晶片加工用带制造技术

提供一种晶片加工用带，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以辊的状态存放时，能抑制标签部与晶片加工用带的背面的粘连，且能良好地从辊的状态将标签部抽出。上述晶片加工用带的特征在于，具有：长条的脱模膜(11)；粘合膜(12)，其具有标签部(12a)和包围标签部(12a)的外侧的周边部(12b)，标签部(12a)设置在脱模膜(11)的第1面(11a)上，且具有与环框(R)对应的规定形状；以及支承部件(13)，其设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，且设置在脱模膜(11)的与设置有粘合膜(12)的第1面(11a)相反的第2面(11b)上，粘合膜(12)的与脱模膜(11)不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，支承部件(13)的厚度为30～150μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片加工用带
本专利技术涉及一种晶片加工用带，特别是涉及将半导体晶片等切断分离(切割)并单片化为芯片状时使用的晶片加工用带。
技术介绍
在将半导体晶片等被加工物单片化为芯片状的情况下，用晶片加工用带将被加工物固定并通过旋转刀片或激光进行分割。另外，近年来也使用如下的方法：在半导体晶片的内部利用激光设置被称为改性层的脆弱部位，利用晶片加工用带将设置有该改性层的半导体晶片固定，通过拉伸扩展晶片加工用带，以改性层为起点将半导体晶片切断而进行单片化。以往，对如上所述的晶片加工用带所要求的性能是加工时的固定性好、以及加工后剥离晶片加工用带时对被加工物没有污染等。然而，近年来，为了确认加工后的品质，从贴合有晶片加工用带的面对芯片的状态等进行目视确认。另外，在如上所述，在通过激光在半导体晶片的内部形成改性层时，在来自半导体晶片的未贴合晶片加工用带的面、即电路面的激光照射由于该电路图案而比较困难的情况下，从贴合有晶片加工用带一侧的面穿过晶片加工用带而进行激光照射。在这种情况下，对晶片加工用带所要求的性能是能充分透过可见光或者近红外光。作为使可见光或者近红外光充分透过的方法，公开有将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra调整为0.3μm以下的方法(例如，专利文献1)。但是，晶片加工用带一般具有长条的薄膜形状，并以卷绕为辊状的卷绕体的状态存放。这样，在以卷绕体的状态存放晶片加工用带的情况下，若将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设得过小，则卷绕重叠的晶片加工用带彼此容易粘在一起，在使用晶片加工用带时，将之从卷绕体抽出时容易发生被称为粘连的卡挂。因此，在专利文献1中，公开了为了抑制该粘连而优选将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设为0.1μm以上的技术方案。此处，作为晶片加工用带，考虑向晶片的粘贴、切割时向环框的安装等的操作性，也存在实施了预切割加工的晶片加工用带。图2以及图3示出了进行了预切割加工的切割带的例子。图2、图3的(a)、图3的(b)分别是切割带50的立体图、俯视图、剖视图。晶片加工用带50由脱模膜51与粘合膜52构成。粘合膜52具有：标签部52a，其具有与切割用的环框的形状对应的圆形形状；周边部52b，其包围该标签部52a的外侧。在标签部52a的周围，不存在粘合膜52，存在仅为脱模膜51的部分。在切割晶片时，将粘合膜52的标签部52a从脱模膜51剥离，如图4所示，粘贴半导体晶片W的背面，并将切割用的环框R粘合固定到粘合膜52的外周部。在该状态下对半导体晶片W进行切割，之后，在粘合膜52实施紫外线照射等硬化处理并拾取半导体芯片。此时，粘合膜52因硬化处理而粘合力降低，因此，半导体芯片容易剥离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-15236号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在晶片加工用带50如以上所述那样被进行了预切割加工的情况下，由于存在仅为脱模膜51的部分和设置有标签部52a的部分，因此存在如下情况，即，当卷绕为辊状时，在标签部52a施加卷绕压力，即使是专利文献1所示的范围的表面粗糙度Ra，也容易发生粘连，在使用晶片加工用带时，要从卷绕体抽出的标签部52a会贴合到卷绕体侧的晶片加工用带50的背面而被留下来。因此，本专利技术的目的是提供一种如下的晶片加工用带，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以卷绕为辊状的状态存放时，能抑制标签部52a与晶片加工用带的背面的粘连，在从卷绕为辊状的状态抽出时，能够将标签部52a很好地抽出。用于解决课题的技术方案为了解决上述课题，基于本专利技术的晶片加工用带的特征在于，具有：长条的脱模膜；粘合膜，其具有标签部和包围上述标签部的外侧的周边部，上述标签部设置在上述脱模膜的第1面上，且具有与切割用的环框对应的规定形状；以及支承部件，其设置在上述脱模膜的短边方向的两端部，且设置在上述脱模膜的与设置有上述粘合膜的第1面相反的第2面上，上述粘合膜的与上述脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，上述支承部件的厚度为30～150μm。