚与门极引脚、发射极引脚之间的电气间隙和爬电距离变小，在潮湿或其他极端情况下，集电极引脚与门极引脚、发射极引脚之间会产生打火现象，导致电路板组件的可靠性降低。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种电路板组件，旨在提高电路板组件的应用可靠性。为实现上述目的，本技术提出的电路板组件，包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。可选地，定义所述门极引脚的延伸长度值为L1，所述集电极引脚的延伸长度值为L3，6mm≤L3-L1≤10mm。可选地，定义所述发射极引脚的延伸长度值为L2，6mm≤L3-L2≤10mm。可选地，所述门极引脚的延伸长度值为L1与所述发射极引脚的延伸长度值为L2相等。可选地，所述集电极引脚位于所述门极引脚和发射极引脚之间，定义所述门极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值为W1，3.2mm≤W1≤3.5mm。可选地，定义所述发射极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值为W2，3.2mm≤W2≤3.5mm。可选地，所述门极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值W1和所述发射极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值W2相等。可选地，所述引脚部贴合于所述主板的一表面。本技术还提出一种烹饪装置，包括电路板组件，该电路板组件包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。可选地，所述烹饪装置包括电饭煲、料理机以及电磁炉。本技术技术方案在设置IGBT模块时，将门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚设置在主体部的一侧，可以方便该IGBT模块的标准化加工，同时方便与主板电性连接。将集电极引脚的延伸长度设置为大于门极引脚和发射极引脚的延伸长度，可使得集电极引脚的高压放电端子远离门极引脚和发射极引脚，进而提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，提升电路板组件的使用可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本技术电路板组件一实施例的结构示意图；图2为本技术电路板组件的IGBT模块一实施例的结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称100电路板组件131门极引脚10IGBT模块133发射极引脚11主体部135集电极引脚13引脚部30主板本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。本技术提出一种电路板组件100。参照图1和图2，在本技术实施例中，该电路板组件100包括主板30和设于该主板30一表面的IGBT模块10，IGBT模块10包括主体部11和引脚部13，引脚部13电性连接主体部11和主板30，引脚部13包括均与所述主板30电性连接的门极引脚131(代表符号为G，Gate)、发射极引脚133(代表符号为E，Emitter)以及集电极引脚135(代表符号为C，Collector)，门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135自主体部11的一侧向远离主体部11的方向延伸，门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135间隔排布，且集电极引脚135的延伸长度大于所述门极引脚131和发射极引脚133的延伸长度。本技术技术方案在设置IGBT模块10时，将门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135设置在主体部11的一侧，可以方便该IGBT模块10的标准化加工，同时方便与主板30电性连接。同时，将集电极引脚135的延伸长度大于门极引脚131和发射极引脚133的延伸长度，可使得集电极引脚135的高压放电端子远离门极引脚131和发射极引脚133，进而提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，提升电路板组件100的使用可靠性。可以理解的是，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路板组件，其特征在于，包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。

【技术特征摘要】
1.一种电路板组件，其特征在于，包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。2.如权利要求1所述的电路板组件，其特征在于，定义所述门极引脚的延伸长度值为L1，所述集电极引脚的延伸长度值为L3，6mm≤L3-L1≤10mm。3.如权利要求2所述的电路板组件，其特征在于，定义所述发射极引脚的延伸长度值为L2，6mm≤L3-L2≤10mm。4.如权利要求3所述的电路板组件，其特征在于，所述门极引脚的延伸长...

【专利技术属性】
技术研发人员：周升，汪钊，麻百忠，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44