量子点发光二极管、液晶显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管、液晶显示设备，属于液晶显示领域。该量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。通过使具有空穴传输性的第一量子点层和电子传输性的第二量子点层层叠设置，两者在均可作为量子点发光层的前提下，还可分别用来传输空穴和电子，从而使激子在第一量子点层和/或第二量子点层或在第一量子点层和第二量子点层界面附近复合，即，确保了激子复合区域在量子点发光层内，利于提高量子点发光二极管的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管、液晶显示设备
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及量子点发光二极管、液晶显示设备。
技术介绍
量子点发光二极管基于其高色域被用于液晶显示设备，其包括：依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层。在电场作用下，空穴和电子分别从在各自对应的传输层内进行载流子的迁移，并在量子点发光层内复合成激子进行发光。相关技术中，空穴注入层和空穴传输层多采用具有空穴传输性能的有机材料，例如三芳胺类有机物，而电子传输层多采用电子迁移率较高的金属氧化物半导体材料，例如ZnO纳米粒子。然而，上述的空穴传输材料的空穴迁移率相对于电子传输材料的电子迁移率较低，容易使激子在空穴传输层内复合，而并非在期望的量子点发光层内复合，影响其发光性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管、液晶显示设备，可解决上述技术问题。具体技术方案如下：一方面，提供了一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；所述第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；所述第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。在一种可能的实现方式中，所述第一量子点的表面配位有空穴传输性配体；所述空穴传输性配体包括：配位基烷基链、与所述配位基烷基链的烷基结合的空穴传输性基团；所述配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基、或者磷氧基。在一种可能的实现方式中，所述空穴传输性基团选自三苯胺、咔唑、噻吩中的至少一种。在一种可能的实现方式中，所述第一量子点通过下述方法制备得到：将所述空穴传输性基团结合在配位基烷基链上，形成所述空穴传输性配体；将所述空穴传输性配体与表面配位有油酸、三辛基膦或油胺配体的量子点进行化学置换，得到表面配位有空穴传输性配体的所述第一量子点。在一种可能的实现方式中，所述第二量子点的表面配位有电子传输性配体；所述电子传输性配体包括：配位基烷基链、与所述配位基烷基链的烷基结合的电子传输性基团；所述配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基或者磷氧基。在一种可能的实现方式中，所述电子传输性基团选自吡啶、二嗪、氰基、含硼芳香基中的至少一种。在一种可能的实现方式中，所述第二量子点通过下述方法制备得到：将所述电子传输性基团结合在配位基烷基链上，形成所述电子传输性配体；将所述电子传输性配体与表面配位有油酸、三辛基膦或油胺配体的量子点进行化学置换，得到表面配位有电子传输性配体的所述第二量子点。在一种可能的实现方式中，所述第一量子点为油溶性，且，所述第二量子点为水溶性；或者，所述第一量子点为水溶性，且，所述第二量子点为油溶性。在一种可能的实现方式中，所述第一量子点或者所述第二量子点择一地为交联结构。在一种可能的实现方式中，所述量子点发光二极管还包括：依次形成在所述第一量子点层一侧的空穴传输层和空穴注入层；以及，形成在所述第二量子点层一侧的电子传输层。在一种可能的实现方式中，所述量子点发光二极管还包括：形成在所述第一量子点层一侧的空穴注入层。在一种可能的实现方式中，所述量子点发光二极管还包括：形成在所述空穴注入层与所述第一量子点层之间的空穴传输层；或者，形成在所述第二量子点层一侧的电子传输层。另一方面，提供了一种液晶显示设备，所述液晶显示设备包括上述的任一种量子点发光二极管本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的量子点发光二极管，通过使用具有空穴传输性的第一量子点层和电子传输性的第二量子点层层叠设置，两者在均可作为量子点发光层的前提下，还分别用来传输空穴和电子，从而使激子在第一量子点层和/或第二量子点层复合(例如，在第一量子点层和第二量子点层界面及其附近)，即，确保了激子复合区域在量子点发光层内，利于提高量子点发光二极管的发光效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的第一类结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的第二类结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的第三类结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的第四类结构示意图。具体实施方式除非另有定义，本专利技术实施例所用的所有技术术语均具有与本领域技术人员通常理解的相同的含义。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。目前，对于常见的量子点发光二极管来说，其包括：依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层。由于空穴注入层和空穴传输层多采用具有空穴传输性能的有机材料，例如三芳胺类有机物，而电子传输层多采用电子迁移率较高的金属氧化物半导体材料，例如ZnO纳米粒子。上述空穴传输材料的空穴迁移率相对于电子传输材料的电子迁移率较低，容易使激子复合区域形成在空穴传输层内，而并非在期望的量子点发光层内。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管，通过使具有空穴传输性的第一量子点层和电子传输性的第二量子点层层叠设置，两者在均可作为量子点发光层的前提下，还可分别用来传输空穴和电子，从而使激子在第一量子点层和/或第二量子点层复合(例如在第一量子点层和第二量子点层之间的界面及其附近)，即，确保了激子复合区域在量子点发光层内，利于提高量子点发光二极管的发光效果。上述提及，第一量子点具有空穴传输性，第二量子点具有电子传输性，以下分别就两者的结构进行概述：对于第一量子点来说，其表面配位有空穴传输性配体。且，空穴传输性配体包括：配位基烷基链、与配位基烷基链的烷基结合的空穴传输性基团。其中，配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基或者磷氧基。通过采用具有空穴传输性的基团来赋予第一量子点空穴传输性，使得空穴在所形成的第一量子点层内可以迁移。其中，空穴传输性基团与配位基烷基链的烷基可进行有效结合，而配位基能够与量子点配位，实现空穴传输性基团与量子点的有效结合。本专利技术实施例中，巯基烷基中所涉及的烷基可以为含有2个碳-20个碳的烷基，例如乙基、丙基、丁基等。配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基或者磷氧基，举例来说，该配位基烷基链可以为巯基烷基链、多巯基烷基链、氨基烷基链、多氨基烷基链、磷氧基烷基链等。可以理解的是，本领域常见的具有空穴传输性能的基团均适用于本专利技术，示例地，该空穴传输性基团选自三苯胺、咔唑、噻吩中的至少一种。举例来说，当配位基烷基链为巯基烷基链，且该空穴传输性基团为三苯胺时，此时，所形成的空穴传输性配体的化学结构式(1-1)如下所示：该空穴传输性基团可以是咔唑，此时，所形成的空穴传输性配体的化学结构式如(1-2)所示：在此基础上，还可以在巯基烷基链与咔唑基之间结合苯环，以调节配体的载流子迁移性质、配体之间的堆叠形式等。此时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；所述第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；所述第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：层叠设置的第一量子点层和第二量子点层；所述第一量子点层通过具有空穴传输性的第一量子点制备得到；所述第二量子点层通过具有电子传输性的第二量子点制备得到。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点的表面配位有空穴传输性配体；所述空穴传输性配体包括：配位基烷基链、与所述配位基烷基链的烷基结合的空穴传输性基团；所述配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基、或者磷氧基。3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输性基团选自三苯胺、咔唑、噻吩中的至少一种。4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点通过下述方法制备得到：将所述空穴传输性基团结合在配位基烷基链上，形成所述空穴传输性配体；将所述空穴传输性配体与表面配位有油酸、三辛基膦或油胺配体的量子点进行化学置换，得到表面配位有空穴传输性配体的所述第一量子点。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二量子点的表面配位有电子传输性配体；所述电子传输性配体包括：配位基烷基链、与所述配位基烷基链的烷基结合的电子传输性基团；所述配位基烷基链中的配位基选自巯基、多巯基、氨基、多氨基或者磷氧基。6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输性基团选自吡啶、二嗪、氰基...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹钢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11