另外，上述晶片加工用带优选：上述支承部件以具有隔着上述脱模膜与上述标签部重叠的区域的方式设置，且与上述标签部重叠的区域在上述脱模膜的短边方向上的最大宽度为25mm以下。上述晶片加工用带优选：上述支承部件具有2层以上的层叠结构。另外，上述晶片加工用带优选：上述支承部件是在选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、以及高密度聚乙烯的树脂膜基材上涂布有粘接剂的粘接带。专利技术效果根据本专利技术，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以卷绕为辊状的状态存放时，能抑制标签部与晶片加工用带的背面的粘连，在从卷绕为辊状的状态抽出时，能够将标签部很好地抽出。附图说明图1的(a)是本专利技术的实施方式涉及的晶片加工用带的俯视图，图1的(b)是本专利技术的实施方式涉及的晶片加工用带的剖视图。图2是以往的晶片加工用带的立体图。图3的(a)是以往的晶片加工用带的俯视图，图3的(b)是以往的晶片加工用带的剖视图。图4是表示晶片加工用带与切割用环框贴合的状态的剖视图。具体实施方式以下，基于附图，对本专利技术的实施方式进行详细说明。图1的(a)是本专利技术的实施方式涉及的晶片加工用带的俯视图，图1的(b)是图1的(a)的剖视图。如图1的(a)以及图1的(b)所示，晶片加工用带10，晶片加工用带10具有长条的脱模膜11、粘合膜12、支承部件13。粘合膜12具有设置在脱模膜11的第1面11a的标签部12a、和包围该标签部12a的外侧的周边部12b。周边部12b包括完全包围标签部12a的外侧的形态、和如图所示的不完全包围标签部12a的外侧的形态。标签部12a具有与切割用环框对应的形状。支承部件13设置在脱模膜11的与设置有粘合膜12的第1面11a相反的第2面11b，且设置在脱模膜11的短边方向的两端部，并设置在与脱模膜11所接触的标签部12a的区域涉及的第1面11a的区域相对应的区域。也就是说，支承部件13设置为具有隔着脱模膜11与标签部12a重叠的区域。支承部件13可沿脱模膜11的长边方向断续地或连续地设置，但是，从更有效地抑制转印痕的发生的观点出发，优选支承部件13沿脱模膜11的长边方向连续地设置。下面，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素进行详细说明。(脱模膜)作为用于本专利技术的晶片加工用带10的脱模膜11，可使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)系、聚乙烯系、及其他进行了脱模处理的薄膜等公知的薄膜。脱模膜的厚度没有特别限定，适当设定即可，但优选为25～50μm。(粘合膜)如上所述，本专利技术的粘合膜12具有与切割用的环框的形状对应的标签部12a和包围其外侧的周边部12b。这种粘合膜可通过利用预切割加工从膜状粘合剂除去标签部12a的周边区域来形成。与切割用的环框的形状相对应的形状是与环框的内侧大致相同的形状且比环框内侧的大小大的相似形状。另外，可以不一定是圆形，但优选接近圆形的形状，更优选为圆形。作为粘合膜12，没有特别限定，只要是如下的粘合膜即可，即，具有足够的粘合力以使得在切割晶片时晶片不会剥离，且在切割后拾取芯片时显示出较低的粘合力以使芯片能够容易地剥离。例如，可优选使用在基材膜设置有粘合剂层的粘合膜。作为粘合膜12的基材膜，只要与粘合剂层相反侧的面(即，粘合膜12与脱模膜11不接触的一侧的面)的算术表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片加工用带，其特征在于，具有：长条的脱模膜；粘合膜，其具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部设置在所述脱模膜的第1面上，且具有与切割用的环框对应的规定形状；以及支承部件，其设置在所述脱模膜的短边方向的两端部，且设置在所述脱模膜的与设置有所述粘合膜的第1面相反的第2面上，所述粘合膜的与所述脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，所述支承部件的厚度为30～150μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.02 JP 2016-0400851.一种晶片加工用带，其特征在于，具有：长条的脱模膜；粘合膜，其具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部设置在所述脱模膜的第1面上，且具有与切割用的环框对应的规定形状；以及支承部件，其设置在所述脱模膜的短边方向的两端部，且设置在所述脱模膜的与设置有所述粘合膜的第1面相反的第2面上，所述粘合膜的与所述脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，所述支承部件的厚度为30～150μm。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大田乡史，阿久津晃，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP