影像传感芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种影像传感芯片的封装结构，包括硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。本实用新型专利技术的影像传感芯片的封装结构能够提高芯片利用率。

【技术实现步骤摘要】
影像传感芯片的封装结构
本技术涉及半导体
，尤其是一种影像传感芯片的封装结构。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。随着芯片制造工艺和成像专用工艺的不断进步，促进了采用前面照度(FSI)技术的影像传感器的开发。FSI影像传感器如同人眼一样，光落在芯片的前面，然后通过读取电路和互连，最后被汇聚到光感应区中。FSI技术为目前影像传感器所采用的主流技术，具有已获证实的大批量生产能力、高可靠性和高良率以及颇具吸引力的性价比等优势，大大推动了其在手机、笔记本电脑、数码摄像机和数码相机等众多领域的应用。目前，现有技术需要做CV墙，因CV墙有宽度要求，就限制了感应区域到封装芯片的边缘要有一定的距离，限制了感应区域的面积，同时还会给感应区域引入粉尘，影像感应区域的性能。为此，仍需对现有技术进行改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种影像传感芯片的封装结构，该晶元的封装结构制造容易，芯片利用率高。为实现上述技术目的，本技术揭示了一种影像传感芯片的封装结构，包括：硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述光学涂层仅完全覆盖所述感应区，并且所述光学涂层的形状与所述感应区匹配，所述粘合剂粘接在所述光学涂层与透光基板之间以及未被所述光学涂层覆盖的互连层与透光基板之间。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述光学涂层完全覆盖所述感应区以及所述互连层，所述粘合剂粘接在光学涂层和透光基板之间。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为倒梯形，所述感应区的边缘距离所述焊垫的距离小于或者等于100微米。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为直孔，所述感应区的边缘与所述焊垫的边缘邻接。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.2。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述光学涂层的厚度在1-2微米之间，所述粘合剂的厚度在20-60微米之间，所述透光基板的厚度在100-300微米之间。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述透光基板构造为玻璃基板，所述粘合剂的透光率大于或者等于60％。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述粘合剂的透光率大于或者等于75％。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括再布线层和电连接端子，所述再布线层设置于所述硅基底的第二面的上部，所述电连接端子设置在所述再布线层，所述电连接端子与所述再布线层电连接，且用于与外部电路电连接。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术在互连层上涂布完全覆盖感应区的光学涂层，透光基板通过粘合剂至少与光学涂层粘接，解除了做CV墙对感应区到封装芯片边缘的距离限制，提高芯片利用率，并且工艺稳定和可靠性高。附图说明图1是本技术优选的第一实施方式中切割后的影像传感芯片的封装结构的示意图；图2是本技术优选的第二实施方式中切割后的影像传感芯片的封装结构的示意图；图3到图10是图1中影像传感芯片的封装结构的封装方法的工艺步骤图，其中：图3是图1中的影像传感芯片涂布光学涂层的结构示意图；图4是图3中的影像传感芯片与透光基板粘接后的封装体的结构示意图；图5是图4中影像传感芯片封装体上形成开口后的结构示意图；图6是图5中影像传感芯片封装体上形成绝缘层后的结构示意图；图7是图6中影像传感芯片封装体上形成再布线层后的结构示意图；图8是图7中影像传感芯片封装体进行第一次切割后的结构示意图；图9是图8中影像传感芯片封装体形成阻焊层后的结构示意图；图10是图9中影像传感芯片封装体进行第二次切割后的结构示意图；图11是图2中的影像传感芯片涂布光学涂层的结构示意图；图12是图11中的影像传感芯片与透光基板粘接后的封装体的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，提供这些附图的目的是为了有助于理解本技术的实施例，而不应解释为对本技术的不当限制。为了更清楚起见，图中所示尺寸并未按比例绘制，可能会做放大、缩小或其他改变。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。参考图1和图3到图5所示，为本技术优选的第一实施例中的影像传感芯片的封装结构，该封装结构包括硅基底10，硅基底10包括第一面和与第一面相对的第二面，硅基底10的第二面，即为影像传感芯片的第二面。硅基底10的第一面制作有互连层20，互连层20上设置有多个影像感应区201和多个与影像感应区201电偶合的焊垫203。互连层20上涂布有完全覆盖感应区201的光学涂层30，光学涂层30的表面可以做平，即光学涂层30完全覆盖感应区201以及互连层20，透光基板70通过粘合剂40与光学涂层30粘接，形成影像传感芯片封装体，影像传感芯片封装体包括多个连接在一起的影像传感器。透光基板70优选为玻璃基板。光学涂层30的折射率小于或者等于1.4，优选的，光学涂层30的折射率小于或者等于1.2，即越接近1效果越好。粘合剂40的透光率大于或者等于60％，优选的粘合剂40的透光率大于或者等于75％，即粘合剂40具有高透光率。优选的，光学涂层30的厚度在1-2微米之间，粘合剂40的厚度在20-60微米之间，透光基板70的厚度在100-300微米之间。硅基底10的第一面设置有再布线层50，至少用于电连接焊垫203。再布线层50上设置有电连接端子，本实施例中优选的，电连接端子构造为焊接凸起55(BGA)，当然也可以是形成在再布线层50上的平面焊垫(LGA)，即由再布线层50的一部分构成的接触端子。焊接凸起55与通过再布线层50与焊垫203电连接，且用于与外部电路电连接。再布线的金属线材料是铜，再布线铜与焊垫203之间有增强再布线铜和焊垫203相互附着力的金属或合金薄膜，该金属或者合金材料可以是镍，钛，镍铬，钛钨等。再布线层50的形成方法包括金属着膜、光刻、镀铜、去膜、铜/钛蚀刻的一序列工艺。参照图6所示，硅基底10的第一面设置有贯穿硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。

【技术特征摘要】
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述光学涂层仅完全覆盖所述感应区，并且所述光学涂层的形状与所述感应区匹配，所述粘合剂粘接在所述光学涂层与透光基板之间以及未被所述光学涂层覆盖的互连层与透光基板之间。3.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述光学涂层完全覆盖所述感应区以及所述互连层，所述粘合剂粘接在光学涂层和透光基板之间。4.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为倒梯形，所述感应区的边缘距离所述焊垫的距离小于或者等于100微米。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，谢国梁，董志鹏，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32