The invention belongs to the technical field of photocatalytic materials, in particular to a BiVO4/AgIO3 heterojunction nanometer photocatalytic material and a preparation method and application thereof. The photocatalytic material is made up of BiVO4 and AgIO3. The present invention is based on silver nitrate, potassium iodate, ammonium vanadate and bismuth nitrate as raw materials. By hydrothermal method and precipitation method, the AgIO3/BiVO4 heterojunction photocatalytic material with better visible light response is obtained, which can be used for photocatalytic degradation of organic dyes and antibiotics in wastewater under visible light. The preparation method of the present invention is simple, easy to control and low cost; the prepared AgIO3/BiVO4 heterojunction photocatalytic material has higher visible photocatalytic activity than AgIO3 and BiVO4, higher photocurrent, better visible photocatalytic activity and stability, and antibiotics such as tetracycline and tetracycline in water. Dye such as rhodamine B has good degradation effect, which can further expand its application in photocatalytic degradation of VOCs.
【技术实现步骤摘要】
一种BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料及其制备方法和应用
本专利技术属于光催化材料
,具体涉及一种BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料及其制备方法和应用。
技术介绍
光催化技术是一种清洁的光能利用物质转化技术,它的应用领域包括光解水制氢、降解水体中的有机污染物、降解空气中的挥发性有机物(VOCs)以及模拟植物光合作用过程等。借助半导体材料实现光催化反应的技术得到越来越广泛的关注,半导体材料在光照下能产生电子-空穴对,一部分电子和空穴在体相内或表面相遇而复合,另一部分电子迁移到半导体表面具有较强的还原能力,可以与吸附的氧结合,生成具有强氧化性的自由基;而迁移到半导体表面的空穴则具有较强的氧化能力,可以与吸附在半导体表面的O2和H2O结合,形成诸如·OH、·HO2、H2O2和·O2-的强氧化性的自由基,这些自由基可以直接与反应物发生作用并将其氧化分解,不产生二次污染。而在半导体光催化技术中,缩小禁带宽度提高光量子的利用率使半导体的可见光响应性能改善,以及避免光生电子空穴的复合是提高光催化效率的关键。众所周知,Bi系半导体催化剂是一类重要的具有可见光响应性能的光催化剂。其中,n-型BiVO4半导体因具有约2.3eV的禁带宽度而使其具有较好的可见光光催化效果,但单独的BiVO4光催化剂的光生电子空穴的分离效率较差而限制了其最终的光催化效率。另外据报道,正交晶系的碘酸银由于其较宽的禁带宽度而在紫外区有较好的光催化效果和光生电子-空穴分离效率。目前尚未有AgIO3/BiVO4异质结光催化剂的报道。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题,在于提供一种 ...
【技术保护点】
1.一种BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:所述光催化材料是由BiVO4与AgIO3复合而成。
【技术特征摘要】
1.一种BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:所述光催化材料是由BiVO4与AgIO3复合而成。2.根据权利要求1所述的BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:AgIO3与BiVO4的复合比例为20%-80%。3.根据权利要求2所述的BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:AgIO3与BiVO4的复合比例为40%。4.根据权利要求1所述的BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:所述BiVO4是以钒酸铵、硝酸铋为原料,利用水热法合成。5.根据权利要求1所述的BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料,其特征在于:所述AgIO3是以硝酸银、碘酸钾为原料,利用沉淀法合成。6.如权利要求1-5中任意项所述的BiVO4/AgIO3异质结纳米光催化材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将钒酸铵溶...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘敏毅,林国良,宋旭春,谢宇昕,
申请(专利权)人:福建工程学院,
类型:发明
国别省市:福建,35
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