The utility model relates to an array substrate, a display device and a manufacturing method for an array substrate. The array substrate includes: a pixel definition layer on the dielectric layer, which defines a plurality of pixel areas of the array substrate; a light-emitting device arranged on the dielectric layer in the plurality of pixel areas, which comprises a first electrode, a light-emitting layer, and a second arranged sequentially from the bottom to the top. An electrode, wherein at least one pixel region in the plurality of pixel regions has a non-luminous region adjacent to the pixel definition layer, the medium layer at the non-luminous region has a groove, and the array substrate also includes a light-shielding portion located in the non-luminous region and extending into the groove.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示装置
本技术涉及显示
更具体地,涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的急速进步,作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
技术实现思路
本技术的实施例提供了一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。本技术的一个目的在于提供一种阵列基板。本技术的第一方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括:衬底,所述衬底具有多个像素区;设置在所述多个像素区中发光器件,其中,所述多个像素区中的至少一个像素区具有位于其周边部分的凹槽和位于所述凹槽中的遮光部,所述凹槽的底表面的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度低于所述发光器件的发光层的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度。在一个实施例中,所述发光器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、发光层和第二电极,其中,所述第二电极具有延伸到所述凹槽中的延伸部分,所述第二电极的延伸部分作为所述遮光部。在一个实施例中,所述发光层和所述第二电极共同延伸,且覆盖所述凹槽。在一个实施例中,所述凹槽的底表面与所述第一电极的底表面沿垂直于所述衬底的表面的方向上的距离D具有以下范围:其中,B为所述发光层的厚度,A为所述多个像素区之间沿平行于所述衬底的表面的方向上的间距。在一个实施例中,所述凹槽位于所述衬底中。在一个实施例中,所述阵列基板还包括位于所述发光器件和所述衬底之间的介质层,所述凹槽位于所述介质层中。在一个实施例中,所述阵 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括:衬底,所述衬底具有多个像素区;设置在所述多个像素区中发光器件,其中,所述多个像素区中的至少一个像素区具有位于其周边部分的凹槽和位于所述凹槽中的遮光部,所述凹槽的底表面的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度低于所述发光器件的发光层的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括:衬底,所述衬底具有多个像素区;设置在所述多个像素区中发光器件,其中,所述多个像素区中的至少一个像素区具有位于其周边部分的凹槽和位于所述凹槽中的遮光部,所述凹槽的底表面的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度低于所述发光器件的发光层的沿垂直于所述衬底的表面的方向上的高度。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述发光器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、发光层和第二电极,其中,所述第二电极具有延伸到所述凹槽中的延伸部分,所述第二电极的延伸部分作为所述遮光部。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述发光层和所述第二电极共同延伸,且覆盖所述凹槽。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述凹槽的底表面与所述第一电极的底表面沿垂直于所述衬底的表面的方向上的距离D具有以下范围:其中,B为所述发光层的厚度,A为所述多个像素区之间沿平行于所述衬底的...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡友元,王欣竹,吴新风,栾梦雨,李菲,李慧慧,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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